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NiCuZn鐵氧體磁片及制備方法與流程

文檔序號:11191187閱讀:1297來源:國知局

本發(fā)明屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種應用于nfc系統(tǒng)高磁導率實部(μ′)、高品質(zhì)因數(shù)(q)的nicuzn鐵氧體磁片及其制備方法。



背景技術(shù):

nfc(nearfieldcommunication)近場通信技術(shù)是最近幾年興起的、從射頻識別(rfid)技術(shù)演化而來的一種新技術(shù),是互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與rfid(射頻識別技術(shù))結(jié)合的產(chǎn)物。它具有數(shù)據(jù)量大、保密性高、抗干擾能力強、識別時間短、費用較低等優(yōu)點,具有良好的應用前景。特別是nfc技術(shù)與手機相結(jié)合應用的趨勢,使其成為未來一項令人矚目的新技術(shù)。它可以滿足任何兩個無線設(shè)備問的信息交換、內(nèi)容訪問、服務交換,并且使之更為簡約。這將任意兩個無線設(shè)備間的通信距離大大縮短??梢栽诙叹嚯x(小于20厘米)的范圍中進行通信,這樣不僅大大的簡化了識別過程,而且能使電子設(shè)備更清楚、更安全、更直接的相互通信。目前,nfc技術(shù)在手機支付、公交、門禁等領(lǐng)域發(fā)揮著巨大作用,而且該技術(shù)的興起為高性能鐵氧體材料的應用開辟了新的途徑。

由于手機類消費電子產(chǎn)品對外觀要求比較高,因此nfc手機天線一般需要內(nèi)置。手機內(nèi)部的金屬環(huán)境會產(chǎn)生一個由電渦流產(chǎn)生的感應磁場,根據(jù)楞次定理,這個磁場的方向與原磁場的方向相反,因此信號強度會減弱,作用距離縮短。采用高磁導率、低磁損耗鐵氧體材料制作的磁片可以有效的解決此問題。其作用是隔離金屬材料對天線磁場的吸收,增加天線的磁場強度,從而有效增加通信感應距離。對于nfc用nicuzn鐵氧體磁片,首先要求其在13.56mhz時磁導率盡量高,高磁導率磁片可以提高nfc天線近場耦合作用距離;其次磁片的磁導率虛部μ″應該盡量低,品質(zhì)因數(shù)q值(13.56mhz)盡量高,這樣可以很大程度上減少手機內(nèi)部金屬環(huán)境對nfc天線信號造成的影響,也有利于提高天線的作用距離。因此,開發(fā)一種在13.56mhz在具有高μ′的同時也能保證高q值的nicuzn鐵氧體磁片有非常廣闊的應用前景,并對推動nfc應用推廣有非常重要的現(xiàn)實意義。

由于復數(shù)磁導率μ′、μ″均與起始磁導率μi相關(guān),因此提高μ′、降低μ″難以兼得,起始磁導率μi和q值是相互制約的兩個技術(shù)參數(shù),二者需要綜合調(diào)節(jié),在保證磁導率μ′的基礎(chǔ)上盡量降低μ″。因此目前高μ′、高q值的nicuzn鐵氧體磁片已成為磁材業(yè)界的一個熱點。tdk公司的ibf15磁片,13.56mhz磁導率實部μ′為150、q值30(厚度100、180μm);ifl04磁片,13.56mhz磁導率實部μ′為45、q值為34.6(厚度50、100μm)。maruwa公司的fsf系列鐵氧體磁片,13.56mhz磁導率實部μ′130~150(厚度100、140、260μm)。專利cn201610014662.3公布了一種nicuzn鐵氧體磁片制備方法,通過先后加入各種溶劑,按各自不同的球磨時間進行混合后壓制,增加成型片材的密度提高磁性能,具體參數(shù)為μ′=178.6、q=50,μ′=165.3、q=53,μ′=145.1、q=76,厚度30~120μm。專利cn201410424887.7公布了一種使用水基流延漿料制備的nfc磁性基板及其制備方法,μ′范圍在120~350、q值4.4~40,厚度80~250μm。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目標是提供一種工作頻率在13.56mhz、同時具有較高的磁導率實部(μ′>150)和高品質(zhì)因數(shù)q(>100)的nicuzn鐵氧體屏蔽磁片及其制備方法。

本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是,nicuzn鐵氧體磁片的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

1)選擇主料配方:按氧化物計算,主料包括:

fe2o3:48.0~49.5mol%,zno:21~24mol%,nio:20.5~16.5mol%,cuo:10.0~11.0mol%;

