相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2015年2月4日提交的美國(guó)序列號(hào)62/111,730的權(quán)益和優(yōu)先權(quán)，及2015年3月23日提交的歐洲申請(qǐng)?zhí)?5160258.8的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容以其全文并入本文。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及具有小晶體尺寸的絲光沸石分子篩以及制備所述絲光沸石分子篩的方法。背景分子篩材料，天然的和合成的二者，在過去已經(jīng)被證明可用作吸附劑并具有用于各種類型的烴轉(zhuǎn)化反應(yīng)的催化性質(zhì)。某些分子篩，例如沸石，alpo和中孔材料，是具有通過x射線衍射(xrd)測(cè)定的確定晶體結(jié)構(gòu)的有序多孔結(jié)晶性材料。在結(jié)晶性分子篩材料中，存在可以通過多個(gè)通道或孔相互連接的大量空腔。這些空腔和孔在特定分子篩材料內(nèi)尺寸均勻。因?yàn)檫@些孔的尺寸是接受某些尺寸的吸附分子同時(shí)排斥較大尺寸的那些，因此這些材料被稱為“分子篩”，并且被用于各種工業(yè)過程中。沸石孔可以在微-(<2nm)，中-(2-50nm)或大-(>50nm至200nm)尺寸范圍內(nèi)。這樣的分子篩，天然的和合成的二者，包括各種結(jié)晶性硅酸鹽。這些硅酸鹽可以被描述為sio4四面體(其在頂點(diǎn)處具有四個(gè)氧原子，硅原子在中心)和周期表第13族元素氧化物(例如，alo4，bo4)四面體(其在頂點(diǎn)處具有四個(gè)氧原子，周期表第13族元素在中心)的剛性三維骨架。這些四面體是規(guī)則的并通過共用氧原子而三維交聯(lián)。取決于四面體的排列和結(jié)構(gòu)的組成，該排列提供了限定不同尺寸和形狀的孔的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。包含第13族元素(例如鋁或硼)的四面體的電價(jià)通過在晶體中包含陽離子，例如質(zhì)子，堿金屬或堿土金屬陽離子來平衡。這可以表示其中第13族元素(例如，鋁或硼)與各種陽離子如h+，ca2+/2，sr2+/2，na+，k+或li+的數(shù)量比等于1。在硅鋁酸鹽中存在骨架鋁，這在提供例如這些材料的催化性質(zhì)方面是重要的。在催化中獲得應(yīng)用的分子篩包括任何天然存在的或合成的結(jié)晶性分子篩。這些分子篩的實(shí)例包括大孔沸石，中孔尺寸沸石和小孔沸石。這些沸石及其同種型描述于“atlasofzeoliteframeworktypes”，編輯ch.baerlocher,l.b.mccusker，d.h.olson，elsevier，第6修訂版，2007中，其通過引用并入本文。分子篩材料的合成通常涉及合成混合物的制備，該合成混合物包含分子篩中存在的所有元素的來源，經(jīng)常含有氫氧根離子源以調(diào)節(jié)ph。在許多情況下，還存在結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑。結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑是被認(rèn)為促進(jìn)分子篩形成的化合物，并且其被認(rèn)為作為在周圍可形成某些分子篩結(jié)構(gòu)的模板，并且其由此促進(jìn)期望的分子篩的形成。已經(jīng)使用各種化合物作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，包括各種類型的季銨陽離子。分子篩的合成是復(fù)雜的過程。許多變量需要控制，以在所生產(chǎn)的分子篩的純度，產(chǎn)率和質(zhì)量方面優(yōu)化合成。特別重要的變量是合成模板(結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑)的選擇，其通常決定從合成獲得哪種骨架類型。季銨離子通常用作沸石催化劑制備中的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑?！昂铣傻摹狈肿雍Y將在其孔中含有結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，并且通常經(jīng)受煅燒步驟以燒掉結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑并釋放孔。對(duì)于許多催化應(yīng)用而言，期望將分子篩轉(zhuǎn)化為氫形式(h形式)。這可以通過以下實(shí)現(xiàn)：首先在空氣或氮?dú)庵徐褵ソY(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，然后離子交換以通過銨陽離子替代堿金屬陽離子(通常為鈉陽離子)，然后使分子篩經(jīng)受最終煅燒以將銨形式轉(zhuǎn)化為h形式。然后可以將h形式進(jìn)行各種“后處理”，例如汽蒸和/或酸處理以從骨架中除去鋁或其它金屬離子。這樣的處理的產(chǎn)物通常被稱為“后處理的”。絲光沸石(大孔沸石類的成員)由通過8元環(huán)孔相互連接的12元環(huán)孔通道組成。然而，8元環(huán)孔對(duì)于大多數(shù)分子進(jìn)入來說太小，因此絲光沸石通常被認(rèn)為是一維孔體系。盡管有該特征，絲光沸石仍廣泛用于工業(yè)中，特別是用于烷基化，烷基轉(zhuǎn)移和(氫)異構(gòu)化反應(yīng)。為了改進(jìn)一維通道的物理運(yùn)輸，絲光沸石晶體通常進(jìn)行脫鋁后處理。后處理的絲光沸石催化劑已經(jīng)用于重質(zhì)芳族化合物的烷基轉(zhuǎn)移，并且已經(jīng)表現(xiàn)出非常令人鼓舞的性能。絲光沸石可從例如tosoh和zeolyst商購(gòu)獲得。期望提供具有改進(jìn)的催化性能的改進(jìn)的絲光沸石催化劑。發(fā)明概述本發(fā)明在第一方面提供了絲光沸石，其在其孔內(nèi)包含選自tea，mtea及其混合物的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑(sda)，具有大于30m2/g的中孔表面積，并且包含由初級(jí)晶體構(gòu)成的聚集體，其中所述初級(jí)晶體具有通過透射電子顯微鏡(tem)測(cè)量的小于80nm的平均初級(jí)晶體尺寸。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可以制備具有非常小的晶體尺寸并具有高的中孔表面積的絲光沸石。非常小的初級(jí)晶體尺寸促進(jìn)反應(yīng)物化合物進(jìn)入絲光沸石孔內(nèi)的活性位點(diǎn)，從而提高催化效率。通過tem測(cè)量，初級(jí)晶體的長(zhǎng)徑比是相對(duì)低的，例如小于2.0，其中長(zhǎng)徑比定義為晶粒的最長(zhǎng)尺寸除以晶粒的寬度，其中晶粒的寬度定義為在與該最長(zhǎng)尺寸正交的方向上在該最長(zhǎng)尺寸的中間的晶粒尺寸。通常，初級(jí)晶體不是具有大于2.0的長(zhǎng)徑比的細(xì)長(zhǎng)晶體或小片。如本文所用的術(shù)語“初級(jí)晶體”表示與聚集體成對(duì)比的單一不可分割的晶體。初級(jí)晶體通常通過弱物理相互作用(而不是化學(xué)鍵)粘附在一起以形成聚集體。術(shù)語“晶體”和“晶粒”在本文中可互換使用。本文中對(duì)本發(fā)明的絲光沸石的提及應(yīng)理解為指本發(fā)明的任何方面的絲光沸石，或者如通過根據(jù)本發(fā)明的任何方法制備的絲光沸石。本文中對(duì)通過tem測(cè)量的初級(jí)晶體尺寸的提及應(yīng)理解為是指使用以下實(shí)驗(yàn)部分中描述的方法測(cè)量初級(jí)晶體尺寸。