1.一種SiC單晶生長爐的旋轉(zhuǎn)式溫度監(jiān)控裝置，其特征在于，包括：石墨坩堝、隔熱層、測溫孔、轉(zhuǎn)盤和紅外測溫儀，其中，所述隔熱層設(shè)置在石墨坩堝外圍，用于維持石墨坩堝內(nèi)的溫度，位于所述石墨坩堝上表面的所述隔熱層上設(shè)有多個所述測溫孔，所述轉(zhuǎn)盤位于所述隔熱層的上方，并且所述紅外測溫儀固定在轉(zhuǎn)盤上，在轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動過程中，所述紅外測溫儀與所述多個測溫孔中的每一個相對應(yīng)，用于通過轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)盤改變紅外測溫儀所監(jiān)控的測溫孔，從而觀察整個晶圓周圍的溫度變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC單晶生長爐的旋轉(zhuǎn)式溫度監(jiān)控裝置，其特征在于，還包括外壁、RF線圈和籽晶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SiC單晶生長爐的旋轉(zhuǎn)式溫度監(jiān)控裝置，其特征在于，所述籽晶位于石墨坩堝內(nèi)側(cè)上部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC單晶生長爐的旋轉(zhuǎn)式溫度監(jiān)控裝置，其特征在于，所述測溫孔，其形狀為圓形，沿圓周方向均勻分布在隔熱層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC單晶生長爐的旋轉(zhuǎn)式溫度監(jiān)控裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)盤位于外壁上方。