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基于摻雜硫氰根的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的制備方法與流程

文檔序號:12817635閱讀:720來源:國知局
基于摻雜硫氰根的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的制備方法與流程

本發(fā)明涉及一種基于摻雜硫氰根的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的制備方法,屬于新材料制備技術(shù)領(lǐng)域。



背景技術(shù):

隨著新型鈣鈦礦太陽能電池的問世,鈣鈦礦材料越來越受到人們的矚目,近年來純無機(jī)鈣鈦礦納米材料由于更優(yōu)異的穩(wěn)定性而在光電領(lǐng)域嶄露頭角。無機(jī)鈣鈦礦納米材料具有更優(yōu)異的光電性能,較寬的發(fā)光光譜、較高的光電轉(zhuǎn)換效率和載流子遷移率、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),使其在太陽能電池、光電探測器、光學(xué)傳感器、發(fā)光二極管等領(lǐng)域中具有相當(dāng)廣闊的應(yīng)用前景,開發(fā)價(jià)值非常高。

通過離子交換,無機(jī)鈣鈦礦abx3的發(fā)光光譜可以實(shí)現(xiàn)在整個(gè)可見光范圍內(nèi)協(xié)調(diào)(akkerman,q.a.;d'innocenzo,v.;accornero,s.;scarpellini,a.;petrozza,a.;prato,m.;manna,l.,tuningtheopticalpropertiesofcesiumleadhalideperovskitenanocrystalsbyanionexchangereactions.journaloftheamericanchemicalsociety2015,137(32),10276-81.)。目前,調(diào)節(jié)鈣鈦礦納米材料光學(xué)性能的方法主要是通過改變x(cl或br或i或兩兩摻雜)來實(shí)現(xiàn)的。但是,這種調(diào)控方法均是在鹵族元素之間進(jìn)行選擇,用除鹵族元素以外的陰離子替代鹵素來調(diào)控光學(xué)性能的研究尚沒有出現(xiàn)。本發(fā)明就是提供了一種基于硫氰根摻雜的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的合成工藝,能獲得性能穩(wěn)定、形貌尺寸均勻且能對其光學(xué)性能進(jìn)行微小調(diào)控的納米晶。因此,實(shí)現(xiàn)純無機(jī)鈣鈦礦納米晶光學(xué)性能的微小調(diào)控對于構(gòu)筑高性能全溶液的光電器件具有非常深遠(yuǎn)的意義。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

技術(shù)問題:針對現(xiàn)有技術(shù)的問題,提供了一種基于摻雜硫氰根的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的制備方法,制得的所有無機(jī)鈣鈦礦納米晶均為均勻的立方晶型。本發(fā)明中通過改變硫氰根的摻雜量,使鈣鈦礦中立方-八面體構(gòu)型發(fā)生微小的形變,從而實(shí)現(xiàn)光學(xué)性能的微小調(diào)控;另一方面,微量硫氰根的摻雜還能增加納米材料的結(jié)晶度。

技術(shù)方案:為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種基于摻雜硫氰根的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的制備方法,包括以下步驟:

步驟1,將含銫的前驅(qū)鹽溶于十八烯、油酸中,真空干燥后,加熱攪拌使其完全溶解,配成油酸銫前驅(qū)體溶液,此溶液作為儲備液使用;

步驟2,將反應(yīng)物pbbr2、pb(scn)2與十八烯混合形成混合溶液,先將該混合溶液抽真空,后通入惰性氣體,然后再抽真空,循環(huán)操作;最后在真空條件下保溫干燥;

步驟3,通入惰性氣體,將表面活性劑油酸、油胺加入步驟2的混合溶液中,繼續(xù)保溫使反應(yīng)物完全溶解,制得鉛前驅(qū)體溶液;

步驟4,將制得的鉛前驅(qū)體溶液升溫至150℃后,取步驟1中油酸銫前驅(qū)體溶液,快速注入到鉛前驅(qū)體溶液中,生成cspbbr3-x(scn)x;在145℃-155℃下保溫10s-60s,然后冰水浴快速冷卻,即得到cspbbr3-x(scn)x鈣鈦礦納米晶。

其中:

步驟1中,所述的含銫的前驅(qū)鹽為碳酸銫,所述的油酸銫前驅(qū)體的摩爾濃度為0.125mol/l。

步驟1中,所述的真空干燥溫度為110℃-130℃,干燥時(shí)間為1-2h。

步驟1中,所述的加熱溫度為145℃-155℃,加熱時(shí)間是1-2h,攪拌速度為900-1000rpm。

步驟2中,所述的pbbr2、pb(scn)2的總物質(zhì)的量為0.188mmol,pb(scn)2占總物質(zhì)的量的比例為0.1%-6%;攪拌速度為900-1000rpm。

步驟2中,所述的循環(huán)操作次數(shù)為3次,保溫溫度為110℃-130℃,保溫時(shí)間為1-2h。

步驟3中,所述加入的油酸、油胺的體積比為1:1,且均為經(jīng)過60℃真空干燥0.5h后的無水溶劑。

步驟4中,所述的加入的油酸銫前驅(qū)體儲備液須預(yù)先加熱至95℃-105℃;與鉛前驅(qū)體的體積比為1:(12-13)

