技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種抗還原巨介電常數(shù)低損耗高阻值陶瓷電容器介質材料，以BaTiO3粉體為基料，在此基礎上，外加質量百分比為0.3～0.8％的Na0.5Bi0.5TiO3；0.6～1.5％的(NiO)1?x(NbO2.5)x，其中x＝0.6～0.8；0.1～0.5％的(MnO)1?y(NbO2.5)y，其中y＝0.4～0.6；1.0～3.0％的CaZrO3。先以BaTiO3作為基料，摻雜Na0.5Bi0.5TiO3，制得BT?NBT混合物；再在BT?NBT中添加(NiO)1?x(NbO2.5)x、(MnO)1?y(NbO2.5)y和CaZrO3，壓制成型為生坯。于還原氣氛中1290～1315℃燒結，制得所需陶瓷電容器介質材料。本發(fā)明可阻止鈦酸鋇半導化進程，在提升介電常數(shù)、保證工作溫區(qū)較寬的同時，具有較低的介電損耗以及高的絕緣電阻率。在?55℃～150℃溫區(qū)內，電容量變化率在±10％以內，且具有高的室溫介電常數(shù)(15000@1kHz)和低的室溫介電常數(shù)介電損耗(tan＝2.2％)，材料的絕緣電阻率大于2.0×1011Ω·cm。

技術研發(fā)人員：李玲霞;蔡朝陽;李江騰;張寧;王瑞杰
受保護的技術使用者：天津大學
技術研發(fā)日：2017.03.31
技術公布日：2017.07.11