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一種立方形銅硫?qū)偌{米晶的制備方法與流程

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一種立方形銅硫?qū)偌{米晶的制備方法與流程

本發(fā)明涉及納米材料的制備領(lǐng)域,尤其涉及一種立方形銅硫?qū)偌{米晶的制備方法。



背景技術(shù):

半導(dǎo)體被喻為工業(yè)社會(huì)的稻米,是近代社會(huì)一日不可或缺的材料。半導(dǎo)體材料特有的能帶結(jié)構(gòu)使其在光學(xué)、電學(xué)等領(lǐng)域展現(xiàn)出許多獨(dú)特而優(yōu)異的性質(zhì)。多年來(lái),半導(dǎo)體納米粒子的合成與應(yīng)用研究一直集中在ii-vi,iii-v和iv-vi化合物,如鋅,鎘,鉛,汞的硫?qū)倩衔镆约傲谆熀蜕榛壍?,一定程度上?shí)現(xiàn)了對(duì)此類半導(dǎo)體納米顆粒形貌的主動(dòng)設(shè)計(jì)和調(diào)控以及對(duì)光學(xué)和電磁特性的有效調(diào)諧。然而,實(shí)際應(yīng)用中,碲、鎵、銦等元素的實(shí)際產(chǎn)能嚴(yán)重制約了此類光伏材料的發(fā)展;另外,納米顆粒中的有毒元素,如cd,hg,pb等,會(huì)因降解而釋放到環(huán)境中或直接進(jìn)入人體。這個(gè)問題已經(jīng)引起了人們的重視,研究人員逐漸將注意力集中到了環(huán)境友好且含量豐富的p-型半導(dǎo)體銅硫?qū)倩衔?即,cuxs,cuxse,cuxte(x=1~2))上。除了具有通常半導(dǎo)體納米材料共同性質(zhì),如激子性質(zhì),獨(dú)特的能級(jí)外,最近科學(xué)家發(fā)現(xiàn)銅硫?qū)倩衔锛{米晶,尤其是非化學(xué)計(jì)量的銅硫?qū)倩衔锛{米晶在可見-近紅外區(qū)域表現(xiàn)出強(qiáng)烈的局域表面等離子體共振(lspr,通常被認(rèn)為僅會(huì)發(fā)生在貴金屬納米顆粒表面)。這相當(dāng)于在一個(gè)無(wú)相界的納米顆粒上實(shí)現(xiàn)了電子和光子模式的共振耦合,納米顆粒因而展現(xiàn)出強(qiáng)烈的光吸收及散射特性。在光伏、光熱治療、催化、非線性光學(xué)和量子信息處理領(lǐng)域有著更加廣闊的應(yīng)用前景。

然而半導(dǎo)體納米晶的合成研究只有短短二十年左右的時(shí)間,可用于制備半導(dǎo)體納米材料的方法主要有氣相法、固相法和液相法三大類。傳統(tǒng)的固相合成方法主要是將宏觀的塊狀物質(zhì)粉碎,優(yōu)點(diǎn)是操作工藝簡(jiǎn)單,成本低廉,制備效率高,但制備出的納米顆粒粒徑分布寬(包含了從納米到微米的尺寸分布);氣相合成方法純度高,粒徑可控且分布均勻,適用于任何可蒸發(fā)的元素和化合物,但制備中往往需要大型的儀器設(shè)備和高真空等非常苛刻的條件,一般用于實(shí)驗(yàn)室研究,不適于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。相比之下,液相合成不需要苛刻的條件,產(chǎn)物的產(chǎn)量相對(duì)較高。目前,廣泛開展的液相制備方法有以下幾種:(1)化學(xué)沉淀法及微乳液法(2)水熱法和溶劑熱法(3)熱分解法。熱分解法已經(jīng)發(fā)展成為合成半導(dǎo)體納米晶最常用的方法,由此制備的納米顆粒往往尺寸極小,通常具有用其他方法無(wú)法得到的量子尺寸效應(yīng)。熱分解反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)是獲得的納米粒子結(jié)晶度高、尺寸分布窄,且通過精確調(diào)節(jié)反應(yīng)參數(shù)如反應(yīng)物的組成、反應(yīng)溫度、時(shí)間等,可以控制合成尺寸、組成、結(jié)構(gòu)形貌豐富的金屬硫化物納米晶。然而由于大部分的金屬有機(jī)化合物前驅(qū)物價(jià)格昂貴,毒性較大,分解溫度高,另外合成過程非常繁瑣、注入的過程也限制了其在大規(guī)模生產(chǎn)中的應(yīng)用。