本發(fā)明第一方面的絲光沸石在其孔中含有結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑并且也可以被稱為“合成的”絲光沸石。常規(guī)地，為了將“合成的”絲光沸石轉(zhuǎn)化成h形式，“合成的”絲光沸石首先在空氣或氮?dú)庵徐褵詮目字谐ソY(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑。然后將煅燒的絲光沸石進(jìn)行離子交換以用銨陽離子替代堿金屬陽離子例如鈉陽離子。進(jìn)一步的煅燒步驟將銨形式轉(zhuǎn)化為h形式。對(duì)于本發(fā)明的絲光沸石而言，可以例如通過在離子交換之前在空氣或惰性氣氛例如氮?dú)庵徐褵龔慕z光沸石骨架中除去結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑。然而，本發(fā)明人已經(jīng)還發(fā)現(xiàn)，令人驚奇地，在某些情況下，可以通過離子交換從本發(fā)明的絲光沸石中除去堿金屬陽離子m+，而無需在離子交換之前進(jìn)行煅燒。因此，在某些情況下，本發(fā)明的絲光沸石可任選地進(jìn)行離子交換以除去堿金屬陽離子而不需要預(yù)煅燒。然后通過煅燒將離子交換的絲光沸石轉(zhuǎn)化成h形式，所述煅燒同時(shí)除去結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑并將絲光沸石轉(zhuǎn)化成h形式。然后還可以使本發(fā)明的絲光沸石進(jìn)行各種形式的后處理。特別地，可以用蒸汽和/或酸處理絲光沸石，以增加中孔表面積和/或從骨架中除去鋁，從而提高硅與氧化鋁的比。在第二方面，本發(fā)明提供了煅燒絲光沸石，其通過使本發(fā)明第一方面的絲光沸石經(jīng)受煅燒步驟以從孔中除去tea或mtea而制備，所述煅燒沸石具有大于30m2/g的中孔表面積，并且包含由初級(jí)晶粒構(gòu)成的聚集體，其中所述初級(jí)晶粒具有通過tem測(cè)量的小于80nm的平均初級(jí)晶體尺寸。在第三方面，本發(fā)明提供了制備根據(jù)本發(fā)明第一方面的絲光沸石的方法，其包括：a)提供合成混合物，其包含硅源，鋁源，堿金屬(m)氫氧化物，選自四乙基銨陽離子(tea)，甲基三乙基銨陽離子(mtea)及其混合物的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑(sda)源，任選的晶種和水，所述合成混合物具有包括以下摩爾比的組成：b)使所述合成混合物經(jīng)受結(jié)晶條件以形成在其孔內(nèi)包含結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑(sda)的絲光沸石的晶體。在第四方面，本發(fā)明提供了制備煅燒絲光沸石的方法，其包括以下步驟：i)使本發(fā)明第一方面的絲光沸石經(jīng)受離子交換處理以除去堿金屬陽離子m+；然后ii)煅燒。任選地，通過離子交換從絲光沸石中除去堿金屬陽離子，m+，而不在離子交換之前進(jìn)行煅燒。供選擇地，所述方法可以包括在離子交換步驟之前的煅燒步驟。在已經(jīng)除去結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑之后，煅燒絲光沸石還可以經(jīng)受進(jìn)一步的步驟，例如進(jìn)一步的煅燒步驟、蒸汽處理步驟或脫鋁步驟中的至少一種。這樣的進(jìn)一步的處理步驟經(jīng)常被稱為“后處理”步驟。在第五方面，本發(fā)明提供了根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面或根據(jù)本發(fā)明的第三或第四方面制備的絲光沸石作為吸附劑或催化劑的用途。在第六方面，本發(fā)明提供了將包含有機(jī)化合物的原料轉(zhuǎn)化為轉(zhuǎn)化產(chǎn)物的方法，該方法包括以下步驟：在有機(jī)化合物轉(zhuǎn)化條件下將所述原料與包含根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面或根據(jù)本發(fā)明的第三或第四方面的方法制備的絲光沸石的催化劑接觸。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，該方法是烷基轉(zhuǎn)移方法，例如c9+芳族化合物的烷基轉(zhuǎn)移。附圖簡(jiǎn)要描述圖1a和1b分別示出了實(shí)施例1的絲光沸石的xrd和sem。圖2a和2b分別示出了實(shí)施例3的絲光沸石的xrd和sem。圖3a和3b分別示出了實(shí)施例4的絲光沸石的xrd和sem。圖4a和4b分別示出了實(shí)施例5的絲光沸石的xrd和sem。圖5a、5b和5c分別示出了實(shí)施例6的絲光沸石的xrd、sem和tem。圖6a、6b和6c分別示出了實(shí)施例7的絲光沸石的xrd、sem和tem。圖7a和7b分別示出了實(shí)施例10的絲光沸石的xrd和sem。圖8a、8b和8c分別示出了實(shí)施例12的絲光沸石的xrd、sem和tem。圖9a和9b分別示出了實(shí)施例14的絲光沸石的xrd和sem。圖10示出了通過tem測(cè)量的實(shí)施例6(菱形)，實(shí)施例7(正方形)和實(shí)施例12(三角形)的絲光沸石的初級(jí)晶體尺寸分布。圖11a和11b分別示出了實(shí)施例15的絲光沸石的xrd和sem。圖12a和12b分別示出了實(shí)施例16的絲光沸石的xrd和sem發(fā)明詳述本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，可以制備具有非常小的晶體尺寸并具有高中孔表面積的絲光沸石，特別是通過選擇合成混合物組合物。結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑選自tea、mtea及其混合物。如本文所用的，“tea”是指四乙基銨陽離子，“mtea”是指甲基三乙基銨陽離子。已知那些陽離子用作合成絲光沸石中的結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑。優(yōu)選地，結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑是tea。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石的si：al2的比優(yōu)選大于10，以及可以在例如10至60，優(yōu)選15至40的范圍內(nèi)。本發(fā)明第二方面的后處理絲光沸石的si:al2的比優(yōu)選在40至300，更優(yōu)選60至150的范圍內(nèi)。本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石包含聚集體，通常是不規(guī)則的聚集體。聚集體由初級(jí)晶粒構(gòu)成，所述初級(jí)晶粒具有小于80nm，優(yōu)選小于70nm，和更優(yōu)選小于60nm，例如小于50nm的通過tem測(cè)量的平均初級(jí)晶體尺寸。初級(jí)晶?？梢跃哂欣绱笥?0nm，任選地大于30nm的通過tem測(cè)量的平均初級(jí)晶體尺寸。任選地，通過x射線衍射測(cè)量，在每個(gè)a，b和c晶體向量中，本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石的初級(jí)晶體具有小于80nm，優(yōu)選小于70nm，和在一些情況下小于60nm的平均初級(jí)晶體尺寸。通過x射線衍射測(cè)量，在每個(gè)a，b和c晶體向量中，初級(jí)晶?？梢匀芜x地具有大于20nm，任選地大于30nm的平均初級(jí)晶體尺寸。本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石將通常包含初級(jí)晶體的聚集體與一些未聚集的初級(jí)晶體的混合物。絲光沸石的大部分，例如大于80重量％或大于90重量％將作為初級(jí)晶體的聚集體存在。