步驟4中,所述得到的cspbbr3-x(scn)x納米晶須加入體積比為1:(1-2)的叔丁醇作為沉淀劑,再離心分離。

有益效果:本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:1)本發(fā)明合成的無機(jī)鈣鈦礦納米晶單分散性和穩(wěn)定性較好,形貌均一;2)鈣鈦礦合成所需的原材料簡單,制備技術(shù)穩(wěn)定,方法簡單,操作簡便,重復(fù)率高;3)熱注入法能使納米晶的結(jié)晶性更好,光學(xué)性能優(yōu)異。通過改變硫氰根的摻雜量,可以發(fā)出可調(diào)的514nm-496nm的熒光,紫外-可見吸收也發(fā)生相應(yīng)的藍(lán)移,有利于后期的光電器件性能的調(diào)節(jié)。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1-4制得的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的tem圖;

圖2為實(shí)施例1-4制得的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的xrd圖與標(biāo)準(zhǔn)圖譜(jcpds:54-0752)的對比;

圖3為實(shí)施例1-4制得的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的紫外吸收和熒光發(fā)射光譜圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對本發(fā)明作更進(jìn)一步的說明。

本發(fā)明基于摻雜硫氰根的無機(jī)鈣鈦礦納米晶的制備方法,是在惰性氣體保護(hù)的條件下,先將pbbr2和pb(scn)2與反應(yīng)溶劑十八烯,表面活性劑油酸、油胺混合并使其完全溶解,然后將混合溶液加熱至反應(yīng)溫度,隨后快速注入銫前驅(qū)體,體系開始反應(yīng)生成鈣鈦礦結(jié)構(gòu),并隨著反應(yīng)的進(jìn)行,逐漸形成cspbbr3-x(scn)x納米晶,反應(yīng)結(jié)束后將產(chǎn)物冰浴快速冷卻,即得到最終的cspbbr3-x(scn)x無機(jī)鈣鈦礦納米晶。

實(shí)施例1:

步驟1,將2.5mmolcs2co3溶于40ml十八烯、2.5ml油酸中,120℃真空干燥1h后,通入氮?dú)?,升溫?50℃使其完全溶解,形成油酸銫前驅(qū)體溶液,此溶液作為儲備液使用;

步驟2,將0.0690gpbbr2、0gpb(scn)2與十八烯混合,先將混合溶液抽真空,后通入惰性氣體,然后再抽真空,循環(huán)操作3次;最后在真空條件下120℃保溫干燥1h;

步驟3,通入惰性氣體氮?dú)?,將表面活性?.5ml油酸、0.5ml油胺分別加入步驟2的混合溶液中,繼續(xù)保溫使反應(yīng)物完全溶解,制得鉛前驅(qū)體溶液;

步驟4,升溫至150℃后,取步驟1中油酸銫前驅(qū)體溶液0.4ml,快速注入到步驟3的鉛前驅(qū)體溶液中,生成cspbbr3;在150℃下保溫10s-60s,然后冰水浴快速冷卻,即得到cspbbr3鈣鈦礦納米晶。

步驟5,加入叔丁醇作為沉淀劑,經(jīng)7000rpm離心5min,倒去上清液。取沉淀溶解在正己烷中即可得到cspbbr3納米晶分散液。

實(shí)例2:

采用實(shí)施例1相同工藝,區(qū)別在于,將實(shí)施例1的步驟2)中pbbr2、pb(scn)2的質(zhì)量分別改為0.0676g、0.0012g,其他條件保持一致,得到的產(chǎn)物為cspbbr2.94(scn)0.06。

實(shí)例3:

采用實(shí)施例1相同工藝,區(qū)別在于,將實(shí)施例1的步驟2)中pbbr2、pb(scn)2的質(zhì)量分別改為0.0662g、0.0024g,其他條件保持一致,得到的產(chǎn)物為cspbbr2.88(scn)0.12。

實(shí)例4:

采用實(shí)施例1相同工藝,區(qū)別在于,將實(shí)施例1的步驟2)中pbbr2、pb(scn)2的質(zhì)量分別改為0.0649g、0.0036g,其他條件保持一致,得到的產(chǎn)物為cspbbr2.82(scn)0.18。

通過調(diào)節(jié)硫氰根摻雜量可以獲得形貌均一、分散性好、穩(wěn)定性高的鈣鈦礦納米晶,隨著摻雜量的增多,從圖1、2可以看出,其形貌、尺寸和晶格結(jié)構(gòu)基本不變,保持原有無機(jī)鈣鈦礦良好的立方-八面體結(jié)構(gòu)。對比圖3中紫外-吸收和熒光發(fā)射圖譜,發(fā)現(xiàn)隨著摻雜量的增加,吸收以及發(fā)射圖譜均發(fā)生一定的藍(lán)移,其熒光發(fā)射峰分別為514nm,508nm,506nm,496nm。

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