本發(fā)明屬于石墨烯領(lǐng)域,具體而言涉及一種規(guī)?;D(zhuǎn)移石墨烯的方法,該方法可連續(xù)化工業(yè)化且潔凈無損地轉(zhuǎn)移石墨烯。
背景技術(shù):
石墨烯(Graphene)是由碳原子構(gòu)成的只有一層原子厚度的二維晶體。2004年,英國(guó)曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫,成功從石墨中分離出石墨烯,證實(shí)它可以單獨(dú)存在,兩人也因此共同獲得2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。2015年石墨烯發(fā)現(xiàn)之前,石墨烯既是最薄的材料,也是最強(qiáng)韌的材料,斷裂強(qiáng)度比最好的鋼材還要高200倍。同時(shí)它又有很好的彈性,拉伸幅度能達(dá)到自身尺寸的20%。它是目前自然界最薄、強(qiáng)度最高的材料,如果用一塊面積1平方米的石墨烯做成吊床,本身重量不足1毫克便可以承受一只一千克的貓。
石墨烯的制備方法主要有機(jī)械剝離、化學(xué)剝離、還原石墨烯氧化物、外延生長(zhǎng)、在金屬上面CVD化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)等方法,其中化學(xué)氣相沉積法(CVD)是制備大面積石墨烯透明導(dǎo)電薄膜等的主要方法,目前,在銅箔上面生長(zhǎng)石墨烯是被認(rèn)為最有潛力大規(guī)模生產(chǎn)石墨烯透明導(dǎo)電薄膜的方法。
化學(xué)氣相沉積法的石墨烯轉(zhuǎn)移是一個(gè)關(guān)系到最終性能的重要步驟,目前存在的轉(zhuǎn)移方法主要有PMMA轉(zhuǎn)移、熱釋放膠帶轉(zhuǎn)移、膠體貼合直接轉(zhuǎn)移等方法在規(guī)?;I(yè)化生產(chǎn)過程中都會(huì)出現(xiàn)許多問題,如刻蝕銅箔造成成本上升,比如無法規(guī)?;詣?dòng)化轉(zhuǎn)移,采用膠體貼合直接轉(zhuǎn)移的方法轉(zhuǎn)移的樣品,會(huì)將銅箔表面的形貌完全復(fù)制,從而造成很大的霧度,從而降低了透明導(dǎo)電薄膜的透光率,另外膠體本身也會(huì)造成一定的透光率損失。
傳統(tǒng)的石墨烯轉(zhuǎn)移方法中,第一種是采用PMMA轉(zhuǎn)移法,即采用PMMA旋涂于石墨烯/銅箔表面成膜,然后去除銅箔,清洗、烘干后轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基體(一般為PET、PEN、玻璃等)的方法,這種方法能將石墨烯很完整地轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基體,方塊電阻小,缺陷小,另外,PMMA易于清洗,可以得到較干凈的石墨烯界面。缺點(diǎn)是此種方法不太適合大規(guī)模生產(chǎn),特別是清洗和轉(zhuǎn)移至目標(biāo)基體的過程,需要耗費(fèi)大量的人力。
第二種方法時(shí)熱釋放膠帶轉(zhuǎn)移方法或者類似于熱釋放膠帶的低粘附力膠帶轉(zhuǎn)移方法,其一般過程為,將石墨烯/銅箔與膠帶壓合,然后去除銅箔,清洗,烘干,將膠帶/石墨烯層壓合于目標(biāo)基底上,再通過加熱、加壓、去靜電等方法將膠帶的粘附力消除,然后撕去膠帶。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是方便快捷,可以輕易的大規(guī)模生產(chǎn),而缺點(diǎn)是轉(zhuǎn)移的石墨烯質(zhì)量較差,電阻較大,完整性差,這主要是因?yàn)殂~箔表面的粗糙度較大,坑洼不平,膠帶與石墨烯/銅箔壓合時(shí)有許多地方膠帶未能很好的粘合,導(dǎo)致轉(zhuǎn)移的石墨烯出現(xiàn)很多撕裂。
