本實(shí)用新型涉及一種用于PVT法生長碳化硅晶體的碳化硅晶體生長設(shè)備。

背景技術(shù)：

碳化硅(SiC)單晶具有高導(dǎo)熱率、高擊穿電壓、載流子遷移率極高、化學(xué)穩(wěn)定性很高等優(yōu)良的半導(dǎo)體物理性質(zhì)，可以制作成在高溫、強(qiáng)輻射條件下工作的高頻、高功率電子器件和光電子器件，在國防、高科技、工業(yè)生產(chǎn)、供電、變電領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用價(jià)值，被看作是極具發(fā)展前景的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。但是，生長碳化硅晶體非常困難，經(jīng)過多年努力，現(xiàn)以美國Gree公司為代表的實(shí)驗(yàn)室已成功用物理氣相傳輸法(PVT)生長出大直徑的高質(zhì)量碳化硅單晶并制成外延基片，用碳化硅單晶外延片已研制成功多種性能優(yōu)良的電子器件和光電子器件。

如圖1所示，圖1是傳統(tǒng)的碳化硅晶體生長設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括真空室7、設(shè)置于該真空室7內(nèi)的保溫裝置4、設(shè)置于該保溫裝置4內(nèi)具有上蓋的密閉的石墨坩堝1以及給真空室7加熱的加熱裝置等。

目前，使用PVT技術(shù)生長碳化硅晶體時(shí)，在石墨坩堝1底部裝有一定量的粉狀或狀的顆粒碳化硅料2，在碳化硅料2上方間隔一定的距離，一個(gè)碳化硅單晶片作為籽晶3粘貼在石墨坩堝的上蓋上，保溫裝置4包圍設(shè)置于石墨坩堝1的外圍和底部。石墨坩堝1的上蓋上部按工藝要求設(shè)置有中心開有測溫孔6的厚度適當(dāng)?shù)慕^熱元件5，保溫裝置4和絕熱元件5共同使石墨坩堝形成適合碳化硅晶體生長的溫度場。石墨坩堝1、連同周圍的保溫裝置4等都放置在一個(gè)與大氣隔離的真空室7中，生長晶體時(shí)，真空室7抽真空至工藝需要的真空度后，再充入合適氣壓的高純Ar氣并通過真空室氣壓自動(dòng)控制系統(tǒng)使氣壓保持在工藝需要的范圍內(nèi)。通過加熱裝置如感應(yīng)線圈8的感應(yīng)加熱使石墨坩堝1達(dá)到需要的高溫并通過溫度自動(dòng)控制系統(tǒng)使溫度保持在工藝需要的高溫如2000℃-2500℃，石墨坩堝1中的碳化硅料2在高溫蒸發(fā)成飽和蒸氣，通過擴(kuò)散及氣體對流作用輸送到溫度較低的籽晶3表面重新凝結(jié)，形核，結(jié)晶，使籽晶3逐漸長大而成一個(gè)大晶體。

PVT法生長碳化硅晶體過程中，碳化硅晶體生長設(shè)備的結(jié)構(gòu)，例如石墨坩堝1的形狀和結(jié)構(gòu)、感應(yīng)線圈頻率、加熱功率、保溫裝置、真空室氣壓等很多因素都會影響石墨坩堝內(nèi)的溫度分布均勻性，因而對晶體生長和晶體質(zhì)量有重大影響，國內(nèi)外很多實(shí)驗(yàn)室就此問題作過大量研究，發(fā)表過很多有關(guān)實(shí)驗(yàn)和計(jì)算機(jī)模擬的文章。如文獻(xiàn)1：Self-congruent process of SiC growth by physical vapor transport D.I.Cherednichenkoa,R.V.Drachevb,T.S.Sudarshan Journal of Crystal Growth 262(2004)175–181，此為其中的一個(gè)例子。