2)一次球磨:球磨主料,混合均勻;

3)預燒:粉料烘干后,800~900℃預燒2~3h;

4)摻雜:將粉料使用以下添加劑進行摻雜:co2o3:0.20~0.50wt%,tio2:0.10~0.40wt%,sno2:0.10~0.40wt%;

5)球磨漿料:按照摻雜有添加劑的粉料300~380重量單位、有機粘結(jié)劑150~200重量單位、酒精100~200重量單位的比例,球磨混合均勻;

6)流延成型:將混合均勻的漿料通過流延工藝制備100~200μm厚度的生膜帶,溫度50~60℃下烘干;

7)疊片熱壓:將流延獲得的生膜帶疊片2~4層分段進行熱壓成型,壓力8~14mpa,溫度70~90℃,熱壓時間20~30min,壓制完成的膜帶150~600μm;

8)燒結(jié):生片經(jīng)壓制后裁剪成所需要的規(guī)格,再將裁剪后的生片在爐內(nèi)進行燒制,冷卻后獲得磁片;

9)柔性處理:

燒結(jié)完成磁片厚度120~480μm,塑封、裂片;

進一步的,所述步驟8)中,燒結(jié)工藝為:升溫速率0.5~1.5℃/min,保溫溫度1000~1100℃、時間2~4h,空氣燒結(jié),降溫速率0.75~1.5℃/min。

本發(fā)明還提供一種nicuzn鐵氧體磁片,其特征在于,其組分包括主料和添加劑,按氧化物計算,主料包括:fe2o3:48.0~49.5mol%,zno:21~24mol%,nio:20.5~16.5mol%,cuo:10.0~11.0mol%;

添加劑包括:co2o3:0.20~0.50wt%,tio2:0.10~0.40wt%,sno2:0.10~0.40wt%。添加劑的比例以主料經(jīng)800~900℃預燒2~3h后的產(chǎn)物的質(zhì)量為基準。

對本發(fā)明的磁片使用安捷倫4291b阻抗分析儀測試磁片樣品的磁譜,測試范圍1~200mhz。本發(fā)明所制得的鐵氧體磁片,在13.56mhz頻率下復數(shù)磁導率實部μ′為150~160、復數(shù)磁導率虛部μ″為1.4~1.6、q>100、厚度100~300μm,并具有良好的柔韌性。

具體實施方式

本發(fā)明的主要思路是:采用nicuzn鐵氧體缺鐵配方,增加空位促進離子擴散提高致密度,減少fe2+的產(chǎn)生進而減少磁滯損耗,提高q值;提高燒結(jié)溫度增大晶粒尺寸及致密度,增加疇壁位移提高材料磁導率;適當增加zno含量促進固相反應,同時提高飽和磁化強度ms、降低磁晶各向異性常數(shù)k1和致伸縮系數(shù)λs,從而提高起始磁導率μi;co2+、ti4+、sn4+等離子通過增加疇壁移動阻力、提高疇壁共振頻率及調(diào)節(jié)k1和λs,減少μ″,增加q值;分段熱壓提高流延生膜帶的致密度提高磁片的磁導率;在適宜的升溫速率下燒制出磁片,固相反應完全,同時平整度較高。

針對目前nfc手機支付系統(tǒng)對高磁導率實部μ′、高品質(zhì)因數(shù)q的鐵氧體磁片的需求,本發(fā)明提供了應用頻率13.56mhz、高磁導率實部μ′、低磁導率虛部μ″、高q值nicuzn鐵氧體磁片及制備方法。本發(fā)明的指導思想是:采用缺鐵配方有利于鐵氧體的高頻應用,缺鐵配方產(chǎn)生的陽離子空位促進離子擴散提升燒結(jié)樣品的致密度,并減少fe2+的產(chǎn)生降低了電阻率。利用非磁性的zn2+減小超交換作用和產(chǎn)生磁晶各向異性離子的數(shù)目,提高μi;采用co2o3、tio2、sno2等添加劑控制nicuzn鐵氧體磁片的磁化機制,進而控制nicuzn鐵氧體磁片損耗,制定最優(yōu)的摻雜配方;生膜帶干坯片的厚度按如下公式:

