1.一種用于鈣鈦礦晶體的結(jié)晶生長板，其特征在于，包括：
本體，包括用于晶體生長的第一面以及與所述第一面相對的第二面；
高表面能結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述本體的第一面；
以及低表面能結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述本體的第二面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長板，其特征在于，所述高表面能結(jié)構(gòu)為附于所述本體上的親水材料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)晶生長板，其特征在于，所述親水材料層中的親水材料選自聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、和聚丙烯酸中的一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長板，其特征在于，所述低表面能結(jié)構(gòu)為附于所述本體上的疏水材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的結(jié)晶生長板，其特征在于，所述疏水材料層中的疏水材料選自聚丙烯、聚偏氟二烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、和氟代聚硅氧烷中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長板，其特征在于，所述本體呈網(wǎng)篩狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)晶生長板，其特征在于，所述本體的孔徑為50～100目。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長板，其特征在于，所述本體的材質(zhì)為不銹鋼、鋁合金、或鋼化玻璃。
9.一種鈣鈦礦晶體結(jié)晶釜，其特征在于，包括：
釜體；
加熱機構(gòu)，至少位于所述釜體的底部；
以及結(jié)晶生長板，設(shè)置于所述釜體內(nèi)；
所述結(jié)晶生長板為權(quán)利要求1-8任一項所述的結(jié)晶生長板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鈣鈦礦晶體結(jié)晶釜，其特征在于，所述鈣鈦礦晶體結(jié)晶釜還包括用于升降所述結(jié)晶生長板的升降機構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鈣鈦礦晶體結(jié)晶釜，其特征在于，所述加熱機構(gòu)為電加熱機構(gòu)或循環(huán)油浴加熱機構(gòu)。
12.一種鈣鈦礦晶體的結(jié)晶裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9-11任一項所述的鈣鈦礦晶體結(jié)晶釜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的鈣鈦礦晶體的結(jié)晶裝置，其特征在于，所述鈣鈦礦晶體的結(jié)晶裝置還包括溶劑冷凝回收單元，所述溶劑冷凝回收單元設(shè)置于所述鈣鈦礦晶體結(jié)晶釜的上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的鈣鈦礦晶體的結(jié)晶裝置，其特征在于，所述鈣鈦礦晶體的結(jié)晶裝置還包括用于對補液預(yù)加熱的預(yù)加熱單元，所述預(yù)加熱單元設(shè)置于所述鈣鈦礦晶體結(jié)晶釜的側(cè)面。