聚集體通常是不規(guī)則的形式。關(guān)于聚集體的更多信息，請(qǐng)參見walter,d.(2013)primaryparticles-agglomerates-aggregates,在nanomaterials中(編輯deutscheforschungsgemeinschaft(dfg)),wiley-vchverlaggmbh&co.kgaa,魏因海姆,德國(guó).doi:10.1002/9783527673919,第1-24頁。有用地，絲光沸石不是聚集體。任選地，本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石包含至少50重量％，優(yōu)選至少70重量％，有利地至少80重量％，更優(yōu)選至少90重量％的所述不規(guī)則聚集體，和任選地基本上由所述不規(guī)則聚集體組成，所述不規(guī)則聚集體由具有小于80nm，優(yōu)選小于70nm，和更優(yōu)選小于60nm，例如小于50nm的初級(jí)晶體尺寸的初級(jí)晶粒構(gòu)成。優(yōu)選地，本發(fā)明的絲光沸石包含小于10重量％的通過tem評(píng)價(jià)具有大于80nm的尺寸的初級(jí)晶粒。優(yōu)選地，本發(fā)明的絲光沸石由晶粒構(gòu)成的所述不規(guī)則聚集體構(gòu)成，所述晶粒具有小于80nm的通過tem測(cè)量的晶體尺寸。優(yōu)選地，通過tem評(píng)價(jià)，本發(fā)明的絲光沸石基本上不含針狀或小片晶體，例如包含小于10數(shù)量％的針狀或小片狀晶體。優(yōu)選地，本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石的所述初級(jí)晶體具有小于3.0，更優(yōu)選小于2.0的長(zhǎng)徑比，其中所述長(zhǎng)徑比定義為晶粒的最長(zhǎng)尺寸除以晶粒的寬度，其中晶粒的寬度定義為通過tem測(cè)量，在與該最長(zhǎng)尺寸正交的方向上該最長(zhǎng)的尺寸的中間的晶粒的尺寸。所述初級(jí)晶粒的所述聚集體通常為不規(guī)則形式，并且可以被稱為“次級(jí)”顆粒，因?yàn)樗鼈冇删Я?其為“初級(jí)”顆粒)的聚集體形成。通過tem測(cè)量，初級(jí)晶?？梢跃哂姓牧６确植迹沟弥辽?0數(shù)量％的初級(jí)晶粒具有在20-80nm范圍內(nèi)，優(yōu)選在20-60nm的范圍內(nèi)的初級(jí)晶體尺寸。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石具有大于30m2/g，優(yōu)選大于40m2/g，和在一些情況下大于45m2/g的通過bet測(cè)量的中孔表面積。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石優(yōu)選具有大于500m2/g，更優(yōu)選大于550m2/g，和在一些情況下大于600m2/g的總表面積?？偙砻娣e包括內(nèi)孔的表面積(沸石表面積)以及晶體外側(cè)的表面積(外表面積)。通過bet測(cè)量總表面積。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石的中孔-表面積與總表面積的比大于0.05。根據(jù)本發(fā)明的第一和第二方面的絲光沸石優(yōu)選具有大于0.1ml/g，更優(yōu)選大于0.12ml/g，和在一些情況下大于0.15ml/g的中孔體積。本發(fā)明第一方面的絲光沸石可以通過本發(fā)明第三方面的方法制備。將合成混合物的組分結(jié)合并保持在結(jié)晶條件下。合適的硅(si)源包括二氧化硅、二氧化硅膠體懸浮液、沉淀法二氧化硅、堿金屬硅酸鹽如硅酸鉀和硅酸鈉、正硅酸四烷基酯，以及氣相法二氧化硅如aerosil和cabosil。優(yōu)選地，si源是沉淀法二氧化硅如ultrasil(可從evonikdegussa獲得)或hisil(可從ppgindustries獲得)。合適的鋁(al)源包括硫酸鋁、硝酸鋁、氫氧化鋁、水合氧化鋁如一水軟鋁石、三水鋁礦和/或假水軟鋁石、鋁酸鈉及其混合物。其它鋁源包括但不限于其它水溶性鋁鹽，或烷醇鋁，例如異丙醇鋁，或鋁金屬，例如片形的鋁。優(yōu)選地，鋁源是鋁酸鈉，例如濃度在40-45％范圍內(nèi)的鋁酸鈉水溶液，或硫酸鋁，例如濃度在45-50％范圍內(nèi)的硫酸鋁溶液。作為先前提及的si源和al源的替代或補(bǔ)充，鋁硅酸鹽也可以用作si和al兩者的來源。優(yōu)選地，合成混合物中的si:al2比為15-40，更優(yōu)選為20-30。合成混合物還包含堿金屬陽離子m+源。堿金屬陽離子m+優(yōu)選選自鈉、鉀和鈉和鉀陽離子的混合物。鈉陽離子是優(yōu)選的。合適的鈉源可以是例如鈉鹽，例如nacl、nabr或nano3，氫氧化鈉或者鋁酸鈉，優(yōu)選氫氧化鈉或鋁酸鈉。合適的鉀源可以是例如氫氧化鉀或鹵化鉀如kcl或kbr，或硝酸鉀。優(yōu)選地，合成混合物中的m+：si比為0.15-0.32，更優(yōu)選為0.20-0.32。任選地，m+:si比小于0.30。合成混合物還包含氫氧根離子源，例如堿金屬氫氧化物如氫氧化鈉或氫氧化鉀。氫氧化物也可以作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑的抗衡離子或通過使用氫氧化鋁作為al源存在。優(yōu)選地，oh-:si的范圍大于0.13，以及可以例如在0.15-0.32的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.20-0.32的范圍內(nèi)。任選地，oh-:si比小于0.30。合成混合物任選地包含晶種。晶種可以是任何合適的沸石晶種，例如zsm-5，zsm-11或絲光沸石晶種。優(yōu)選地，晶種是中孔絲光沸石晶體。晶種可以例如以合成混合物的約0至20重量％，特別是約0至10重量％，優(yōu)選約0.01至10重量％，例如約0.1重量％至約5.0重量％的量存在。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，合成混合物包含晶種。結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑tea和/或mtea，優(yōu)選tea，可以以任何合適的形式存在，例如以鹵化物存在，但優(yōu)選以其氫氧化物形式存在。結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑的合適來源包括teabr、teaoh、mteacl和mteaoh。結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑的優(yōu)選來源是teabr。優(yōu)選地，sda:si比在0.005-0.10的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為0.02-0.10，特別是0.02-0.05。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在合成混合物中具有相對(duì)高的固體含量有利于小晶體絲光沸石的合成。優(yōu)選地，h2o:si比不大于20，例如在5-20的范圍內(nèi)，優(yōu)選為5-17，特別是10-17。在本發(fā)明的第三方面，合成混合物可以例如具有如下表中所示的以摩爾比表示的組成：摩爾比優(yōu)選的更優(yōu)選的特別優(yōu)選的si:al215至4020至3520至30oh-:si0.15至0.320.20至0.320.20至<0.30m+:si0.15至0.320.20至0.320.20至<0.30sda:si0.005至0.100.02至0.100.02至0.05h2o:si5至205至1710至17結(jié)晶可以在靜態(tài)或攪拌條件下在合適的反應(yīng)器容器(例如聚丙烯罐或內(nèi)襯或不銹鋼高壓釜)中進(jìn)行。