如圖2所示，圖2是文獻(xiàn)1中的生長碳化硅晶體時(shí)石墨坩堝中的熱流及溫度分布的數(shù)學(xué)模型。其中Tc為晶體背面溫度，Ts為結(jié)晶面(晶體正面)溫度，Tv為碳化硅料面溫度，S為晶體生長厚度，ΔTc為結(jié)晶面與晶體背面的溫度差，d為結(jié)晶面距碳化硅料上表面的距離，ΔTv為結(jié)晶面與碳化硅料上表面之間的溫度差。ΔT_G是碳化硅料上表面與晶體背面的溫度差，S_RC為碳化硅料的平均高度(代表碳化硅料量大小)，T_H是加熱裝置的溫度，代表來自加熱裝置的熱能大小。而Q_V及Q_W分別表示碳化硅料及加熱裝置通過熱傳導(dǎo)及熱輻射傳遞給結(jié)晶面的熱量。L表示晶體的結(jié)晶潛熱。Fi表示升華蒸氣傳輸總量，V表示結(jié)晶速度。

其中碳化硅料面與結(jié)晶面溫度差ΔTv是升華蒸氣的傳輸動(dòng)力，其大小和穩(wěn)定程度對于結(jié)晶過程和質(zhì)量起著決定性作用。碳化硅料面Tv溫度較穩(wěn)定，但結(jié)晶面溫度Ts會隨著結(jié)晶厚度的增加而非線性增加，致使兩面之間溫度差減少，進(jìn)一步導(dǎo)致結(jié)晶速度V減少甚至停止生長。不穩(wěn)定的溫度差及生長速度會導(dǎo)致多種晶體缺陷產(chǎn)生，難以生長出高質(zhì)量的晶體。

在背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種用于PVT法生長碳化硅晶體工藝并能保持晶體結(jié)晶面與碳化硅料上表面溫度差基本恒定的碳化硅晶體生長設(shè)備。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，一種碳化硅晶體生長設(shè)備，包括真空腔室、腔室加熱裝置、坩堝裝置、坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置和控制裝置。其中真空腔室包括具有開口端部的真空腔體和密封安裝于所述開口端部的密封法蘭；腔室加熱裝置用于給所述真空腔室加熱；坩堝裝置設(shè)置于所述真空腔室內(nèi)，包括具有頂端開口的坩堝本體和密封蓋在所述頂端開口的坩堝蓋，所述坩堝本體用于盛裝碳化硅料，所述坩堝蓋底部設(shè)有一籽晶，該籽晶能生長成一晶體；坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置用于加熱所述坩堝蓋；控制裝置包括溫度采集器和控制器，溫度采集器用于采集所述坩堝蓋底部的溫度數(shù)據(jù)；控制器內(nèi)部存儲有多條隨著晶體生長厚度變化的晶體背面溫度曲線，所述控制器用于接收所述溫度采集器發(fā)送的所述坩堝蓋底部溫度數(shù)據(jù)，并依此控制所述坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置，以使所述坩堝蓋溫度與所述晶體背面溫度曲線保持一致。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述坩堝蓋呈筒形，具有筒底和筒體，所述坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置設(shè)置于所述筒體內(nèi)并鄰近或接觸所述筒底。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述坩堝蓋的筒底的厚度為3mm-5mm。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述筒體的具有所述筒底的端部外周設(shè)有環(huán)形槽，該環(huán)形槽具有側(cè)密封部和端密封部，所述坩堝本體的內(nèi)側(cè)面和頂端面分別對應(yīng)配合于所述側(cè)密封部和端密封部。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置包括渦旋感應(yīng)加熱線圈和制冷裝置，所述坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置與所述坩堝蓋之間的間隙為8-15mm。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述渦旋感應(yīng)加熱線圈上連接加熱電極，并通過所述加熱電極固定于所述密封法蘭上。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述渦旋感應(yīng)加熱線圈的橫截面呈中空的矩形形狀。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述渦旋感應(yīng)加熱線圈和所述制冷裝置集成為一體，所述制冷裝置包括連接于所述渦旋感應(yīng)加熱線圈兩端部的兩個(gè)冷卻水管。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，所述溫度采集器是紅外測溫儀，所述密封法蘭上設(shè)有測溫孔，所述坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置在對應(yīng)于所述測溫孔位置設(shè)有通孔。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，其中還包括保溫裝置，其設(shè)置于所述真空腔室內(nèi)，并包圍所述坩堝本體以及部分所述坩堝蓋。

