技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種高光輸出硅酸鉍閃爍晶體，在硅酸鉍晶體中摻有Ta5+，Ta5+以Ta2O5的形式摻入，摻雜量為0.2～4mol%/mol。本發(fā)明還提供了上述高光輸出硅酸鉍閃爍晶體的制備方法，通過(guò)固相燒結(jié)法合成摻雜硅酸鉍多晶粉料，將合成的摻雜硅酸鉍多晶料壓成致密圓柱狀料塊；將籽晶固定在坩堝底部的種井部位，然后將多晶料塊裝入坩堝并封好，置于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)并控制溫度在1050?1200℃，晶體生長(zhǎng)速度為0.2?0.6mm/h。由于Ta5+的摻入，使所得BSO晶體光輸出大幅提高。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了高光輸出以及高質(zhì)量硅酸鉍單晶的生長(zhǎng)，同時(shí)工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，可同時(shí)生長(zhǎng)多根晶體，極大提高了硅酸鉍閃爍晶體的生長(zhǎng)效率及應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：徐家躍;馮海威;田甜;申慧;儲(chǔ)耀卿;李旭祥;王洪超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.28
技術(shù)公布日：2017.07.14