合適的結(jié)晶條件包括約100℃-約200℃的溫度，例如約135℃-約160℃的溫度。優(yōu)選地，溫度低于145℃。合成混合物可以保持在高溫下足以在所用的溫度下發(fā)生結(jié)晶的時(shí)間，例如約1天-約100天，任選地1-50天，例如約2天-約40天。在一些情況下，合成混合物可以保持在第一溫度下1小時(shí)-10天的第一時(shí)間段，然后升至第二較高溫度持續(xù)1小時(shí)-40天的時(shí)間段。在結(jié)晶步驟之后，將合成的晶體與液體分離并回收。在其合成的形式中，本發(fā)明第一方面的絲光沸石通常具有含以下摩爾關(guān)系的化學(xué)組成：mq：nsio2：al2o3其中，0.001≤m/n≤0.1，例如0.001≤m/n≤0.05，n為至少10，例如10至60，優(yōu)選15至40，以及q是結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑。由于本發(fā)明第一方面的合成的絲光沸石在其孔結(jié)構(gòu)中含有結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，因此通常在使用前以一定方式活化產(chǎn)物，使得結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑(即tea和/或mtea)的有機(jī)部分，至少部分地從沸石中除去。任選通過煅燒本發(fā)明的第一方面的絲光沸石以除去結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑制備本發(fā)明的第二方面的煅燒絲光沸石。也可以使絲光沸石進(jìn)行離子交換步驟以用其它陽離子替代合成的產(chǎn)物中存在的堿金屬或堿土金屬離子。優(yōu)選的替代陽離子包括金屬離子、氫離子、氫前體如銨離子及其混合物，更優(yōu)選氫離子或氫前體。例如，可以使本發(fā)明的第一方面的絲光沸石進(jìn)行離子交換步驟，以用銨陽離子替代堿金屬或堿土金屬離子，然后進(jìn)行煅燒以將銨形式的沸石轉(zhuǎn)化為氫形式的沸石。在一個(gè)實(shí)施方案中，使本發(fā)明的第一方面的絲光沸石首先進(jìn)行煅燒步驟(有時(shí)被稱為“預(yù)煅燒”)以從絲光沸石的孔中除去結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，隨后進(jìn)行離子交換處理，隨后進(jìn)行進(jìn)一步煅燒步驟。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于本發(fā)明的絲光沸石而言，并不總是需要預(yù)煅燒步驟。在供選擇的實(shí)施方案中，本發(fā)明的第一方面的絲光沸石因此在不進(jìn)行預(yù)先煅燒步驟(或預(yù)煅燒)的情況下進(jìn)行離子交換處理，并且在進(jìn)行離子交換處理之后，煅燒以從孔中除去結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，從而提供用于本發(fā)明第二方面的的煅燒絲光沸石。離子交換步驟可以包括例如使絲光沸石與離子交換水溶液接觸。這樣的接觸可以進(jìn)行例如1-5次。與離子交換溶液的接觸任選地在環(huán)境溫度下，或者供選擇地可以在高溫下進(jìn)行。例如，本發(fā)明的第一方面的沸石可以通過在室溫下與硝酸銨水溶液接觸來進(jìn)行離子交換，隨后干燥和煅燒。合適的煅燒條件包括在至少約300℃，優(yōu)選至少約370℃的溫度下加熱至少1分鐘，通常不長(zhǎng)于20小時(shí)，例如1小時(shí)-12小時(shí)的時(shí)間段。雖然可以采用低于大氣壓用于熱處理，但為了方便起見，大氣壓力是期望的。熱處理可以在至多約925℃的溫度下進(jìn)行。例如，熱處理可以在含氧氣體存在下，在400℃-600℃，例如500℃-550℃的溫度下進(jìn)行。本發(fā)明第二方面的煅燒絲光沸石通常具有含以下摩爾關(guān)系的化學(xué)組成：nsio2：al2o3其中n為至少10，例如10至60，更特別為15至40。本發(fā)明第二方面的煅燒絲光沸石可以原樣用作催化劑或用作吸附劑而不經(jīng)進(jìn)一步處理，或者其可以進(jìn)行后處理如汽蒸和/或酸洗滌。任選地，本發(fā)明第二方面的煅燒沸石在至少200℃，優(yōu)選至少350℃，更優(yōu)選至少400℃，在一些情況下至少500℃的溫度下進(jìn)行蒸汽處理1至20小時(shí)，優(yōu)選2至10小時(shí)的時(shí)間段。任選地，經(jīng)汽蒸的沸石然后用酸，優(yōu)選有機(jī)酸如羧酸的水溶液進(jìn)行處理。草酸是優(yōu)選的酸。任選地，將經(jīng)汽蒸的沸石在至少50℃，優(yōu)選至少60℃的溫度下用酸的水溶液處理至少1小時(shí)，優(yōu)選至少4小時(shí)，例如5至20小時(shí)的時(shí)間段。優(yōu)選地，后處理的絲光沸石具有含以下摩爾關(guān)系的化學(xué)組成：nsio2：al2o3其中n為至少50，更優(yōu)選為至少70，和在一些情況下為至少100。本發(fā)明的絲光沸石可以直接用作催化劑，或者供選擇地可以與一種或多種其它組分如粘合劑配混。絲光沸石可用作吸附劑或催化劑以催化各種包括許多現(xiàn)有的商業(yè)/工業(yè)價(jià)值的有機(jī)化合物轉(zhuǎn)化方法。烴進(jìn)料的轉(zhuǎn)化可以任何方便的方式進(jìn)行，例如在流化床，移動(dòng)床或固定床反應(yīng)器中進(jìn)行，這取決于期望的方法類型。當(dāng)用作有機(jī)化合物轉(zhuǎn)化方法中的吸附劑或催化劑時(shí)，本發(fā)明的絲光沸石應(yīng)至少部分脫水。這可以通過以下進(jìn)行：在諸如空氣，氮?dú)獾鹊臍夥罩性诖髿鈮?，低于大氣壓或超大氣壓下加熱至約100℃至約500℃，例如約200℃至約370℃的溫度，持續(xù)30分鐘至48小時(shí)。脫水也可以在室溫下僅僅通過將絲光沸石置于真空中進(jìn)行，但需要更長(zhǎng)的時(shí)間來獲得足夠的脫水量。本發(fā)明的絲光沸石可以通過與其它材料(例如向成品催化劑提供額外的硬度或催化活性的加氫組分，粘合劑和/或基質(zhì)材料)組合而配制成催化劑組合物。這些其它材料可以是惰性或催化活性材料。本文所述的絲光沸石可以與加氫組分如鎢，釩，鉬，錸，鎳，鈷，鉻，錳或貴金屬如鉑或鈀緊密結(jié)合，其中將實(shí)現(xiàn)加氫-脫氫功能。這樣的組分可以通過共結(jié)晶引入到組合物中，交換到組合物中使得第iiia族元素例如鋁在結(jié)構(gòu)中，浸漬在其中或與其緊密地物理混合。這樣的組分可以通過(例如在鉑的情況下)用含有含鉑金屬的離子的溶液處理絲光沸石而浸漬在絲光沸石中或其上。因此，用于該目的的合適的鉑化合物包括氯鉑酸，二氯化鉑和含有鉑胺絡(luò)合物的各種化合物。也可以使用金屬和其引入方法的組合。如在許多催化劑的情況下，將本發(fā)明的絲光沸石與另一種耐受有機(jī)轉(zhuǎn)化方法中使用的溫度和其它條件的材料合并可以是期望的。這樣的材料包括活性和非活性材料以及合成或天然存在的沸石以及無機(jī)材料如粘土，二氧化硅和/或金屬氧化物如氧化鋁。后者可以是天然存在的，或者是包含二氧化硅和金屬氧化物的混合物的凝膠狀沉淀物或凝膠的形式。與絲光沸石結(jié)合(即與其組合或在絲光沸石合成期間存在)的材料(其本身具有催化活性)的使用傾向于改變催化劑在某些有機(jī)轉(zhuǎn)化方法中的轉(zhuǎn)化率和/或選擇性。非活性材料適合用作稀釋劑以控制在給定的方法中的轉(zhuǎn)化量，使得可以以經(jīng)濟(jì)和有序的方式獲得產(chǎn)物，而不用其它手段來控制反應(yīng)速率。這些材料可以摻入天然存在的粘土中，例如蒙脫土，膨潤(rùn)土，亞膨潤(rùn)土和高嶺土，例如通常稱為dixie，mcnamee，georgia和florida粘土的高嶺土或其中主要礦物成分是多水高嶺土，高嶺石，珍珠石或富硅高嶺土的其它物質(zhì)，以提高催化劑在工業(yè)操作條件下的壓碎強(qiáng)度。