由上述技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益技術(shù)效果在于：本實(shí)用新型碳化硅晶體生長設(shè)備包括用于加熱所述坩堝蓋的坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置以及控制裝置，控制裝置包括能實(shí)時(shí)采集坩堝蓋底部溫度數(shù)據(jù)的溫度采集器和控制器，控制裝置能根據(jù)坩堝蓋底部溫度數(shù)據(jù)控制所述坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置按一設(shè)定的理想的晶體背面溫度曲線保持一致，從而使得晶體結(jié)晶面與碳化硅料上表面溫度差基本恒定，進(jìn)而使晶體的生長速度保持穩(wěn)定，大幅度提升了生長出的晶體質(zhì)量。

本實(shí)用新型中通過以下參照附圖對優(yōu)選實(shí)施例的說明，本實(shí)用新型的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更加明顯。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的碳化硅晶體生長設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是生長碳化硅晶體時(shí)石墨坩堝中的熱流及溫度分布的數(shù)學(xué)模型；

圖3是本實(shí)用新型碳化硅晶體生長設(shè)備一實(shí)施方式的示意圖；

圖4是圖3的局部放大圖；

圖5是Virtual Reactor模擬軟件系統(tǒng)獲得的晶體背面溫度曲線圖；

圖6為圖3所示的碳化硅晶體生長設(shè)備中控制裝置的控制原理圖。

圖中：9、坩堝本體；10、碳化硅料；12、保溫裝置；13、螺旋感應(yīng)加熱線圈；14、真空腔體；15、筒底；16、筒體；17、加熱電極；18、紅外測溫儀；19、測溫接口；20、冷卻水管；21、渦旋感應(yīng)加熱線圈；22、籽晶；23、晶體；24、密封法蘭；28、晶體背面；30、結(jié)晶面；31、通孔；35、石墨托。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供這些實(shí)施方式使得本公開將全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細(xì)描述。

參見圖3和圖4，圖3是本實(shí)用新型碳化硅晶體生長設(shè)備一實(shí)施方式的示意圖；圖4是圖3的局部放大圖。如圖3和圖4所示，本實(shí)用新型碳化硅晶體生長設(shè)備一實(shí)施方式包括真空腔室、腔室加熱裝置、坩堝裝置、坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置和控制裝置。

真空腔室可以由具有開口端部的真空腔體14和密封法蘭24圍成。密封法蘭24可以通過螺釘或卡夾實(shí)現(xiàn)與真空腔體14上端面的穩(wěn)固連接。優(yōu)選地，密封法蘭24可以通過耐高溫螺釘例如用高純石墨材料制成的石墨螺釘密封安裝于真空腔體14的開口端部。使用時(shí)由抽真空設(shè)備將真空腔室抽真空至工藝所需的真空度，例如3×10^-4Pa。

腔室加熱裝置用于加熱真空腔室，其可以圍繞真空腔室外面設(shè)置，腔室加熱裝置可以是螺旋感應(yīng)加熱線圈13等。

坩堝裝置設(shè)置于真空腔室內(nèi)，其包括具有頂端開口的坩堝本體9和密封蓋在頂端開口的坩堝蓋。坩堝本體9用于盛裝碳化硅料10，坩堝蓋下表面粘貼有一籽晶22，使用PVT技術(shù)生長碳化硅工藝，該籽晶22能生長成一晶體23。

