本發(fā)明涉及新材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料及其制備方法和用途。

背景技術(shù)：

隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，傳統(tǒng)的電子器件由于存在電流焦耳熱，電子器件的小型化和低功耗面領(lǐng)著嚴峻的瓶頸。自旋波(spinwaves)是在磁有序材料中電子自旋進動的集體傳播過程，具有無熱耗散、非歐姆接觸、極高工作頻率范圍、實現(xiàn)室溫玻色-愛因斯坦凝聚、磁子超流等宏觀量子效應(yīng)等優(yōu)點?；谧孕ǖ男畔鬏敗⑦壿嬘嬎阌锌赡艹蔀楹竽枙r代信息傳輸、處理的重要方式之一。自旋波的波導(dǎo)材料要求損耗低，即要求材料具有很低的阻尼因子，迄今阻尼最小的材料是單晶釔鐵石榴石(yig)材料，理論阻尼可低至10^-6。當采用微波天線激發(fā)自旋波在yig中傳播的時候，依據(jù)波矢k方向和面內(nèi)磁場h方向的區(qū)別，可以分為兩類不同類型的自旋波：(1)k⊥h,靜磁表面波(magnetostaticsurfacemodes，mssw)；(2)k∥h,后向體波(backward-volumemagnetostaticwaves，bvmsw)。對于靜磁表面波來講，為了獲得自旋波傳播的非互易性，通常需要改變yig上下表面的自旋波傳輸“環(huán)境”。但是，很難改變單層yig薄膜上下表面的自旋波傳輸“環(huán)境”，其自旋波傳輸?shù)姆腔ヒ仔圆幻黠@，僅僅是幅度上的差別，自旋波模式的峰位未發(fā)生變化。面對自旋波波導(dǎo)、自旋波邏輯器件等新型器件的迫切需求，研發(fā)具有顯著非互易自旋波傳輸特性波導(dǎo)材料十分重要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料及其制備方法。

第一方面，本發(fā)明提供的一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，該材料包括

ggg(釓鎵石榴石)單晶基片；

以及yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，所述yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料通過在所述ggg(釓鎵石榴石)單晶基片表面生長一yig(釔鐵石榴石)薄膜、并將單層石墨烯轉(zhuǎn)移到所述yig薄膜烘干處理形成。

本發(fā)明中，作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜采用液相外延或者氣相外延(真空氣相沉積)的方式生長于所述ggg(釓鎵石榴石)單晶基片的表面。

本發(fā)明中，作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜為單晶薄膜，厚度為100納米-50微米。

本發(fā)明中，作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述單層石墨烯利用化學氣相沉積方法生長得到。

本發(fā)明中，作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料最大直徑3英寸。

以上材料通過自旋波共振技術(shù)激發(fā)和探測自旋波傳輸特性，獲得自旋波在yig/ggg界面和yig/石墨烯中的非互易傳輸曲線，證實為一種新型非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

第二方面，本發(fā)明提供了非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料的制備方法，包括如下步驟：

s1：選擇高純度(高于99.99％)fe2o3和y2o3作為原材料，通過液相外延法或者真空氣相沉積方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，得到ggg/yig襯底。

更詳細的說，液相外延法生長yig薄膜，具體是將高純度fe2o3、y2o3和bi2o3在1000-1100℃下熔融，bi2o3作為熔劑，充分攪拌溶液，用重鉻酸鉀和濃硫酸的混合液、去離子水、naoh和nahco3混合液、去離子水、異丙醇依次清洗ggg單晶基片，將ggg單晶基片置于鉑金支架上，浸入液相環(huán)境，降低生長溫度至900-980℃，緩慢旋轉(zhuǎn)提拉桿，生長磁性yig單晶薄膜，得到ggg/yig襯底。

s2：利用化學氣相沉積方法，在銅箔或鎳箔上生長單層石墨烯薄膜，得到銅基或鎳基石墨烯。

具體的說，是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在鎳箔、銅箔等具有溶碳量的金屬基片上，在1000-1200℃基片溫度下將碳源高溫分解，碳原子滲入金屬基片，再降低基片溫度至800-900℃，碳原子會在金屬基板表面析出，得到單層石墨烯薄膜。

s3：將pmma溶液滴到步驟s2得到的銅基或鎳基石墨烯上，旋涂均勻后，置于加熱板烘干，采用1mol/l的fecl3溶液刻蝕掉銅箔或鎳箔，經(jīng)過去離子水清洗，得到懸浮的單層石墨烯；

s4：將步驟s3中的單層石墨烯用步驟s1得到的ggg/yig襯底撈出，保證石墨烯的平整，去掉pmma層，在加熱板上90℃烘干，制備得到y(tǒng)ig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，即為非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