第三種方案是采用膠黏劑直接轉(zhuǎn)移,其過程為,在銅箔/石墨烯基體上面涂覆一層透明膠黏劑如光固膠、熱固膠、熱熔膠等再直接貼合目標(biāo)基體,形成銅箔/石墨烯/透明膠黏劑/目標(biāo)基體的結(jié)構(gòu),然后去除銅箔,就得到了目標(biāo)基體/透明膠黏劑/石墨烯的三層結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電薄膜。這種方法優(yōu)點(diǎn)與第二種方法一樣方便快捷,可以輕易的大規(guī)模生產(chǎn)。而缺點(diǎn)是由于制備石墨烯的銅箔粗糙,這種方法轉(zhuǎn)移的石墨烯面完全復(fù)制了銅箔表面的形貌,導(dǎo)致其霧度較大,另外透明膠黏劑本身還會(huì)有一定的透光率損失,所以使得其透光率較差。
因此,石墨烯的大面積工業(yè)化連續(xù)化轉(zhuǎn)移既需要方便快捷的轉(zhuǎn)移方式,又需要有低電阻、高透光率、低霧度的性能,但目前的方案均存在一定的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題,提供一種規(guī)?;D(zhuǎn)移石墨烯的方法,本發(fā)明能夠潔凈無損地轉(zhuǎn)移石墨烯,在轉(zhuǎn)移過程中不會(huì)對(duì)石墨烯造成損傷,能使得到的石墨烯的性能更高、質(zhì)量更高。并且,可全程實(shí)現(xiàn)卷對(duì)卷連續(xù)化生產(chǎn),具有工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)的能力,方便快捷,操作性強(qiáng),在生產(chǎn)過程中可大幅度的提高效率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種規(guī)?;D(zhuǎn)移石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將帶有防粘層的粘性可溶解膜貼合到銅箔的石墨烯上,得到銅箔/石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層的結(jié)構(gòu);
(2)分離銅箔,得到石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層的結(jié)構(gòu);
(3)將石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層與目標(biāo)基底貼合,得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層的結(jié)構(gòu);
(4)揭下防粘層,得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜的結(jié)構(gòu);
(5)溶解粘性可溶解膜,得到附著于目標(biāo)基底上的石墨烯,完成轉(zhuǎn)移。
所述粘性可溶解膜為熱釋膠、光敏膠、熱熔膠、壓敏膠或反應(yīng)膠。
所述步驟(1)中的粘性可溶解膜通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式貼合在石墨烯上,貼合溫度為100—120℃。
所述步驟(3)中石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式與目標(biāo)基底貼合,貼合溫度為100—120℃。
所述防粘層為離型膜或保護(hù)膜,其剝離力小于5g/cm2。
所述步驟(5)中使用溶劑以清洗的方式溶解粘性可溶解膜,溶解時(shí)需加熱溶劑至40—60℃。
采用本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
一、本發(fā)明中,由于粘性可溶解膜具有很好的柔性或者是高溫下具有流動(dòng)性,因此,能夠很好地與石墨烯貼合,特別是銅箔的晶界、銅箔表面重構(gòu)形成的溝道等細(xì)微結(jié)構(gòu)都能很好的填充進(jìn)膠膜,使得石墨烯與膠膜無縫貼合,最終能夠潔凈無損地轉(zhuǎn)移石墨烯,在轉(zhuǎn)移過程中不會(huì)對(duì)石墨烯造成損傷,能使得到的石墨烯的結(jié)構(gòu)完整、性能更高、質(zhì)量更高。本發(fā)明轉(zhuǎn)移時(shí)能夠完全溶解掉粘性可溶解膜,使得石墨烯表面更加潔凈,這使得石墨烯在電子器件中有更廣泛的應(yīng)用潛力,并且透光率更高。另外,與現(xiàn)有技術(shù)相比,經(jīng)本發(fā)明轉(zhuǎn)移后的石墨烯具有低電阻和低透光率的性能,其方塊電阻可低至450Ω/□,其透光率可低至97.5%。
