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一種氧化鋯電子承燒板的制備方法與流程

文檔序號(hào):11503126閱讀:715來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及電子及耐火材料領(lǐng)域,具體說(shuō)是一種氧化鋯電子承燒板的制備方法。



背景技術(shù):

氧化鋯材料因具備優(yōu)異的高溫?zé)岱€(wěn)定性和力學(xué)性能,所以氧化鋯電子承燒板成為電子元器件高溫承燒領(lǐng)域用的優(yōu)選耐火材料。起高溫承燒電子元件的作用,決定著電子元器件的整體承燒質(zhì)量,是保證電子元器件在高溫下不被污染,不發(fā)生變形損壞的必要條件。近年來(lái),隨著電子元器件質(zhì)量的提升,對(duì)生產(chǎn)工藝要求明顯提高,普通氧化鋯電子承燒板已很難滿足使用要求。

現(xiàn)有氧化鋯電子承燒板生產(chǎn)工藝主要有將助劑氧化鈣、氧化釔等直接加入熔煉爐內(nèi)與氧化鋯熔煉,熔煉后產(chǎn)品直接出爐自然冷卻,經(jīng)破碎加工到一定粒度的粉體直接配入粘結(jié)劑制作承燒板,高溫?zé)Y(jié)成型;也有使用氧化鋁,氧化鋁+氧化鋯等原料制作承燒板的。

現(xiàn)有方法中存在問(wèn)題主要為生產(chǎn)出的承燒板出現(xiàn)燒結(jié)成品率低,體積密度偏低,線變化率不穩(wěn)定和抗彎折強(qiáng)度不足等。用以上氧化鋯為原料為例,生產(chǎn)的承燒板體積密度4.2~4.4g/cm3之間,線變化率在1.0%~2.0%,抗彎折強(qiáng)度<1100mpa,在下游電子承燒中應(yīng)用周期僅為3~6個(gè)月。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種高致密度、抗彎折強(qiáng)度好、高溫使用壽命長(zhǎng)的氧化鋯電子承燒板的制備方法。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:提供一種氧化鋯電子承燒板的制備方法,包括如下步驟:

氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯在電弧爐內(nèi)完成熔煉得到釔穩(wěn)定鋯粉體,所述釔穩(wěn)定鋯粉體中氧化釔質(zhì)量百分含量為6%~8%;

將所述釔穩(wěn)定鋯粉體分別研磨至如下粒度和占比:40-80目粉體質(zhì)量占比15%~25%,80-120目粉體質(zhì)量比占比10%~25%,120~200目粉體質(zhì)量比占比20%~30%,325-1000目粉體質(zhì)量比占比25%~40%,1000目粉體質(zhì)量比占比<10%,得釔穩(wěn)定鋯粉體組合;

將上述釔穩(wěn)定鋯粉體組合使用120目篩進(jìn)行分段,粒度120目(大于120目)以下粉體置于2%~5%溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)的稀酸中進(jìn)行浸泡0.5~6h,然后用清水洗滌,在100~200℃下烘干1~5h得烘干粉體,所述烘干粉體中水分含量質(zhì)量百分?jǐn)?shù)<0.1%;

加入烘干粉體的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.5%~0.8%的氧化鎂、0.25~0.75%的氧化鈰至烘干粉體中,混合均勻,得混合粉體;

將上述混合粉體與釔穩(wěn)定鋯粉體組合中40-120目(釔穩(wěn)定鋯粉體組合中粒度120目以上)釔穩(wěn)定鋯粉體粗料混合均勻,加入占混合料質(zhì)量百分?jǐn)?shù)4%~7%的粘結(jié)劑進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒;