在步驟s4中的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料上，通過光刻和蒸發(fā)鍍膜制備兩個間距100-2000微米的共面波導(dǎo)天線，天線阻抗50歐姆，天線用于激發(fā)和探測自旋波，證實該材料為一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

本發(fā)明中，作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述真空氣相沉積方法包括激光脈沖沉積法和磁控濺射法。

本發(fā)明中，作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟s1中，首先通過固相反應(yīng)法制備y3fe5o12靶材，通過激光脈沖沉積方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，采用脈沖頻率10-50hz，氧分壓0.1-0.5pa，基片溫度500-700℃。

本發(fā)明中，作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟s1中，首先通過固相反應(yīng)法制備y3fe5o12靶材，通過磁控濺射方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，濺射功率30-70w，氧分壓0.1-0.5pa，基片溫度550-750℃。

第三方面，本發(fā)明提供的非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，在自旋電子學、自旋波波導(dǎo)、自旋波邏輯器件、量子計算領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，例如制作其中的核心元件，在此不作贅述。

由于采用以上技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果：

本發(fā)明提出一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料及其制備方法，簡單可行的，所制得的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)薄膜相對于單一yig薄膜上下表面?zhèn)鬏數(shù)淖孕ň哂酗@著的非互易性，即yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料的上下表面?zhèn)鞑サ淖孕ǚ岛头逦痪l(fā)生了顯著改變，如自旋波幅值有36％，2ghz微波激勵下，自旋波峰位移動了13oe，而自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料的厚度相比單層yig薄膜并未發(fā)生明顯改變，只是覆蓋了一層碳原子層(石墨烯)，為自旋波波導(dǎo)材料的研究和制備提供了一種新方案，在自旋電子學、自旋波波導(dǎo)、自旋波邏輯器件、量子計算等眾多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所得到的ggg/yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)自旋波波導(dǎo)材料示意圖；

圖2為自旋波共振(swr)法測試的yig(200nm)/石墨烯體系中g(shù)gg/yig和yig/石墨烯界面的自旋波傳輸曲線。

具體實施方式

下面將結(jié)合具體實施例對本發(fā)明技術(shù)方案進行詳細的描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，因此只作為示例，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。

實施例1：

一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，該材料包括ggg(釓鎵石榴石)單晶基片以及yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，使用液相外延法在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，在yig薄膜上，將化學氣相沉積方法生長的單層石墨烯轉(zhuǎn)移到高品質(zhì)的yig薄膜上，烘干處理形成yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜為單晶薄膜，厚度在100納米，所述單層石墨烯利用氣相沉積方法生長得到，所述的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料最大直徑3英寸。

以上材料的制備方法，包括以下步驟：

s1：選擇高純度(高于99.99％)fe2o3和y2o3作為原材料，通過液相外延方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，得到ggg/yig襯底，具體的說，本實施例中液相外延法具體是將高純度fe2o3、y2o3和bi2o3在1000℃下熔融，bi2o3作為熔劑，充分攪拌溶液，用重鉻酸鉀和濃硫酸的混合液、去離子水、naoh和nahco3混合液、去離子水、異丙醇依次清洗ggg單晶基片，將ggg基片置于鉑金支架上，浸入液相環(huán)境，降低生長溫度至900℃，緩慢旋轉(zhuǎn)提拉桿，生長磁性yig單晶薄膜，得到ggg/yig襯底；

s2：利用化學氣相沉積方法，在銅箔上生長單層石墨烯薄膜，得到銅基石墨烯；本實施例中，化學氣相沉積方法是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在銅箔等具有溶碳量的金屬基片上，在1000℃基片溫度下將碳源高溫分解，碳原子滲入金屬基片，再降低基片溫度至800℃，碳原子會在金屬基板表面析出，得到單層石墨烯薄膜；