在該第一實(shí)施方式中，坩堝蓋呈圓筒形，具有筒底15和筒體16，筒底15可以是厚度為3mm至5mm厚的薄圓盤，以減小熱阻，方便溫度的精確控制。坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置可以設(shè)置于筒體16內(nèi)并鄰近筒底15。坩堝蓋的筒體16下端部外周設(shè)有環(huán)形槽，該環(huán)形槽具有側(cè)密封部和端密封部，該側(cè)密封部和端密封部分別對應(yīng)配合于坩堝本體9的內(nèi)側(cè)面和頂端面。這樣一方面提高了坩堝裝置的密封性能，另一方面可以使得筒底15伸入筒體16內(nèi)，更有利于保持筒底15恒定，便于溫度的精確控制。

應(yīng)當(dāng)理解，本實(shí)用新型的坩堝裝置中坩堝蓋的結(jié)構(gòu)并不限于上面例舉的具體結(jié)構(gòu)形式，其他結(jié)構(gòu)形式的坩堝蓋，例如一平板狀的坩堝蓋等均可應(yīng)用于本實(shí)用新型。

坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置用于調(diào)節(jié)坩堝蓋的溫度，以使設(shè)置于坩堝蓋的籽晶22生長成晶體23的過程中，晶體23表面的結(jié)晶面30(見圖4)能保持適宜的溫度。坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置與坩堝蓋之間可以直接接觸，也可以保持一間隙，當(dāng)坩堝蓋為平板狀時(shí)，該間隙可以是平板狀坩堝蓋上表面與坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置下表面之間的距離；當(dāng)坩堝蓋呈筒形時(shí)，該間隙可以是筒底15的上表面與坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置下表面之間的距離。

坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置可以包括渦旋感應(yīng)加熱線圈21和制冷裝置。渦旋感應(yīng)加熱線圈21上連接加熱電極17。此時(shí)，渦旋感應(yīng)加熱線圈21與坩堝蓋之間可以保持8-15mm的間隙，具體可根據(jù)坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置的加熱溫度和效率、坩堝蓋厚度、坩堝蓋大小、坩堝蓋材質(zhì)等因素確定，例如8.5mm、10.4mm、11mm、12.6mm、13.5mm、14.2mm，等等。

優(yōu)選地，渦旋感應(yīng)加熱線圈21可以通過加熱電極17固定于密封法蘭24上。加熱電極17可以連接于渦旋感應(yīng)加熱線圈21的最外層線圈上，加熱電極17可以是兩個(gè)、4個(gè)等。

進(jìn)一步地，渦旋感應(yīng)加熱線圈21的橫截面呈中空的矩形形狀，以避免或減少圓環(huán)效應(yīng)和集膚效應(yīng)的影響。

坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置中的渦旋感應(yīng)加熱線圈21和制冷裝置可以集成為一體結(jié)構(gòu)，例如制冷裝置包括連接于渦旋感應(yīng)加熱線圈21兩端部的兩個(gè)管接頭(圖中未示出)以及連接于管接頭的冷卻水管20，當(dāng)坩堝底部例如筒底15的溫度過高時(shí)，可向冷卻水管20通入冷卻水進(jìn)行冷卻。該冷卻水管20可以連接于渦旋感應(yīng)加熱線圈21的最外層線圈，當(dāng)然本實(shí)用新型并不限于此，冷卻水管20連接于渦旋感應(yīng)加熱線圈21的最內(nèi)層線圈或中間層線圈均是可行的。

在一些實(shí)施方式中，碳化硅晶體生長設(shè)備還包括一設(shè)置于真空腔室內(nèi)的保溫裝置12，保溫裝置12可以包圍坩堝本體9以及部分坩堝蓋。保溫裝置12可以是石墨氈等。進(jìn)一步地，碳化硅晶體生長設(shè)備還包括一支撐部件如石墨托35，石墨托35固定于保溫裝置12底部中央，使保溫裝置12與真空腔體14底部保持一間距。