這樣的粘土可以以最初開采的原始狀態(tài)或在進(jìn)行煅燒、酸處理或化學(xué)改性后使用。這些粘合劑材料耐受溫度和其它條件，例如機(jī)械磨損，其發(fā)生在各種烴轉(zhuǎn)化方法中。因此，本發(fā)明的或通過本發(fā)明的方法制備的絲光沸石可以以含粘合劑的擠出物的形式使用。它們通常通過形成丸，球或擠出物來結(jié)合。擠出物通常通過擠出分子篩(任選地在粘合劑的存在下)并干燥和煅燒所得的擠出物形成。與本發(fā)明的或通過本發(fā)明的方法制備的絲光沸石結(jié)合(即與其組合或在沸石合成期間存在)的材料的使用傾向于改變催化劑在某些有機(jī)轉(zhuǎn)化方法中的轉(zhuǎn)化率和/或選擇性。非活性材料適合用作稀釋劑以控制在給定的方法中的轉(zhuǎn)化量，使得可以以經(jīng)濟(jì)和有序的方式獲得產(chǎn)物，而不用其它手段來控制反應(yīng)速率。這些材料可以摻入天然存在的粘土中，例如膨潤(rùn)土和高嶺土，以提高催化劑在工業(yè)操作條件下的壓碎強(qiáng)度。除了上述材料之外，本發(fā)明的絲光沸石可以與多孔基質(zhì)材料如二氧化硅-氧化鋁，二氧化硅-氧化鎂，二氧化硅-氧化鋯，二氧化硅-氧化釷，二氧化硅-氧化鈹，二氧化硅-二氧化鈦以及三元組合物如二氧化硅-氧化鋁-氧化釷，二氧化硅-氧化鋁-氧化鋯，二氧化硅-氧化鋁-氧化鎂和二氧化硅-氧化鎂-氧化鋯復(fù)合。絲光沸石和無機(jī)氧化物基質(zhì)的相對(duì)比例可以廣泛變化，絲光沸石含量在所述復(fù)合材料的約1-約90重量％的范圍內(nèi)，更通常地，特別是當(dāng)復(fù)合材料以珠?；驍D出物的形式制備時(shí)，在所述復(fù)合材料的約2至約80重量％的范圍內(nèi)。實(shí)施例以下實(shí)施例闡述本發(fā)明。許多改變和變化是可行的，并且應(yīng)當(dāng)理解，在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，本發(fā)明可以以不同于本文具體描述的方式實(shí)施。實(shí)驗(yàn)測(cè)量平均初級(jí)顆粒尺寸和初級(jí)顆粒尺寸分布平均初級(jí)顆粒尺寸和初級(jí)顆粒尺寸分布的測(cè)量如下進(jìn)行。拍攝了沸石樣品的幾個(gè)tem照片；確定和測(cè)量初級(jí)顆粒。對(duì)于長(zhǎng)徑比大于1的每個(gè)初級(jí)顆粒，通過在顆粒的離得最遠(yuǎn)的邊緣處的兩個(gè)點(diǎn)之間繪制直線來確定最長(zhǎng)的尺寸。然后測(cè)量沿著與該最長(zhǎng)尺寸成45°對(duì)角線并穿過該最長(zhǎng)尺寸的中點(diǎn)的初級(jí)顆粒的長(zhǎng)度作為顆粒尺寸。通過分配至覆蓋樣品中發(fā)現(xiàn)的尺寸范圍的約10個(gè)顆粒尺寸范圍之一對(duì)每次測(cè)量進(jìn)行分組。測(cè)量大于300個(gè)初級(jí)顆粒，然后繪制每個(gè)顆粒尺寸范圍內(nèi)的數(shù)量以顯示顆粒尺寸分布，如圖10所示。例如，可以使用以187.5、250、312.5、375、437.5、500、562.5和625埃為中心的尺寸范圍。y軸上的百分比(％)晶體值由以下計(jì)算：每組中的顆粒數(shù)/測(cè)量的總顆粒數(shù)乘以100?；诜纸M結(jié)果以算術(shù)平均值計(jì)算平均顆粒尺寸。通過bet測(cè)量總表面積和中孔表面積在350℃下將煅燒的沸石粉末脫氣4小時(shí)之后，使用micromeriticstristarii3020儀器通過氮吸附/解吸測(cè)量總bet和t-曲線微孔表面積。通過從總bet表面積中減去t曲線微孔獲得中孔表面積。中孔體積來源于相同的數(shù)據(jù)集。關(guān)于該方法的更多信息可以例如在“characterizationofporoussolidsandpowders:surfacearea,poresizeanddensity”，s.lowell等人,springer,2004中找到。x射線衍射圖使用具有多通道檢測(cè)器的brukerd4endeavor衍射系統(tǒng)使用銅k-α輻射收集x射線衍射數(shù)據(jù)(粉末xrd或xrd)。通過2θ為0.018度的掃描模式記錄衍射數(shù)據(jù)，其中θ是布拉格角，并且對(duì)于每步使用約30秒的有效計(jì)數(shù)時(shí)間。測(cè)量在a，b和c向量中的晶體尺寸基于x射線衍射圖中的3個(gè)(200)，(020)和(002)峰，使用scherrer等式(p.scherrer,n.g.w.gottingen,math-pys.,2,第96-100頁(1918))計(jì)算在a，b和c晶體向量中的晶體尺寸。該方法及其在沸石中的應(yīng)用也在描述于a.w.burton,k.ong,t.rea,i.y.chan,microporousandmesoporousmaterials,117,第75-90頁(2009)中。對(duì)于本文所述的測(cè)量，使用materialsdata,inc.的jade版本9.5.1的x射線衍射分析軟件進(jìn)行計(jì)算。α值α值是催化劑的裂化活性的度量，并且描述于美國(guó)專利no.3,354,078和journalofcatalysis,第4卷,第527頁(1965)；第6卷,第278頁(1966)和第61卷,第395頁(1980)中，每個(gè)文獻(xiàn)都通過引用并入本文。本文使用的測(cè)試的實(shí)驗(yàn)條件包括538℃的恒定溫度和可變流速，如在journalofcatalysis,第61卷,第395頁(1980)中所描述的。對(duì)比實(shí)施例1：teabr和0.40的naoh/si比由1,030g的水，67g的teabr(50％溶液)，212g的ultrasil二氧化硅，48.7g的鋁酸鈉溶液(45％)和80g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入10g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.08h2o/sio2-19.78oh-/sio2-0.402na+/sio2-0.402tea/sio2-0.049將該混合物在5加侖高壓釜中在300°f(150℃)下以250rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖1a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem圖1b顯示了大晶?；旌闲螒B(tài)的形態(tài)。合成的晶體首先在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后在室溫下通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥，并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為612m2/g，中孔表面積為13.7m2/g，己烷吸附為63.5mg/g，α值為640。對(duì)比實(shí)施例2：teabr和0.41的naoh/si比，無晶種由1,000g的水，67g的teabr(50％溶液)，212g的ultrasil二氧化硅，48.7g的鋁酸鈉溶液(45％)和81g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.08h2o/sio2-19.28oh-/sio2-0.406na+/sio2-0.406tea/sio2-0.049將該混合物在2升高壓釜中在300°f(150℃)下以250rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖譜顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem顯示出各種尺寸晶粒的混合形態(tài)。