s3：將pmma溶液滴到步驟s2得到的銅基石墨烯上，旋涂均勻后，置于加熱板烘干，采用1mol/l的fecl3溶液刻蝕掉銅箔，經(jīng)過去離子水清洗，得到懸浮的單層石墨烯；

s4：將步驟s3中的單層石墨烯用步驟s1得到的ggg/yig襯底撈出，保證石墨烯的平整，去掉pmma層，在加熱板上90℃烘干，制備得到y(tǒng)ig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料：

s5：在步驟s4中的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料上，通過光刻和蒸發(fā)鍍膜制備兩個間距100微米的共面波導(dǎo)天線，天線阻抗50歐姆，天線用于激發(fā)和探測自旋波，證實為一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

實施例2：

一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，該材料包括ggg(釓鎵石榴石)單晶基片以及yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，使用激光脈沖沉積(pld)方法在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，在yig薄膜上，將氣相沉積方法生長的單層石墨烯轉(zhuǎn)移到高品質(zhì)的yig薄膜上，烘干處理形成yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜為單晶薄膜，厚度在500納米，所述單層石墨烯利用氣相沉積方法生長得到，所述的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料最大直徑3英寸。

以上材料的制備方法，包括以下步驟：

s1：選擇高純度(高于99.99％)fe2o3和y2o3作為原材料，通過固相反應(yīng)法制備y3fe5o12靶材，通過激光脈沖沉積方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜得到ggg/yig襯底，脈沖頻率10hz，氧分壓0.1pa，基片溫度500℃；

s2：利用化學氣相沉積方法，在鎳箔上生長單層石墨烯薄膜，得到鎳基石墨烯；本實施例中，化學氣相沉積方法是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在鎳箔等具有溶碳量的金屬基片上，在1200℃基片溫度下將碳源高溫分解，碳原子滲入金屬基片，再降低基片溫度至900℃，碳原子會在金屬基板表面析出，得到單層石墨烯薄膜；

s3：將pmma溶液滴到鎳基石墨烯上，旋涂均勻后，置于加熱板烘干，采用1mol/l的fecl3溶液刻蝕掉鎳箔，經(jīng)過去離子水清洗，得到懸浮的單層石墨烯；

s4：將步驟s3中的單層石墨烯用步驟s1得到的ggg/yig襯底撈出，保證石墨烯的平整，去掉pmma層，在加熱板上90℃烘干，制備得到y(tǒng)ig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料；

s5：在步驟s4中的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料上，通過光刻和蒸發(fā)鍍膜制備兩個間距1000微米的共面波導(dǎo)天線，天線阻抗50歐姆，天線用于激發(fā)和探測自旋波，得到了一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

實施例3：

一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，該材料包括ggg(釓鎵石榴石)單晶基片以及yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，使用磁控濺射方法在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，在yig薄膜上，將氣相沉積方法生長的單層石墨烯轉(zhuǎn)移到高品質(zhì)的yig薄膜上，烘干處理形成yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜為單晶薄膜，厚度在1微米，所述單層石墨烯利用氣相沉積方法生長得到，所述的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料的面積為5×5cm²。

以上材料的制備方法，包括以下步驟：

s1：選擇高純度(高于99.99％)fe2o3和y2o3作為原材料，通過固相反應(yīng)法制備y3fe5o12靶材，通過磁控濺射方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，制備得到ggg/yig襯底，濺射功率70w，氧分壓0.5pa，基片溫度750℃；

s2：利用化學氣相沉積方法，在銅箔上生長單層石墨烯薄膜，得到銅基石墨烯；本實施例中，化學氣相沉積方法是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在銅箔等具有溶碳量的金屬基片上，在1100℃基片溫度下將碳源高溫分解，碳原子滲入金屬基片，再降低基片溫度至850℃，碳原子會在金屬基板表面析出，得到單層石墨烯薄膜；

