技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種高質(zhì)量低電阻率p型SiC單晶的制備方法。該方法包括：在生長(zhǎng)坩堝內(nèi)提供SiC源材料和B摻雜劑、Al摻雜劑以及SiC籽晶；將Al摻雜劑盛于中心小坩堝內(nèi)；將B摻雜劑分別盛于若干小坩堝內(nèi)，對(duì)稱放置于所述中心小坩堝兩側(cè)或四周；爐內(nèi)抽真空后，通入氬氣作為載氣；中頻感應(yīng)加熱所述生長(zhǎng)坩堝建立溫度梯度，提供生長(zhǎng)環(huán)境；SiC及B摻雜劑、Al摻雜劑升華至SiC籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。本發(fā)明的方法能保持生長(zhǎng)的p型SiC單晶在晶體徑向和軸向摻雜的均勻性，切割成晶片后，不僅其電阻率得以降低，而且在晶體軸向、徑向上的電阻率偏差也明顯減小。

技術(shù)研發(fā)人員：陳秀芳;謝雪健;彭燕;徐現(xiàn)剛;胡小波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710161701
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.17
技術(shù)公布日：2017.06.27