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一種半導(dǎo)體納米晶及其制備方法與應(yīng)用與流程

文檔序號(hào):11507499閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體納米晶,該半導(dǎo)體納米晶為銅銦硫三元半導(dǎo)體納米晶,其中銅、銦、硫三種元素的摩爾比為0.7?1:0.8?1:1.8?2.2;所述半導(dǎo)體納米晶相態(tài)單一,晶型結(jié)構(gòu)為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),陰離子硫處于晶胞中心的位置,銦、銅金屬陽(yáng)離子分布在頂角位置。本發(fā)明半導(dǎo)體納米晶能很好地用于薄膜太陽(yáng)能電池,且制備方法簡(jiǎn)單,操作便捷,適合一定規(guī)模和工業(yè)化生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員:黃嘯谷;張?jiān)瓶?張英杰;澤仁翁姆;崔浩南;閆子寒
受保護(hù)的技術(shù)使用者:南京信息工程大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.04.21
技術(shù)公布日:2017.08.18
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