s3：將pmma溶液滴到銅基石墨烯上，旋涂均勻后，置于加熱板烘干，采用1mol/l的fecl3溶液刻蝕掉銅箔，經(jīng)過去離子水清洗，得到懸浮的單層石墨烯；

s4：將步驟s3中的單層石墨烯用步驟s1得到的ggg/yig襯底撈出，保證石墨烯的平整，去掉pmma層，在加熱板上90℃烘干，制備得到y(tǒng)ig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料。

s5：在步驟s4中的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料上，通過光刻和蒸發(fā)鍍膜制備兩個間距2000微米的共面波導(dǎo)天線，天線阻抗50歐姆，天線用于激發(fā)和探測自旋波，得到了一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

實施例4

一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，該材料包括ggg(釓鎵石榴石)單晶基片以及yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，使用磁控濺射方法在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，在yig薄膜上，將氣相沉積方法生長的單層石墨烯轉(zhuǎn)移到高品質(zhì)的yig薄膜上，烘干處理形成yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜為單晶薄膜，厚度在15微米，所述單層石墨烯利用氣相沉積方法生長得到，所述的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料最大直徑3英寸。

以上材料的制備方法，包括以下步驟：

s1：選擇高純度(高于99.99％)fe2o3和y2o3作為原材料，通過固相反應(yīng)法制備y3fe5o12靶材，通過磁控濺射方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，制備得到ggg/yig襯底，濺射功率30w，氧分壓0.1pa，基片溫度550℃；

s2：利用化學氣相沉積方法，在鎳箔上生長單層石墨烯薄膜，得到鎳基石墨烯；本實施例中，化學氣相沉積方法是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在鎳箔等具有溶碳量的金屬基片上，在1000℃基片溫度下將碳源高溫分解，碳原子滲入金屬基片，再降低基片溫度至900℃，碳原子會在金屬基板表面析出，得到單層石墨烯薄膜；

s3：將pmma溶液滴到鎳基石墨烯上，旋涂均勻后，置于加熱板烘干，采用1mol/l的fecl3溶液刻蝕掉鎳箔，經(jīng)過去離子水清洗，得到懸浮的單層石墨烯；

s4：將步驟s3中的單層石墨烯用步驟s1得到的ggg/yig襯底撈出，保證石墨烯的平整，去掉pmma層，在加熱板上90℃烘干，制備得到y(tǒng)ig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料。

s5：在步驟s4中的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料上，通過光刻和蒸發(fā)鍍膜制備兩個間距1500微米的共面波導(dǎo)天線，天線阻抗50歐姆，天線用于激發(fā)和探測自旋波，得到了一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

實施例5：

一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，該材料包括ggg(釓鎵石榴石)單晶基片以及yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，使用激光脈沖沉積(pld)方法在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，在yig薄膜上，將氣相沉積方法生長的單層石墨烯轉(zhuǎn)移到高品質(zhì)的yig薄膜上，烘干處理形成yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜為單晶薄膜，厚度在1微米，所述單層石墨烯利用氣相沉積方法生長得到，所述的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料最大直徑3英寸。

以上材料的制備方法，包括以下步驟：

s1：選擇高純度(高于99.99％)fe2o3和y2o3作為原材料，通過固相反應(yīng)法制備y3fe5o12靶材，通過激光脈沖沉積方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜得到ggg/yig襯底，脈沖頻率50hz，氧分壓0.5pa，基片溫度700℃；

s2：利用化學氣相沉積方法，在銅箔上生長單層石墨烯薄膜，得到銅基石墨烯；本實施例中，化學氣相沉積方法是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在銅箔等具有溶碳量的金屬基片上，在1200℃基片溫度下將碳源高溫分解，碳原子滲入金屬基片，再降低基片溫度至900℃，碳原子會在金屬基板表面析出，得到單層石墨烯薄膜；

s3：將pmma溶液滴到銅基石墨烯上，旋涂均勻后，置于加熱板烘干，采用1mol/l的fecl3溶液刻蝕掉銅箔，經(jīng)過去離子水清洗，得到懸浮的單層石墨烯；

s4：將步驟s3中的單層石墨烯用步驟s1得到的ggg/yig襯底撈出，保證石墨烯的平整，去掉pmma層，在加熱板上90℃烘干，制備得到y(tǒng)ig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料；

s5：在步驟s4中的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料上，通過光刻和蒸發(fā)鍍膜制備兩個間距1300微米的共面波導(dǎo)天線，天線阻抗50歐姆，天線用于激發(fā)和探測自旋波，得到了一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

