本發(fā)明涉及一種石墨加熱器,尤其是一種用于硅單晶爐的能夠滿足半導(dǎo)體級(jí)硅單晶生長所需梯度溫度場條件的一種石墨加熱器。
背景技術(shù):
單晶硅是具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體,是一種良好的半導(dǎo)體材料,純度可達(dá)到99.9999999%以上,可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位,處于新材料發(fā)展的前沿。
半導(dǎo)體級(jí)硅單晶爐是單晶硅產(chǎn)業(yè)鏈中重要的晶體生長設(shè)備,由于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶體是在高溫的條件下緩慢生長而成的,需要良好的溫度梯度控制以形成冷心,同時(shí)需要均勻穩(wěn)定的溫度場以實(shí)現(xiàn)單晶體的穩(wěn)定生長,因此主加熱器的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、溫度梯度可控基礎(chǔ)至關(guān)重要。目前,硅單晶爐的主加熱器大多未設(shè)置加熱器腿和輔助支撐柱,而是在主發(fā)熱體上延伸出安裝支撐面,設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡單,無法對(duì)主加熱器形成可靠、穩(wěn)定的支撐,且一旦安裝支撐面發(fā)生損壞,主加熱器將無法使用,壽命低。同時(shí)因材質(zhì)力學(xué)性能及純度較低,現(xiàn)有的主加熱器嚴(yán)重影響硅單晶的生產(chǎn)質(zhì)量與效率。因此,傳統(tǒng)硅單晶爐的主加熱器只適用于太陽能級(jí)硅單晶的生長,且晶體常因熱場紊亂、污染等問題產(chǎn)生大量雜質(zhì),晶體純度及成品率較低,嚴(yán)重影響高純度硅單晶的生產(chǎn)效率。
目前,在半導(dǎo)體級(jí)硅單晶爐中采用四點(diǎn)對(duì)稱支撐式環(huán)形筒狀結(jié)構(gòu)主加熱器,增大發(fā)熱面積,通過加熱器腿和輔助支撐柱對(duì)主發(fā)熱體形成四點(diǎn)支撐,并通過設(shè)置定位臺(tái)階、定位銷孔、支撐柱絕熱子、墊片、絕緣塊等措施以實(shí)現(xiàn)均勻、穩(wěn)定溫度場的方案未見諸報(bào)道
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于:針對(duì)現(xiàn)有硅單晶爐的主加熱器結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差、壽命低、材質(zhì)力學(xué)性能和純度底,致使硅單晶生長成品率低、純度低、質(zhì)量不高等一系列問題,提供一種性能可靠的用于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶生長的主加熱器。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種用于半導(dǎo)體級(jí)硅單晶爐的主加熱器,包括主發(fā)熱體、主加熱器腿、輔助支撐柱和連接螺栓,其特征在于:
a)主發(fā)熱體為筒狀結(jié)構(gòu),其筒壁設(shè)有由上而下的應(yīng)力緩沖槽和由下而上的應(yīng)力緩沖槽的應(yīng)力緩沖槽,它們均勻分布且相間設(shè)置,各應(yīng)力緩沖槽末端均設(shè)有應(yīng)力圓孔,主發(fā)熱體還對(duì)稱設(shè)有電接觸安裝面和一對(duì)輔助支撐安裝面,其中,一對(duì)電接觸安裝面相距180弧度,一對(duì)輔助支撐安裝面相距180弧度,電接觸安裝面與相鄰的輔助支撐安裝面相距90弧度;
b)兩個(gè)主加熱器腿上均設(shè)置有定位臺(tái)階、定位銷孔和三個(gè)連接螺栓孔,它們通過定位臺(tái)階和定位銷孔與主發(fā)熱體的電接觸安裝面定位后,通過三個(gè)連接螺栓與電接觸安裝面緊固連接;
c)兩個(gè)圓柱形輔助支撐柱上均設(shè)置有定位臺(tái)階、定位銷孔和一個(gè)連接螺栓孔,它們通過定位臺(tái)階和定位銷孔與輔助支撐安裝面定位后,通過一個(gè)連接螺栓與輔助支撐安裝面緊固連接;
d)兩個(gè)主加熱器腿分別主發(fā)熱體的直流電源的陽極和陰極輸入端。
在本發(fā)明中,輔助支撐柱的圓柱形內(nèi)設(shè)置有盲孔,支撐柱絕熱子裝配于輔助支撐柱的盲孔中,輔助支撐柱的底端配有絕緣塊。所述的支撐柱絕熱子采用固化碳?xì)种谱?,固化碳?xì)中杞?jīng)高溫純化處理,其純度要求為20ppm;所述的絕緣塊的材料為氮化硼。