由此可見,盡管目前納米晶的合成方法學(xué)得到了極大的發(fā)展,但是仍然不能夠滿足人們對(duì)具有特定組成、尺寸、形貌的納米晶的需求。急需建立可控性強(qiáng)的合成方法,以得到尺寸、形貌均一的納米晶,這樣才能夠展現(xiàn)出最好的性質(zhì)。同時(shí),簡(jiǎn)便易行,不需要復(fù)雜儀器設(shè)備,并且能夠一次得到大量產(chǎn)品的的合成方法仍然是人們不斷追求的目標(biāo),具有很大的挑戰(zhàn)性。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種立方形銅硫?qū)偌{米晶的制備方法,以解決現(xiàn)有制備操作繁瑣,無(wú)法大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn),顆粒形貌及l(fā)spr無(wú)法有效調(diào)控實(shí)的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供的技術(shù)方案是:

一種立方形銅硫?qū)偌{米晶的制備方法,其特征在于:所述方法包括如下步驟:

a.銅源、硫源、形貌控制劑與長(zhǎng)鏈硫醇和油酸混合,其中銅源、硫源和形貌控制劑的重量比為:10:0.5-2:3-6;

b.氬氣保護(hù)下,升溫至120-150℃,攪拌均勻,形成晶種;

c.迅速升溫至200-220℃,反應(yīng)15-30min,迅速降至室溫;

d.加入助沉劑助沉,除去大粒徑顆粒后,重新分散即得。

進(jìn)一步地,步驟a中還可添加適量硒源或碲源,以制備銅硫硒或銅硫碲三元銅硫?qū)偌{米晶。

進(jìn)一步地,所述硒源或碲源為硒或碲的氧化物,優(yōu)選二氧化硒或二氧化碲。

進(jìn)一步地,所述形貌控制劑為有機(jī)銦,優(yōu)選三-(甲氧基苯基)銦。

進(jìn)一步地,所述助沉劑選自:甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙酮中的一種或多種。

進(jìn)一步地,所述銅源為有機(jī)銅,優(yōu)選乙酰丙酮;所述硫源為硫粉。

一種立方形銅硫?qū)偌{米晶,其由以上所述任一種制備方法制備得到。

采用上述技術(shù)方案,本發(fā)明具有如下有益效果:

(1)在熱分解法基礎(chǔ)上采用無(wú)膦保護(hù)劑的方法制備不同尺寸及形貌的銅硫?qū)侔雽?dǎo)體納米晶,選優(yōu)了乙酰丙酮銅及硫粉、二氧化硒、二氧化碲作為原料,降低反應(yīng)溫度,實(shí)現(xiàn)方法的綠色及低能耗;

(2)采用有機(jī)銦作為催化劑及形貌控制劑,獲得立方體形納米晶,從而通過形貌優(yōu)化產(chǎn)品性能。

(3)所述納米立方晶可以通過氧化還原劑對(duì)其進(jìn)行后合成調(diào)控,精細(xì)調(diào)節(jié)產(chǎn)品lspr吸收,進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品性能。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例1-3與對(duì)比例1-3所制備的立方形銅硫?qū)偌{米晶的tem圖對(duì)比圖;其中,圖1a,1c,1e分別為實(shí)施例1-3所制備的立方形銅硫?qū)偌{米晶的tem圖,圖1b,1d,1f分別為對(duì)比例1-3所制備的立方形銅硫?qū)偌{米晶的tem圖。