本實(shí)用新型中，坩堝裝置可以設(shè)置于真空腔室中央位置，即二者同軸布置，進(jìn)一步地，保溫裝置12、腔室加熱裝置、石墨托35均與坩堝裝置同軸布置。

參見圖6，圖6為圖3所示的碳化硅晶體生長設(shè)備中控制裝置的控制原理圖。如圖6所示，本實(shí)用新型還包括能控制結(jié)晶面溫度的控制裝置，其包括溫度采集器和控制器。其中溫度采集器用于采集坩堝蓋底部例如筒底15的溫度數(shù)據(jù)，并將該溫度數(shù)據(jù)發(fā)送給控制器。

在一實(shí)施方式中，溫度采集器采用紅外測溫儀18，此種情況下，需要在密封法蘭24的中央位置設(shè)置測溫接口19，坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置在對應(yīng)于測溫接口19位置設(shè)有通孔31，當(dāng)坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置采用渦旋感應(yīng)加熱線圈21時(shí)，可以在中央處不設(shè)置線圈層從而留出中空部分形成所述通孔31。這樣紅外測溫儀18即可無任何阻礙地測量到坩堝蓋底部溫度。當(dāng)然其他種類的溫度采集器例也可應(yīng)用于本實(shí)用新型。

控制器內(nèi)部存儲有多條隨著晶體23生長厚度變化的晶體背面溫度曲線，控制器用于實(shí)時(shí)接收溫度采集器發(fā)送的坩堝蓋底部溫度數(shù)據(jù)，并依此控制坩堝蓋溫度調(diào)節(jié)裝置，以使坩堝蓋溫度與晶體背面溫度曲線保持一致。在一些實(shí)施方式中，控制器可以采用PID控制器。

參見圖3并結(jié)合圖2，晶體23的結(jié)晶面30溫度表示為Ts，碳化硅料10溫度為Tv，晶體背面28的溫度為Tc，在本實(shí)施例中Tv被螺旋感應(yīng)加熱線圈13加熱而具有固定值。晶體的結(jié)晶面(正面)30和晶體背面28之間的溫度差對應(yīng)圖2的ΔTc，結(jié)晶面30與碳化硅料10之間的溫度差對應(yīng)圖2的ΔTv。圖2描述了PVT方法生長碳化硅晶體時(shí)通過結(jié)晶面的熱流Q＝Qv+Qw+L，在晶體的結(jié)晶面30和晶體背面28形成了溫差ΔTc＝Ts-Tc。碳化硅料10與結(jié)晶面30的溫差ΔTv＝Tv-Ts。由此得出：ΔTv＝Tv-(Tc+ΔTc)，傳熱學(xué)給出，ΔTc＝Q*Rc，其中，Rc是晶體的熱阻。隨著晶體的厚度增加，則Rc增大，由ΔTc增大，如果要保持ΔTv不變，則只有減少Tc。

其中，晶體背面溫度曲線可通過現(xiàn)有的專用的SiC生長仿真軟件模擬得出，如文獻(xiàn)《SiC單晶生長及其晶片加工技術(shù)的進(jìn)展》(姜守振，半導(dǎo)體學(xué)報(bào)第28卷第5期)或者文獻(xiàn)《坩堝在線圈中位置對大直徑SiC單晶溫度場影響》(王英明，電子工藝技術(shù)第32卷第6期等多篇論文所提到和使用的Virtual Reactor模擬軟件系統(tǒng)獲得。

參見圖5并結(jié)合圖2和圖4，圖5是Virtual Reactor模擬軟件系統(tǒng)獲得的晶體背面溫度曲線圖。如圖5所示，在螺旋感應(yīng)加熱線圈13的溫度TH＝2610K(開爾文),碳化硅料10的溫度TV＝2600K，真空腔體壓力PAr＝5mBar，籽晶直徑d0＝5cm的工況下，隨著晶體生長厚度增加，晶體的結(jié)晶面溫度Tc的變化曲線，其中曲線1、曲線2、曲線3分別表示結(jié)晶速率V＝1mm/h(毫米每小時(shí)),V＝2mm/h,V＝3mm/h時(shí)Tc隨晶體生長厚度的變化規(guī)律。由此可見，在一定的生長條件下，當(dāng)Tc的溫度跟隨圖3所示的曲線(如曲線1)減少時(shí)，可使得ΔTv恒定。