將加密造粒后得到的粉體壓制燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。

本發(fā)明的有益效果在于:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明方法制得的氧化鋯電子承燒板抗折強(qiáng)度高,同等條件下可抗彎折強(qiáng)度達(dá)到1200mpa以上,體積密度達(dá)到4.5~4.65g/cm3,板線變化率在0.5%左右。由于其抗彎折能力強(qiáng)、氣孔率低、體積密度高,樣品收縮率穩(wěn)定,同時(shí),減少污染電子元器件幾率,與市場(chǎng)上現(xiàn)有的產(chǎn)品相比,具有優(yōu)異的高溫抗彎折變形能力和高的體積密度,承燒板使用周期可達(dá)到7~9個(gè)月。本發(fā)明方法可以解決現(xiàn)有氧化鋯電子承燒板使用周期短、重復(fù)利用率低等問(wèn)題,將為電子及耐火材料領(lǐng)域作出極大貢獻(xiàn)。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果,以下結(jié)合實(shí)施方式予以說(shuō)明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:首先通過(guò)電爐熔煉控制氧化鋯中氧化釔的含量,然后通過(guò)研磨工藝實(shí)現(xiàn)電熔釔穩(wěn)定鋯粉體粒徑的控制和粒度的合理級(jí)配。再將研磨后的120目下粉體置于2%~5%濃度的稀酸中進(jìn)行浸泡0.5~6h,水洗至ph接近中性以去除有害雜質(zhì),烘干后的120目下細(xì)粉體中配入0.5%~0.8%的氧化鎂、0.25~0.75%的氧化鈰,混合均勻,以在制品高溫焙燒過(guò)程提升制品整體穩(wěn)定化率。將混好的120目下料與40-120目粗料混合,加入4%~7%的粘結(jié)劑進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒,于180~260mpa壓力下壓制燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。

本發(fā)明提供一種氧化鋯電子承燒板的制備方法,包括如下步驟:

1、氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯在電弧爐內(nèi)完成熔煉得到釔穩(wěn)定鋯粉體,所述釔穩(wěn)定鋯粉體中氧化釔質(zhì)量百分含量為6%~8%;

2、將所述釔穩(wěn)定鋯粉體分別研磨至如下粒度和占比:40-80目粉體質(zhì)量占比15%~25%,80-120目粉體質(zhì)量比占比10%~25%,120~200目粉體質(zhì)量比占比20%~30%,325-1000目粉體質(zhì)量比占比25%~40%,1000目粉體質(zhì)量比占比<10%,得釔穩(wěn)定鋯粉體組合;

3、將上述釔穩(wěn)定鋯粉體組合中,粒度120目以下粉體置于2%~5%溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)的稀酸中進(jìn)行浸泡0.5~6h,然后用清水洗滌,在100~200℃下烘干1~5h得烘干粉體,所述烘干粉體中水分含量質(zhì)量百分?jǐn)?shù)<0.1%;

4、加入烘干粉體的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.5%~0.8%的氧化鎂、0.25~0.75%的氧化鈰至烘干粉體中,混合均勻,得混合粉體;

5、將混合粉體與釔穩(wěn)定鋯粉體組合中40-120目粗料混合得混合料,加入占混合料質(zhì)量百分?jǐn)?shù)4%~7%的粘結(jié)劑進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒;

6、將加密造粒后得到的粉體壓制燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。

在上述制備方法中,步驟1通過(guò)電熔法實(shí)現(xiàn)一定氧化釔含量釔穩(wěn)定鋯熔煉;步驟2通過(guò)研磨工藝實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鋯粉體粒徑的控制和粒度的合理級(jí)配;步驟3通過(guò)酸洗水洗去除細(xì)粉中硅、鐵、鈦等雜質(zhì)成分,同時(shí)對(duì)粉體棱角形貌進(jìn)行改善;步驟4通過(guò)加入0.5%~0.8%的氧化鎂、0.25~0.75%的氧化鈰進(jìn)一步提升產(chǎn)品整體高溫穩(wěn)定性,以提升制品抗折強(qiáng)度;步驟5通過(guò)輥壓造粒技術(shù)提高粉體的體積密度和減少燒結(jié)后制品的氣孔率;步驟6通過(guò)高壓壓制及燒制技術(shù)將氧化鋯板燒結(jié)成體積密度高、收縮率小、抗彎折強(qiáng)度性能好的氧化鋯電子承燒板。