合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥，并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為550m2/g，中孔表面積為17m2/g，己烷吸附為77mg/g，α值為1100。對(duì)比實(shí)施例3：teabr和0.345的naoh/si比由1,030g的水，67g的teabr(50％溶液)，212g的ultrasil二氧化硅，48.7g的鋁酸鈉溶液(45％)和65g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入10g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.08h2o/sio2-19.62oh-/sio2-0.345na+/sio2-0.345tea/sio2-0.049將該混合物在2升高壓釜中在300°f(150℃)下以250rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖2a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem，圖2b顯示了各種尺寸晶粒的混合形態(tài)。合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥，并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為609m2/g，中孔表面積為30m2/g，己烷吸附為64.3mg/g，α值為550。naoh/sio2比降低到0.345導(dǎo)致更小的晶體和增加的中孔表面積。實(shí)施例4：使用teabr作為sda以0.29的naoh/si合成中孔絲光沸石晶體由1,030g的水，67g的teabr(50％溶液)，212g的ultrasil二氧化硅，48.7g的鋁酸鈉溶液(45％)和51g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入10g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.08h2o/sio2-19.48oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291tea/sio2-0.049將該混合物在2升高壓釜中在300°f(150℃)下以250rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖3a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem，圖3b顯示了由比之前實(shí)施例更小且更均勻的晶粒形態(tài)構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。基于sem，初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥，并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為20.1，總表面積為618m2/g，中孔表面積為41m2/g，中孔體積為0.135ml/g，己烷吸附為57.9mg/g，α值為960。所得的中孔表面積遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于那些之前的實(shí)施例；晶體尺寸也更小，顆粒尺寸分布更均勻。后處理：汽蒸和草酸洗滌h形式晶體將氫形式晶體在650℃下汽蒸4小時(shí)，然后在70℃下進(jìn)行草酸洗滌約12小時(shí)。所得后處理的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為306/1，總表面積為591m2/g，中孔表面積為54m2/g，中孔體積為0.19cc/g，己烷吸附為52.9mg/g，α值為48。后處理的晶體的xrd顯示出具有良好結(jié)晶度的絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。實(shí)施例5：使用teabr作為sda以0.29的naoh/si較大規(guī)模地合成中孔絲光沸石晶體由10,300g的水，670g的teabr(50％溶液)，2,120g的ultrasil二氧化硅，487g的鋁酸鈉溶液(45％)和510g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入20g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.08h2o/sio2-19.48oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291tea/sio2-0.049將該混合物在5加侖高壓釜中在300°f(150℃)下以250rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖4a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem，圖4b顯示了由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)?；趕em，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥，并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為624m2/g，中孔表面積為44m2/g，己烷吸附為61.8mg/g，α值為780。實(shí)施例6：使用teabr作為sda在較高固體和較低的反應(yīng)溫度下合成中孔絲光沸石晶體由9,300g的水，804g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，584g的鋁酸鈉溶液(45％)和612g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.10h2o/sio2-15.11oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291tea/sio2-0.049將該混合物在5升高壓釜中在290°f(145℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖5a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem(圖5b)和tem(圖5c)顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。如上所述，拍攝該實(shí)施例的幾張tem照片，并用于測(cè)量初級(jí)顆粒尺寸和顆粒尺寸分布，結(jié)果示于圖10中。將合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化成氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為637m2/g，中孔表面積為56m2/g，己烷吸附為53.3mg/g，α值為1200。實(shí)施例7：使用teabr作為sda合成中孔絲光沸石晶體并作為2步反應(yīng)進(jìn)行由9,300g的水，804g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，584g的鋁酸鈉溶液(45％)和612g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.10h2o/sio2-15.11oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291tea/sio2-0.049將該混合物在5加侖高壓釜中以350prm攪拌在250°f(120℃)下反應(yīng)36小時(shí)，然后升至290°f(143℃)反應(yīng)另外36小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖6a顯示了的絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem(圖6b)和tem(圖6c)顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。