圖2為實(shí)施例3所制cu1.72s0.56te0.44立方形納米顆粒的高分辨tem圖及元素面掃描圖譜;

圖3為實(shí)施例1-3所制立方形銅硫?qū)偌{米晶的紫外-可見-近紅外吸收光譜圖;

圖4為實(shí)施例2以及實(shí)施例5-6中所制立方形銅硫?qū)偌{米晶的紫外-可見-近紅外吸收光譜圖;

圖5為對(duì)比例4制備的銅硫?qū)偌{米晶的tem圖;

圖6為對(duì)比例5制備的銅硫?qū)偌{米晶的tem圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的結(jié)構(gòu)圖及具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明的保護(hù)范圍仍以權(quán)利要求為準(zhǔn),包括在此基礎(chǔ)上所作出的顯而易見的變化或變動(dòng)等。

實(shí)施例1:

所述立方形銅硫?qū)偌{米晶制備在標(biāo)準(zhǔn)史萊克(schlenk)雙排管上完成,以確保整個(gè)反應(yīng)過程無(wú)水無(wú)氧。將75mg乙酰丙酮銅作為銅源、6.4mgs粉、約40mg三-(甲氧基苯基)銦,與4ml正十二硫醇及10ml油酸在配備有磁力攪拌的50ml三口燒瓶中混合,90℃下真空脫氣1h,以去除低沸點(diǎn)雜質(zhì)。往燒瓶中通入ar,迅速升溫至140±5℃,攪拌反應(yīng)1h,以形成透明澄清溶液,并在此溫度下實(shí)現(xiàn)s的活化,形成cu2s晶種。迅速升溫并穩(wěn)定在210±2℃,反應(yīng)20min后冷水浴中迅速降至室溫。產(chǎn)物中加入5ml無(wú)水乙醇,500轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,棄去底部大粒徑顆粒。上清液以15ml無(wú)水乙醇助沉,5000轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,沉淀重新超聲分散于三氯甲烷中,以上清洗過程重復(fù)3-6次,分散于三氯甲烷中并儲(chǔ)存于惰性氣體中備用。產(chǎn)品隨后經(jīng)hrtem,edx能譜,xps能譜確定為cu1.78s。

實(shí)施例2:

所述立方形銅硫?qū)偌{米晶制備在標(biāo)準(zhǔn)史萊克(schlenk)雙排管上完成,以確保整個(gè)反應(yīng)過程無(wú)水無(wú)氧。將75mg乙酰丙酮銅作為銅源、4mgs粉、8mgseo2,約40mg三-(甲氧基苯基)銦,與4ml正十二硫醇及10ml油酸在配備有磁力攪拌的50ml三口燒瓶中混合,90℃下真空脫氣1h,以去除低沸點(diǎn)雜質(zhì)。往燒瓶中通入ar,迅速升溫至140±5℃,攪拌反應(yīng)1h,以形成透明澄清溶液,并在此溫度下實(shí)現(xiàn)s的活化,形成cu2s晶種。迅速升溫并穩(wěn)定在235±2℃反應(yīng)30min后冷水浴中迅速降至室溫。產(chǎn)物中加入5ml無(wú)水乙醇,500轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,棄去底部大粒徑顆粒。上清液以15ml無(wú)水乙醇助沉,5000轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,沉淀重新超聲分散于三氯甲烷中,以上清洗過程重復(fù)3-6次,分散于三氯甲烷中并儲(chǔ)存于惰性氣體中備用。產(chǎn)品隨后經(jīng)hrtem,edx能譜,xps能譜確定為cu1.91s0.67se0.33。

實(shí)施例3:

所述立方形銅硫?qū)偌{米晶制備在標(biāo)準(zhǔn)史萊克(schlenk)雙排管上完成,以確保整個(gè)反應(yīng)過程無(wú)水無(wú)氧。將75mg乙酰丙酮銅作為銅源、3.2mgs粉、30mgteo2,約40mg三-(甲氧基苯基)銦,與4ml正十二硫醇及10ml油酸在配備有磁力攪拌的50ml三口燒瓶中混合,90℃下真空脫氣1h,以去除低沸點(diǎn)雜質(zhì)。往燒瓶中通入ar,迅速升溫至140±5℃,攪拌反應(yīng)1h,以形成透明澄清溶液,并在此溫度下實(shí)現(xiàn)s的活化,形成cu2s晶種。迅速升溫并穩(wěn)定在270±2℃反應(yīng)60min后冷水浴中迅速降至室溫。產(chǎn)物中加入5ml無(wú)水乙醇,500轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,棄去底部大粒徑顆粒。上清液以15ml無(wú)水乙醇助沉,5000轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,沉淀重新超聲分散于三氯甲烷中,以上清洗過程重復(fù)3-6次,分散于三氯甲烷中并儲(chǔ)存于惰性氣體中備用。產(chǎn)品隨后經(jīng)hrtem,edx能譜,xps能譜確定為cu1.72s0.56te0.44。

實(shí)施例4:

所述立方形銅硫?qū)偌{米晶制備在標(biāo)準(zhǔn)史萊克(schlenk)雙排管上完成,以確保整個(gè)反應(yīng)過程無(wú)水無(wú)氧。將45mg乙酰丙酮銅作為銅源、4mgs粉、8mgseo2,約40mg三-(甲氧基苯基)銦,與4ml正十二硫醇及10ml油酸在配備有磁力攪拌的50ml三口燒瓶中混合,90℃下真空脫氣1h,以去除低沸點(diǎn)雜質(zhì)。往燒瓶中通入ar,迅速升溫至140±5℃,攪拌反應(yīng)1h,以形成透明澄清溶液,并在此溫度下實(shí)現(xiàn)s的活化,形成cu2s晶種。迅速升溫并穩(wěn)定在235±2℃反應(yīng)30min后冷水浴中迅速降至室溫。產(chǎn)物中加入5ml無(wú)水乙醇,500轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,棄去底部大粒徑顆粒。上清液以15ml無(wú)水乙醇助沉,5000轉(zhuǎn)/分鐘轉(zhuǎn)速下離心分離,沉淀重新超聲分散于三氯甲烷中,以上清洗過程重復(fù)3-6次,分散于三氯甲烷中并儲(chǔ)存于惰性氣體中備用。產(chǎn)品隨后經(jīng)hrtem,edx能譜,xps能譜確定為cu1.65s0.71se0.29。

實(shí)施例5:

在手套箱內(nèi)或惰性氣體保護(hù)下,往實(shí)施例2中所得立方形銅硫?qū)偌{米晶cu1.91s0.67se0.33三氯甲烷分散液中加入0.05mol/l硝酸鈰銨(nh4)2ce(no3)6乙醇溶液10μl,攪拌反應(yīng)10min,得后續(xù)氧化產(chǎn)物cu1.83s0.67se0.33。其化學(xué)計(jì)量比的變化可通過紫外-可見-近紅外吸收光譜測(cè)量立方形銅硫?qū)偌{米晶在四氯乙烯溶液中的吸收光譜獲得證明。

實(shí)施例6:

在手套箱內(nèi)或惰性氣體保護(hù)下,往實(shí)施例2中所得立方形銅硫?qū)偌{米晶cu1.91s0.67se0.33三氯甲烷分散液中加入0.05mol/l三乙酰氧基硼氫化鈉na(ch3co2)3bh的四氫呋喃溶液5μl,攪拌反應(yīng)2min,得后續(xù)還原產(chǎn)物cu1.94s0.67se0.33。其化學(xué)計(jì)量比的變化可通過紫外-可見-近紅外吸收光譜測(cè)量立方形銅硫?qū)偌{米晶在四氯乙烯溶液中的吸收光譜獲得證明。