二、本發(fā)明中,在粘性可溶解膜上設(shè)置防粘層,能夠起到防止粘性可溶解膜與貼合設(shè)置粘接在一起的功能和支撐作用,揭下防粘層的過程中,也不會(huì)對(duì)石墨烯造成損傷,出現(xiàn)裂紋,使得石墨烯的性能更高。
三、本發(fā)明中,帶防粘層的可溶解膠膜可以制備成片材也可以為卷材,因此可以全程實(shí)現(xiàn)卷對(duì)卷連續(xù)化生產(chǎn),具有工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)的能力,方便快捷,操作性強(qiáng),在生產(chǎn)過程中可大幅度的提高效率。轉(zhuǎn)移的石墨烯結(jié)構(gòu)完整,性能優(yōu)良。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
一種規(guī)?;D(zhuǎn)移石墨烯的方法,包括以下步驟:
(1)將帶有防粘層的粘性可溶解膜通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式貼合到銅箔的石墨烯上,貼合溫度為100—120℃,貼合后得到銅箔/石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層的結(jié)構(gòu)。其中,所述防粘層為離型膜或保護(hù)膜,其剝離力小于5g/cm2。
本步驟中,所述粘性可溶解膜包括但不限于熱釋膠、光敏膠、熱熔膠、壓敏膠或反應(yīng)膠等。所述可溶解性粘性薄膜必須具備足夠柔性或高溫下具有足夠流動(dòng)性。
(2)使用現(xiàn)有技術(shù)中的刻蝕、電化學(xué)刻蝕、電解鼓泡剝離、超聲剝離或熱水剝離等方法分離銅箔,分離銅箔后進(jìn)行清洗,得到石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層的結(jié)構(gòu)。
(3)通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式將石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層與目標(biāo)基底貼合,貼合溫度為100—120℃,貼合后得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜/防粘層的結(jié)構(gòu)。其中,所述目標(biāo)基體為PET。
(4)揭下防粘層,得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜的結(jié)構(gòu)。
(5)使用溶劑溶解粘性可溶解膜,得到附著于目標(biāo)基底上的石墨烯,完成轉(zhuǎn)移。其中,溶劑的具體種類根據(jù)粘性可溶解膜的性質(zhì)決定,具體溶解方式為使用溶劑以清洗的方式溶解粘性可溶解膜,溶解時(shí)需加熱溶劑至40—60℃。
實(shí)施例2
一種規(guī)模化轉(zhuǎn)移石墨烯的方法,包括以下步驟:
(1)將帶有離型膜的熱熔膠膜TPU通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式貼合到銅箔的石墨烯上,熱熔膠TPU的厚度為15μm,貼合溫度為100℃,壓力0.1MPa/cm2,離型膜的剝離力小于5g/cm2,貼合后得到銅箔/石墨烯/粘性可溶解膜/離型膜的結(jié)構(gòu)。
(2)使用電解鼓泡剝離的方法分離銅箔,電解鼓泡剝離的條件為:在0.4M的NaOH溶液中,陽極為鉑,陰極為銅箔,鼓泡電壓2A,分離銅箔后進(jìn)行清洗,得到石墨烯/粘性可溶解膜/離型膜的結(jié)構(gòu)。
(3)通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式將石墨烯/粘性可溶解膜/離型膜與目標(biāo)基底貼合,貼合溫度為100℃,貼合后得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜/離型膜的結(jié)構(gòu)。