實施例6：

一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料，該材料包括ggg(釓鎵石榴石)單晶基片以及yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，使用液相外延法在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，在yig薄膜上，將氣相沉積方法生長的單層石墨烯轉(zhuǎn)移到高品質(zhì)的yig薄膜上，烘干處理形成yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料，所述yig(釔鐵石榴石)薄膜為單晶薄膜，厚度在100納米，所述單層石墨烯利用氣相沉積方法生長得到，所述的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料最大直徑3英寸。

以上材料的制備方法，包括以下步驟：

s1：選擇高純度(高于99.99％)fe2o3和y2o3作為原材料，通過液相外延方法，在ggg單晶基片上生長高品質(zhì)yig薄膜，得到ggg/yig襯底，具體的說，本實施例中液相外延法具體是將高純度fe2o3、y2o3和bi2o3在1100℃下熔融，bi2o3作為熔劑，充分攪拌溶液，用重鉻酸鉀和濃硫酸的混合液、去離子水、naoh和nahco3混合液、去離子水、異丙醇依次清洗ggg單晶基片，將ggg基片置于鉑金支架上，浸入液相環(huán)境，降低生長溫度至980℃，緩慢旋轉(zhuǎn)提拉桿，生長磁性yig單晶薄膜，得到ggg/yig襯底；

s2：利用化學氣相沉積方法，在鎳箔上生長單層石墨烯薄膜；本實施例中，化學氣相沉積方法是以甲烷等含碳化合物作為碳源，在鎳箔等具有溶碳量的金屬基片上，在1000℃基片溫度下將碳源高溫分解，碳原子滲入金屬基片，再降低基片溫度至900℃，碳原子會在金屬基板表面析出，得到單層石墨烯薄膜；

s3：將pmma溶液滴到步驟s2得到的鎳基石墨烯上，旋涂均勻后，置于加熱板烘干，采用1mol/l的fecl3溶液刻蝕掉鎳箔，經(jīng)過去離子水清洗，得到懸浮的單層石墨烯；

s4：將步驟s3中的單層石墨烯用步驟s1得到的ggg/yig襯底撈出，保證石墨烯的平整，去掉pmma層，在加熱板上90℃烘干，制備得到y(tǒng)ig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料：

s5：在步驟s4中的yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)材料上，通過光刻和蒸發(fā)鍍膜制備兩個間距100微米的共面波導(dǎo)天線，天線阻抗50歐姆，天線用于激發(fā)和探測自旋波，得到了一種非互易自旋波異質(zhì)結(jié)波導(dǎo)材料。

檢測實施例

選擇實施例2制備得到的樣品進行檢測，如圖1為本發(fā)明所得到的ggg/yig/石墨烯異質(zhì)結(jié)自旋波波導(dǎo)材料示意圖，圖中，1代表ggg單晶基片，2代表磁性yig薄膜，3代表石墨烯薄膜，磁性yig薄膜上下表面?zhèn)鬏數(shù)撵o磁表面波mssw的幅值和峰位發(fā)生顯著改變，表現(xiàn)出典型的自旋波傳輸非互易性。如圖2為自旋波共振(swr)法測試的yig(200nm)/石墨烯體系中g(shù)gg/yig和yig/石墨烯界面的自旋波傳輸曲線，激發(fā)頻率2ghz，掃磁場得到y(tǒng)ig上下界面處的自旋波傳輸曲線；其中，虛線表示ggg/yig界面的自旋波傳輸曲線，實線表示yig/石墨烯界面的自旋波傳輸曲線；在yig/石墨烯界面?zhèn)鬏數(shù)淖孕ǚ容^ggg/yig界面自旋波幅度減小了36％，自旋波模式峰位移動了13oe(6.2％)，該異質(zhì)結(jié)材料具有很強的非互易性自旋波傳輸特性。

最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求和說明書的范圍當中。