如上所述，拍攝該實(shí)施例的幾張tem照片，并用于測(cè)量初級(jí)顆粒尺寸和顆粒尺寸分布，結(jié)果示于圖10中。通過x射線衍射測(cè)量，在a，b和c晶體向量中的平均初級(jí)晶體尺寸為55nm(200峰)，54nm(020峰)和40nm(002峰)。將合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化成氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為639m2/g，中孔表面積為58.5m2/g，己烷吸附為54.9mg/g，α值為900。兩步溫度曲線導(dǎo)致更小的晶體。實(shí)施例8：使用teabr作為sda合成中孔絲光沸石；另一個(gè)作為兩步反應(yīng)進(jìn)行的實(shí)施例由9,300g的水，804g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，584g的鋁酸鈉溶液(45％)和612g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.10h2o/sio2-15.11oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291tea/sio2-0.049將該混合物在5升高壓釜中以350rpm攪拌(72小時(shí))在240°f(115℃)下反應(yīng)48小時(shí)，然后將溫度升至280°f(138℃)反應(yīng)另外48小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。基于sem，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。通過以下將合成的晶體轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫和60℃下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換而沒有在高溫下預(yù)煅燒，然后在250°f(120℃)干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。對(duì)于在室溫下的交換樣品，所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為574m2/g，中孔表面積為61m2/g，己烷吸附為59.3mg/g，α值為780，對(duì)于在60℃下的交換樣品，所得的絲光沸石晶體的表面積為621m2/g，中孔表面積62m2/g，己烷吸附為68mg/g和α值為1300。該實(shí)施例表明，小的中孔絲光沸石晶體可以進(jìn)行離子交換而無需在高溫下預(yù)煅燒以除去或分解sda。實(shí)施例9：使用teabr作為sda以0.1的較高tea/si比合成中孔絲光沸石晶體由9,300g的水，1,608g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，584g的鋁酸鈉溶液(45％)和612g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.10h2o/sio2-15.69oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291tea/sio2-0.098將該混合物在5加侖高壓釜中在290°f(150℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)?；趕em，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。合成的晶體在1000°f下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為610m2/g，中孔表面積為44m2/g，己烷吸附為58.6mg/g，α值為1300。實(shí)施例10：使用teabr作為sda以0.03的較低tea/si比合成中孔絲光沸石晶體由9,300g的水，515g的teabr(50％溶液)，2,798g的ultrasil二氧化硅，702g的鋁酸鈉溶液(43％)和583g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-23.93h2o/sio2-13.64oh-/sio2-0.273na+/sio2-0.273tea/sio2-0.029將混合物在5加侖高壓釜中在290°f(150℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖7a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem，圖7b顯示了由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的團(tuán)聚體的形態(tài)?；趕em，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。將合成的晶體在1000°f下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化成氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為609m2/g，中孔表面積為48.4m2/g，己烷吸附為52.3mg/g，α值為750。實(shí)施例11：使用teabr作為sda以0.01的較低tea/si比合成絲光沸石晶體由9,940g的水，189g的teabr(50％溶液)，2968g的ultrasil二氧化硅，682g的鋁酸鈉溶液(45％)和714g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入20g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.08h2o/sio2-13.54oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291tea/sio2-0.010將該混合物在5加侖高壓釜中在290°f(150℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)?；趕em，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。從5加侖反應(yīng)產(chǎn)生了更均勻的晶體尺寸和形態(tài)。合成的晶體在1000°f下氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥并在1000°f(540℃下)煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為530m2/g，中孔表面積為47m2/g，己烷吸附為48.3mg/g，α值為650。