使用時(shí)，螺旋感應(yīng)加熱線圈13通電，對真空腔室加熱，熱量通過熱傳導(dǎo)及熱輻射方式經(jīng)真空腔體14、保溫裝置12、坩堝本體9將碳化硅料10加熱至2600℃，此時(shí)碳化硅料10升華，在碳化硅料10的上表面29及籽晶22背面28的溫度差作用下升華氣體輸運(yùn)至背面28處，并重新反應(yīng)，凝結(jié)，形核生長為碳化硅(SiC)晶體23，同時(shí)形成晶體23的生長面即結(jié)晶面30。本實(shí)用新型通過使晶體23背面28的溫度Tc按給定的曲線變化，即可使得碳化硅料10與晶體的結(jié)晶面30的溫差ΔTv＝Tv-Ts Tv-(Tc+ΔTc)保持不變，從而使得晶體23具有穩(wěn)定的結(jié)晶生長速度，可生長出高質(zhì)量的SiC結(jié)晶體。

本實(shí)用新型通過在坩堝蓋內(nèi)設(shè)置渦旋感應(yīng)加熱線圈21，并由控制裝置控制晶體背部溫度Tc與理想狀態(tài)下的晶體背部溫度(相當(dāng)于理論Tc，如圖5所示)一致，可實(shí)現(xiàn)隨著晶體生長百度增厚，晶體傳熱熱阻增大，晶體背部和晶體結(jié)晶面之間的ΔTc增大，而晶體結(jié)晶面和碳化硅料上表面溫的差ΔTv基本保持不變的目的。從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的晶體生長速度，生長出質(zhì)量高的晶體。

雖然本說明書中使用相對性的用語，例如“上”“下”來描述圖標(biāo)的一個(gè)組件對于另一組件的相對關(guān)系，但是這些術(shù)語用于本說明書中僅出于方便，例如根據(jù)附圖中的示例的方向。能理解的是，如果將圖標(biāo)的裝置翻轉(zhuǎn)使其上下顛倒，則所敘述在“上”的組件將會成為在“下”的組件。當(dāng)某結(jié)構(gòu)在其它結(jié)構(gòu)“上”時(shí)，有可能是指某結(jié)構(gòu)一體形成于其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)“直接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上，或指某結(jié)構(gòu)通過另一結(jié)構(gòu)“間接”設(shè)置在其它結(jié)構(gòu)上。用語“第一”、“第二”等僅作為標(biāo)記使用，不是對其對象的數(shù)量限制。

本權(quán)利要求書中，用語“一個(gè)”、“一”、“”和“至少一個(gè)”用以表示存在一個(gè)或多個(gè)要素/組成部分/等；用語“包含”、“包括”和“具有”用以表示開放式的包括在內(nèi)的意思并且是指除了列出的要素/組成部分/等之外還可存在另外的要素/組成部分/等。

應(yīng)可理解的是，本實(shí)用新型不將其應(yīng)用限制到本說明書提出的部件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和布置方式。本實(shí)用新型能夠具有其他實(shí)施方式，并且能夠以多種方式實(shí)現(xiàn)并且執(zhí)行。前述變形形式和修改形式落在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。應(yīng)可理解的是，本說明書公開和限定的本實(shí)用新型延伸到文中和/或附圖中提到或明顯的兩個(gè)或兩個(gè)以上單獨(dú)特征的所有可替代組合。所有這些不同的組合構(gòu)成本實(shí)用新型的多個(gè)可替代方面。本說明書的實(shí)施方式說明了已知用于實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的最佳方式，并且將使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠利用本實(shí)用新型。