(4)揭下離型膜,得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜的結(jié)構(gòu)。
(5)使用四氫呋喃溶液清洗粘性可溶解膜,清洗溫度為40℃,時(shí)間30min,清洗完成后,得到附著于目標(biāo)基底上的石墨烯,完成轉(zhuǎn)移。
本實(shí)施例中,采用CVD方法生長(zhǎng)石墨烯,銅箔寬度為500mm,TPU膠膜的寬度也為500mm,然后利用熱壓覆膜,覆膜速度為10cm/s,能夠?qū)崿F(xiàn)180㎡/h的生產(chǎn)效率,輕松實(shí)現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn)。
本實(shí)施例中,采用四探針電阻測(cè)試儀和透光率測(cè)試儀對(duì)得到的石墨烯進(jìn)行測(cè)試,測(cè)得石墨烯的方塊電阻為450Ω/□,透光率為97.5%。
實(shí)施例3
一種規(guī)模化轉(zhuǎn)移石墨烯的方法,包括以下步驟:
(1)將帶有保護(hù)膜的熱熔膠膜EVA通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式貼合到銅箔的石墨烯上,熱熔膠膜EVA的厚度為15μm,貼合溫度為120℃,壓力0.1MPa/cm2,保護(hù)膜的剝離力小于5g/cm2,貼合后得到銅箔/石墨烯/粘性可溶解膜/保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)。
(2)使用電解鼓泡剝離的方法分離銅箔,電解鼓泡剝離的條件為:在0.4M的NaOH溶液中,陽極為鉑,陰極為銅箔,鼓泡電壓2A,分離銅箔后進(jìn)行清洗,得到石墨烯/粘性可溶解膜/保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)。
(3)通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式將石墨烯/粘性可溶解膜/保護(hù)膜與目標(biāo)基底貼合,貼合溫度為120℃,貼合后得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜/保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)。
(4)揭下保護(hù)膜,得到目標(biāo)基底/石墨烯/粘性可溶解膜的結(jié)構(gòu)。
(5)使用丙酮溶液清洗粘性可溶解膜,清洗溫度為60℃,時(shí)間30min,清洗完成后,得到附著于目標(biāo)基底上的石墨烯,完成轉(zhuǎn)移。。
本實(shí)施例中,采用四探針電阻測(cè)試儀和透光率測(cè)試儀對(duì)得到的石墨烯進(jìn)行測(cè)試,測(cè)得石墨烯的方塊電阻為480Ω/□,透光率為97.5%。
實(shí)施例4
一種規(guī)?;D(zhuǎn)移石墨烯的方法,包括以下步驟:
(1)將帶有離型膜的石蠟薄膜,通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式貼合到銅箔的石墨烯上,石蠟薄膜的厚度為500nm,貼合溫度為110℃,壓力0.1MPa/cm2,離型膜的剝離力小于5g/cm2,貼合后得到銅箔/石墨烯/石蠟薄膜/離型膜的結(jié)構(gòu)。(2)使用電解鼓泡剝離的方法分離銅箔,電解鼓泡剝離的條件為:在0.4M的NaOH溶液中,陽極為鉑,陰極為銅箔,鼓泡電壓2A,分離銅箔后進(jìn)行清洗,得到石墨烯/石蠟薄膜/離型膜的結(jié)構(gòu)。
(3)通過加壓、熱壓或真空熱壓的方式將石墨烯/石蠟薄膜/離型膜與目標(biāo)基底貼合,貼合溫度為110℃,貼合后得到目標(biāo)基底/石墨烯/石蠟薄膜/離型膜的結(jié)構(gòu)。
(4)揭下離型膜,得到目標(biāo)基底/石墨烯/石蠟薄膜的結(jié)構(gòu)。
(5)使用二甲苯溶液清洗粘性可溶解膜,清洗溫度為50℃,時(shí)間30min,清洗完成后,得到附著于目標(biāo)基底上的石墨烯,完成轉(zhuǎn)移。
本實(shí)施例中,采用四探針電阻測(cè)試儀和透光率測(cè)試儀對(duì)得到的石墨烯進(jìn)行測(cè)試,測(cè)得石墨烯的方塊電阻為1200Ω/□,透光率為97.5%。