α為干燥時厚度收縮率,h和l分別為刮刀間隙的高度與長度;η為漿料粘度;δp為內(nèi)斗壓力;vo為相對速度。漿料制作中鐵氧體粉末與有機粘結(jié)劑(包含粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑)、酒精的比例直接影響到漿料粘度和磁片收縮率,結(jié)合流延成型、致密化燒結(jié),制備了在13.56mhz時具有高磁導率實部μ′、低磁導率虛部μ″、高q值的nicuzn鐵氧體磁片。

本發(fā)明的nicuzn鐵氧體磁片主要氧化物成分按照摩爾百分比計算,摻雜劑成分按質(zhì)量百分比,以氧化物計算。

例如,主料包括fe2o3:48.0~49.5mol%,zno:21~24mol%,nio:20.5~16.5mol%,cuo:10.0~11.0mol%;

添加劑包括:

co2o3:0.20~0.50wt%,tio2:0.10~0.40wt%,sno2:0.10~0.40wt%。

其中fe2o3在主料中的摩爾百分比為48.0~49.5mol%,

添加劑以預燒后的主料的質(zhì)量為基準,例如,若預燒處理后的主料為100g,則co2o3的質(zhì)量為0.20~0.50g,tio2為0.10~0.40g,sno2為0.10~0.40g。

本發(fā)明的高磁導率實部μ′、低磁導率虛部μ″、高q值的nicuzn鐵氧體磁片及其制備方法,包括以下步驟:

1.主配方:

fe2o3:48.0~49.5mol%,zno:21~24mol%,nio:20.5~16.5mol%,cuo:10.0~11.0mol%;

2.一次球磨:

將粉料使用鋼球球磨混合均勻,時間1~2h;

3.預燒:

將一磨粉料烘干后,800~900℃預燒2~3h;

4.摻雜:

將步驟3中粉料使用以下添加劑進行摻雜:co2o3:0.20~0.50wt%,tio2:0.10~0.40wt%,sno2:0.10~0.40wt%;

5.球磨漿料:

將4中摻雜完添加劑的粉料300~380g、有機粘結(jié)劑(包含粘結(jié)劑、分散劑、增塑劑)150~200g、酒精100~200g,球磨2~4h混合均勻;

6.流延成型:

將混合均勻的漿料通過流延工藝制備100~200μm厚度的生膜帶,烘干溫度50~60℃;

7.疊片熱壓:

將流延獲得的生膜帶疊片2~4層分段進行熱壓成型,壓力8~14mpa、溫度70~90℃、時間20~30min,壓制完成的膜帶150~600μm;

8.燒結(jié):

生片經(jīng)壓制后裁剪成所需要的規(guī)格,再將裁剪后的生片在爐內(nèi)進行燒制,冷卻后獲得磁片。所用燒結(jié)工藝:升溫速率0.5~1.5℃/min,保溫溫度1000~1100℃、時間2~4h,空氣燒結(jié),降溫速率0.75~1.5℃/min;

9.柔性處理:

燒結(jié)完成磁片厚度120~480μm,塑封、裂片;

10.測試:

使用安捷倫4291b阻抗分析儀測試磁片樣品的磁譜,測試范圍1~200mhz。

實施例1~3:

一種高磁導率實部μ′、低磁導率虛部μ″、高q值的nicuzn鐵氧體磁片及其制備方法,包括以下步驟:

1.配方

實施例1~3主配方見下表:

2.一次球磨

將粉料在球磨機中混合均勻,時間2h;

3.預燒

將步驟2所得球磨料烘干,并在850℃爐內(nèi)預燒2h;

4.摻雜

將步驟3所得料粉按質(zhì)量比加入以下添加劑:

5.二次球磨

取步驟4所得粉料1~3各300g加入150g有機粘合劑、130g酒精球磨3h混合均勻;

6.流延成型

將混合均勻的漿料通過流延工藝制備200μm厚度的生膜帶,刮刀高度600μm烘干溫度50~60℃;

7.疊片熱壓

將生膜帶疊壓2片,分三步進行熱壓:第一階段8mpa/8min,70℃、第二階段14mpa/10min,70℃、第三階段8mpa/7min,70℃,壓制完成膜片300μm。

8.燒結(jié)

將壓制完成的膜片1~3裁剪后置于燒結(jié)爐內(nèi)燒結(jié),升溫速率1.0℃/min,保溫溫度1050℃、時間3h,空氣燒結(jié),降溫速率0.75℃/min;

經(jīng)過以上工藝制備的nicuzn鐵氧體磁片,厚度250μm(±10μm),在13.56mhz頻率時具有高磁導率實部μ′、低磁導率虛部μ″以及高q值。具體性能指標如下:

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