本發(fā)明屬于氧化鋁技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法。
背景技術(shù)：
tft-lcd即薄膜晶體管液晶顯示器，tft-lcd技術(shù)是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)結(jié)合的一種技術(shù)。人們利用在硅上進(jìn)行微電子精細(xì)加工的技術(shù)，移植到在大面積玻璃上進(jìn)行tft陣列的加工，再將該陣列基板與另一片帶彩色濾色膜的基板，利用與業(yè)已成熟的lcd技術(shù)，形成一個(gè)液晶盒相結(jié)合，再經(jīng)過后工序如偏光片貼覆等過程，最后形成液晶顯示器。氧化鋁是tft-lcd玻璃的主要原料之一，氧化鋁中的鋰是在生產(chǎn)氧化鋁的過程中由鋁土礦帶進(jìn)的微量元素，并在生產(chǎn)過程中逐漸富集，國內(nèi)鋁土礦生產(chǎn)的氧化鋁的鋰含量最低為70ppm，有的可高達(dá)510ppm，對于tft-lcd基板玻璃而言要求的鋰含量很低，國內(nèi)生產(chǎn)的氧化鋁中的鋰含量過高達(dá)不到要求，因此降低氧化鋁中鋰的含量至關(guān)重要。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種能夠有效降低氧化鋁中鋰的含量、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)質(zhì)量好的用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法，包括以下步驟：
（1）對待加工的氧化鋁原料中的鋰含量進(jìn)行檢測，挑選出鋰含量不超過150ppm的氧化鋁粉料；
（2）除去步驟(1)中挑選出的氧化鋁粉料中的鐵；
（3）得到的氧化鋁粉料需要采用高鋁質(zhì)匣缽進(jìn)行煅燒，對選用的高鋁質(zhì)匣缽進(jìn)行脫鋰；
（4）向得到的氧化鋁粉料中加入礦化劑并混合均勻，然后將其裝入選用的高鋁質(zhì)匣缽中；
（5）將盛裝氧化鋁粉料及礦化劑的高鋁質(zhì)匣缽送入隧道窯內(nèi)進(jìn)行煅燒，在高溫煅燒的過程中，控制窯內(nèi)氣氛在礦化劑與氧化鋁粉料中的li2o反應(yīng)時(shí)將易揮發(fā)的鋰的化合物排出窯外，并對高鋁質(zhì)匣缽內(nèi)的混合物料進(jìn)行脫鈉處理；
（6）將經(jīng)過隧道窯煅燒的高鋁質(zhì)匣缽從隧道窯內(nèi)取出，并分揀出高鋁質(zhì)匣缽內(nèi)的氧化鋁；
（7）對步驟（6）中得到的氧化鋁進(jìn)行破碎，并進(jìn)行研磨均化處理，然后除去氧化鋁中的鐵；
（8）對得到的氧化鋁進(jìn)行檢測，挑選出鋰含量不超過10ppm的氧化鋁，并對其進(jìn)行包裝入庫。
采用原子吸收光譜法測定氧化鋁粉料中鋰的含量。
采用濕法除去氧化鋁中的鐵。
步驟（4）中礦化劑采用氯化物、氟化物或氯化物與氟化物的復(fù)合。
步驟（5）中礦化劑與氧化鋁粉料在高溫煅燒的過程中，主要的離子反應(yīng)式為：
采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：
1、本發(fā)明將氧化鋁粉料及礦化劑混合后裝入經(jīng)過脫鋰處理的高鋁質(zhì)匣缽中，然后將盛有氧化鋁粉料及礦化劑的高鋁質(zhì)匣缽放入隧道窯內(nèi)高溫煅燒，從而降低和除去氧化鋁內(nèi)鋰的含量，采用上述方法操作簡便，能夠有效降低氧化鋁中鋰的含量。
2、本發(fā)明首先挑選出鋰含量不超過150ppm的氧化鋁粉料，減輕后續(xù)除鋰的難度，加快了除鋰效率。
3、本發(fā)明在除去氧化鋁中鋰含量的同時(shí)，排除鐵、鈉等元素的干擾，使得生產(chǎn)出的氧化鋁比較純凈，生產(chǎn)質(zhì)量得到大大提高。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本發(fā)明的一種用于tft-lcd玻璃的低鋰氧化鋁制備方法，包括以下步驟：
（1）對待加工的氧化鋁原料中的鋰含量進(jìn)行檢測，挑選出鋰含量不超過150ppm（百萬分之一百五十）的氧化鋁粉料；
（2）除去步驟(1)中挑選出的氧化鋁粉料中的鐵；
（3）得到的氧化鋁粉料需要采用高鋁質(zhì)匣缽進(jìn)行煅燒，對選用的高鋁質(zhì)匣缽進(jìn)行脫鋰；
（4）向得到的氧化鋁粉料中加入礦化劑并混合均勻，然后將其裝入選用的高鋁質(zhì)匣缽中；
（5）將盛裝氧化鋁粉料及礦化劑的高鋁質(zhì)匣缽送入隧道窯內(nèi)進(jìn)行煅燒，在高溫煅燒的過程中，控制窯內(nèi)氣氛在礦化劑與氧化鋁粉料中的li2o反應(yīng)時(shí)將易揮發(fā)的鋰的化合物排出窯外，并對高鋁質(zhì)匣缽內(nèi)的混合物料進(jìn)行脫鈉處理；
（6）將經(jīng)過隧道窯煅燒的高鋁質(zhì)匣缽從隧道窯內(nèi)取出，并分揀出高鋁質(zhì)匣缽內(nèi)的氧化鋁；
（7）對步驟（6）中得到的氧化鋁進(jìn)行破碎，并進(jìn)行研磨均化處理，然后除去氧化鋁中的鐵；
（8）對得到的氧化鋁進(jìn)行檢測，挑選出鋰含量不超過10ppm（百萬分之十）的氧化鋁，并對其進(jìn)行包裝入庫。
采用原子吸收光譜法測定氧化鋁粉料中鋰的含量。
采用濕法除去氧化鋁中的鐵。
步驟（4）中礦化劑采用氯化物、氟化物或氯化物與氟化物的復(fù)合。
步驟（5）中礦化劑與氧化鋁粉料在高溫煅燒的過程中，主要的離子反應(yīng)式為：
本實(shí)施例并非對本發(fā)明的形狀、材料、結(jié)構(gòu)等作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。