實(shí)施例12：使用teabr作為sda以23.50的較低si:a12o3比合成絲光沸石晶體由9,350g的水，820g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，650g的鋁酸鈉溶液(45％)和590g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-23.50h2o/sio2-15.23oh-/sio2-0.294na+/sio2-0.294tea/sio2-0.050將該混合物在5加侖高壓釜中在290°f(150℃)下以250rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖8a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem(圖8b)和tem(圖8c)顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。如上所述，拍攝了該實(shí)施例的幾張tem照片，并用于測(cè)量初級(jí)顆粒尺寸和顆粒尺寸分布，結(jié)果示于圖10中。通過x射線衍射測(cè)量，在a，b和c晶體向量中的平均初級(jí)晶體尺寸為44nm(200峰)，51nm(020峰)和56nm(002峰)。將合成的晶體在1000°f下氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為621m2/g，中孔表面積為51m2/g，己烷吸附量為57mg/g，α值為1000。實(shí)施例13：使用teabr作為sda以33.65的較高si:a12o3比合成絲光沸石晶體由9,300g的水，804g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，450g的鋁酸鈉溶液(45％)和612g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-33.65h2o/sio2-15.01oh-/sio2-0.269na+/sio2-0.269tea/sio2-0.049將該混合物在5加侖的高壓釜中在290°f(150℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。基于sem，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。合成的晶體在1000°f下氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)下干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為637m2/g，中孔表面積為50.5m2/g，己烷吸附為56.7mg/g，α值為1200。實(shí)施例14：使用氯化甲基三乙基銨(mteac1)作為sda合成絲光沸石晶體由9,680g的水，670g的氯化甲基三乙基銨(97％溶液)，2750g的ultrasil二氧化硅，583g的鋁酸鈉溶液(45％)和649g的50％氫氧化鈉制備混合物。然后向該混合物中加入30g的絲光沸石晶種。該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.21h2o/sio2-14.02oh-/sio2-0.280na+/sio2-0.280mtea/sio2-0.050將該混合物在5加侖高壓釜中在290°f(150℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖9a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型純相。合成的材料的sem，圖9b顯示出由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。基于sem，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。合成晶體未經(jīng)預(yù)煅燒通過以下轉(zhuǎn)化成氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，在250°f(120℃)下干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為640m2/g，中孔表面積為54m2/g，己烷吸附為57.5mg/g，α值為1100。該實(shí)施例表明可以使用mtea作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑制備小的中孔絲光沸石晶體，并且可以將這些晶體進(jìn)行離子交換而無需在高溫下進(jìn)行預(yù)煅燒。實(shí)施例15：使用teabr作為sda和的zsm-5作為晶種合成絲光沸石晶體由9,300g的水，804g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，584g的鋁酸鈉溶液(45％)和612g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入26g的zsm-5晶種該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.10h2o/sio2-15.11oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291mtea/sio2-0.049將該混合物在5升高壓釜中在280℃(137.8℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖11a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型相。合成的材料的sem(圖11b)顯示了由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)?；趕em，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化為氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為602m2/g，中孔表面積為50m2/g，己烷吸附量為59.4mg/g，α值為1300。實(shí)施例16：使用teabr作為sda和的zsm-5作為晶種合成絲光沸石晶體由9,300g的水，804g的teabr(50％溶液)，2,544g的ultrasil二氧化硅，584g的鋁酸鈉溶液(45％)和612g的50％氫氧化鈉溶液制備混合物。然后向該混合物中加入130g的zsm-5晶種該混合物具有以下摩爾組成：sio2/al2o3-26.10h2o/sio2-15.0oh-/sio2-0.291na+/sio2-0.291mtea/sio2-0.049將該混合物在5加侖高壓釜中在280°f(137.8℃)下以350rpm攪拌反應(yīng)72小時(shí)。將產(chǎn)物過濾，用去離子(di)水洗滌并在250°f(120℃)下干燥。合成的材料的xrd圖，圖12a顯示了絲光沸石拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的典型相。合成材料的sem，圖12b顯示了由小晶粒構(gòu)成的不規(guī)則形狀的聚集體的形態(tài)。基于sem，平均初級(jí)晶粒尺寸小于80nm。將合成的晶體在1000°f(540℃)下在氮?dú)庵蓄A(yù)煅燒，然后通過以下轉(zhuǎn)化成氫形式：在室溫下與硝酸銨溶液進(jìn)行三次離子交換，然后在250°f(120℃)干燥并在1000°f(540℃)下煅燒6小時(shí)。所得的絲光沸石晶體的sio2/al2o3摩爾比為表面積為594m2/g，中孔表面積為46m2/g，己烷吸附為63.8mg/g，α值為1500。應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員隨后可以做出各種本文中目前未預(yù)見到的或未預(yù)期的替代方案，修改，變體或改進(jìn)，并且所述各種本文中目前未預(yù)見到的或未預(yù)期的替代方案，修改，變體或改進(jìn)還意在被所附權(quán)利要求書所涵蓋。上述出版物的公開內(nèi)容在此通過引用以其全部并入本文。上述出版物的適當(dāng)組分和方面也可以選擇用于本發(fā)明的材料及其實(shí)施方案的方法中。當(dāng)前第1頁12