在本發(fā)明中,主加熱器腿與主發(fā)熱體的電接觸安裝面之間配有導(dǎo)電墊片。所述的導(dǎo)電墊片為石墨紙,石墨紙需經(jīng)高溫純化處理,其純度為5ppm。
在本發(fā)明中,所述的主發(fā)熱體、加熱器腿、輔助支撐柱、連接螺栓和定位銷均采用高強(qiáng)度等靜壓石墨制作。所述的石墨需經(jīng)高溫純化處理,其純度要求為5ppm。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:由于主發(fā)熱體采用環(huán)形筒狀結(jié)構(gòu),筒壁設(shè)有由上而下的應(yīng)力緩沖槽和由下而上的應(yīng)力緩沖槽的應(yīng)力緩沖槽可以有效吸收工作中產(chǎn)生的應(yīng)力。由于在加熱器腿和輔助支撐柱上設(shè)置定位臺(tái)階和定位銷孔,并通過連接螺栓固定,主發(fā)熱體通過加熱器腿、輔助支撐柱形成的四點(diǎn)對(duì)稱支撐,定位可靠且支撐穩(wěn)定。由于主加熱器腿與主發(fā)熱體的電接觸安裝面之間配有導(dǎo)電墊片可以防止工作中打火,由于輔助支撐柱的圓柱形內(nèi)設(shè)置有盲孔,支撐柱絕熱子裝配于輔助支撐柱的盲孔中,輔助支撐柱的底端配有絕緣塊,可以確保輔助支撐柱隔熱和絕緣。由于加熱器采用高純度石墨、固化碳?xì)趾褪埖炔牧?,大大減少了對(duì)爐內(nèi)污染,提高了硅單晶的質(zhì)量。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊,使用壽命較長,便于拆裝和維修。
附圖說明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是圖1的俯視圖。
圖3是圖1的i局部放大示意圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施例涉及的輔助支撐柱局部結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例的立體效果示意圖。
圖中:1、主發(fā)熱體,2、主加熱器腿,3、輔助支撐柱,4、支撐柱絕熱子,5、連接螺栓,6、絕緣塊,7、定位銷,8、墊片,9、應(yīng)力緩沖槽,10、應(yīng)力圓孔。
具體實(shí)施方式
附圖非限制性地公開了本發(fā)明涉及的一種實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu),下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地描述。
由圖1、圖2和圖5可見,本發(fā)明包括主發(fā)熱體1、主加熱器腿2、輔助支撐柱3、連接螺栓5、絕緣塊6、定位銷7和導(dǎo)電墊片8,其中:
主發(fā)熱體1為筒狀結(jié)構(gòu),其筒壁設(shè)有由上而下和由下而上的應(yīng)力緩沖槽9,兩組應(yīng)力緩沖槽9均勻分布且相間設(shè)置,各應(yīng)力緩沖槽9末端均設(shè)有應(yīng)力圓孔10,主發(fā)熱體1還對(duì)稱設(shè)有電接觸安裝面和一對(duì)輔助支撐安裝面,其中,一對(duì)電接觸安裝面相距180弧度,一對(duì)輔助支撐安裝面相距180弧度,電接觸安裝面與相鄰的輔助支撐安裝面相距90弧度。
由圖3可見,兩個(gè)主加熱器腿2上均設(shè)置有定位臺(tái)階、定位銷孔7和三個(gè)連接螺栓孔,它們通過定位臺(tái)階和定位銷孔7與主發(fā)熱體的電接觸安裝面定位后,通過三個(gè)連接螺栓5與電接觸安裝面緊固連接,主加熱器腿2與主發(fā)熱體1的電接觸安裝面之間配有導(dǎo)電墊片8。
由圖4可見,兩個(gè)圓柱形的輔助支撐柱3上均設(shè)置有定位臺(tái)階、定位銷孔7和一個(gè)連接螺栓孔,它們通過定位臺(tái)階和定位銷孔7與輔助支撐安裝面定位后,通過一個(gè)連接螺栓5與輔助支撐安裝面緊固連接,輔助支撐,3的圓柱形內(nèi)設(shè)置有盲孔,支撐柱絕熱子4裝配于輔助支撐柱3的盲孔中,輔助支撐柱3的底端配有絕緣塊6(參見圖1)。
工作中,主發(fā)熱體1的直流電源兩個(gè)主加熱器腿2分別作為陽極和陰極的輸入端。
具體實(shí)施時(shí),所述的主發(fā)熱體1、主加熱器腿2、輔助支撐柱3、連接螺栓5和定位銷均采用高強(qiáng)度等靜壓石墨制作。所述的石墨需經(jīng)高溫純化處理,其純度要求為5ppm。所述的支撐柱絕熱子4采用固化碳?xì)种谱?,固化碳?xì)中杞?jīng)高溫純化處理,其純度要求為20ppm。所述的絕緣塊6的材料為氮化硼。所述的導(dǎo)電墊片8為石墨紙,石墨紙需經(jīng)高溫純化處理,其純度為5ppm。