對(duì)比例1:

使用實(shí)施例1所述的方法制備銅硫?qū)偌{米晶,但不使用添加三-(甲氧基苯基)銦進(jìn)行形貌控制,其它條件同實(shí)施例1。

對(duì)比例2:

使用實(shí)施例2所述的方法制備銅硫?qū)偌{米晶,但不使用添加三-(甲氧基苯基)銦進(jìn)行形貌控制,其它條件同實(shí)施例12。

對(duì)比例3:

使用實(shí)施例3所述的方法制備銅硫?qū)偌{米晶,但不使用添加三-(甲氧基苯基)銦進(jìn)行形貌控制,其它條件同實(shí)施例3。

對(duì)比例4:

使用5.7mg硒粉代替seo2作為硒源制備銅硫硒三元納米晶,其它條件同實(shí)施例2。

對(duì)比例5:

使用24mgte粉代替teo2作為碲源,其它反應(yīng)參數(shù)同實(shí)施例3。

下面結(jié)合圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:

圖1a,1c,1e分別為實(shí)施例1-3所制備的立方形銅硫?qū)偌{米晶的tem圖,圖1b,1d,1f分別為對(duì)比例1-3所制備的立方形銅硫?qū)偌{米晶的tem圖,由圖可見,采用本發(fā)明所述方法制得的納米顆粒結(jié)構(gòu)規(guī)整,顆粒大小均勻,約為10-20nm;圖2為實(shí)施例3所制cu1.72s0.56te0.44立方形納米顆粒的高分辨tem圖及元素面掃描圖譜。由圖可以更清晰地看到,所制納米晶呈現(xiàn)良好的晶體結(jié)構(gòu),通過高分辨透射電鏡拍攝的元素面分布圖,可以清晰地看到這三種元素在納米晶上均勻分布,結(jié)合edx及xps能譜就能確定cu、s、se之間的原子數(shù)及化合價(jià)分布,從而確定納米晶的非計(jì)量比。但是,當(dāng)不添加三-(甲氧基苯基)銦時(shí),納米晶大小不均,也未形成規(guī)則的立方狀晶體(圖1a,c,e)。同時(shí),申請(qǐng)人還發(fā)現(xiàn),不同的硒源和碲源會(huì)對(duì)納米粒子的形貌產(chǎn)生巨大的影響,從圖5和圖6中可以發(fā)現(xiàn),使用單質(zhì)的硒和碲無(wú)法形成尺寸均勻,形貌規(guī)整的銅硫?qū)偌{米晶。

圖3為實(shí)施例1-3所制立方形銅硫?qū)偌{米晶的紫外-可見-近紅外吸收光譜。由圖可見,隨硫源的變化,產(chǎn)品的lspr發(fā)生明顯的移動(dòng),由非計(jì)量硫化亞銅的近紅外區(qū)域1300nm藍(lán)移至實(shí)施例3中cu1.72s0.56te0.44的900nm附近。非化學(xué)計(jì)量的銅硫?qū)侔雽?dǎo)體納米晶表面lspr的產(chǎn)生基于價(jià)帶的載流子與入射光之間的共振耦合,這就意味著可以像金屬納米顆粒那樣通過調(diào)節(jié)形貌、組成、大小實(shí)現(xiàn)對(duì)lspr的調(diào)控,我們還可以通過調(diào)節(jié)半導(dǎo)體納米晶的空穴密度,即調(diào)節(jié)化學(xué)計(jì)量數(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)lspr的調(diào)控。

圖4為對(duì)實(shí)施例2所得cu1.91s0.67se0.33納米晶進(jìn)行后氧化還原所得產(chǎn)品的紫外-可見-近紅外吸收光譜。結(jié)合能譜分析,證明通過后合成策略,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)計(jì)量比的進(jìn)一步精細(xì)調(diào)控,從而為銅硫?qū)偌{米晶提供更廣闊的應(yīng)用范圍。

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