從上述描述可知,本發(fā)明的有益效果在于:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明方法制得的氧化鋯電子承燒板抗折強(qiáng)度高,同等條件下可抗彎折強(qiáng)度達(dá)到1200mpa以上,體積密度達(dá)到4.5~4.65g/cm3,板線變化率在0.5%左右。由于其抗彎折能力強(qiáng)、氣孔率低、體積密度高,樣品收縮率穩(wěn)定,同時(shí),減少污染電子元器件幾率,與市場(chǎng)上現(xiàn)有的產(chǎn)品相比,具有優(yōu)異的高溫抗彎折變形能力和高的體積密度,承燒板使用周期可達(dá)到7~9個(gè)月。本發(fā)明方法可以解決現(xiàn)有氧化鋯電子承燒板使用周期短、重復(fù)利用率低等問(wèn)題,將為電子及耐火材料領(lǐng)域作出極大貢獻(xiàn)。

進(jìn)一步的,上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述稀酸選自稀鹽酸、稀硫酸和稀草酸中的一種或幾種。

進(jìn)一步的,上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述氧化鋯的純度≥99%,氧化釔純度≥99.8%,氧化鎂純度≥99.9%,氧化鈰純度≥99.9%。

進(jìn)一步的,上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述粘結(jié)劑為聚烯醇類或有機(jī)樹(shù)脂類。

進(jìn)一步的,上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述粘結(jié)劑為聚乙烯醇或酚醛樹(shù)脂。

進(jìn)一步的,上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述“輥壓機(jī)進(jìn)行加密造?!敝屑用茉炝5拇螖?shù)為3次。

進(jìn)一步的,上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述“將加密造粒后得到的粉體壓制,燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板”具體為:將加密造粒后得到的粉體于180~260mpa下壓制燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。

進(jìn)一步的,上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述燒結(jié)的溫度曲線為:0~650℃:240min,650~650℃:90min,650~1450℃:300min,1450~1450℃:60min,1450~1660℃:90min,1660~1660℃:200min,制品隨爐冷卻至常溫出爐。

實(shí)施例1:

一種氧化鋯電子承燒板的制備方法,包括如下步驟:

氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯在電弧爐內(nèi)完成熔煉得到釔穩(wěn)定鋯粉體,所述釔穩(wěn)定鋯粉體中氧化釔質(zhì)量百分含量為6%;

將所述釔穩(wěn)定鋯粉體分別研磨至如下粒度和占比:40-80目粉體質(zhì)量占比15%,80-120目粉體質(zhì)量比占比25%,120~200目粉體質(zhì)量比占比30%,325-1000目粉體質(zhì)量比占比25%,1000目粉體質(zhì)量比占比為5%,得釔穩(wěn)定鋯粉體組合;

將上述釔穩(wěn)定鋯粉體組合中,粒度120目以下粉體置于2%溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)的鹽酸中進(jìn)行浸泡0.5h,然后用清水洗滌,在100℃下烘干1h得烘干粉體,所述烘干粉體中水分含量質(zhì)量百分?jǐn)?shù)<0.1%;

加入烘干粉體的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.5%的氧化鎂、0.25%的氧化鈰至烘干粉體中,混合均勻,得混合粉體;

將混合粉體與釔穩(wěn)定鋯粉體組合中40-120目粗料混合得混合料,加入占混合料質(zhì)量百分?jǐn)?shù)4%的聚乙烯醇進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒,加密造粒的次數(shù)為3次。

將加密造粒后得到的粉體于180~260mpa下壓制燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。所述燒結(jié)的溫度曲線為:0~650℃:240min,650~650℃:90min,650~1450℃:300min,1450~1450℃:60min,1450~1660℃:90min,1660~1660℃:200min,制品隨爐冷卻至常溫出爐。

上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述氧化鋯的純度≥99%,氧化釔純度≥99.8%,氧化鎂純度≥99.9%,氧化鈰純度≥99.9%。

經(jīng)檢測(cè),所制得的氧化鋯電子承燒板的線變化率為0.45%,體積密度達(dá)到4.560g/cm3,樣品抗折強(qiáng)度為1233.15mpa。

實(shí)施例2

一種氧化鋯電子承燒板的制備方法,包括如下步驟:

氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯在電弧爐內(nèi)完成熔煉得到釔穩(wěn)定鋯粉體,所述釔穩(wěn)定鋯粉體中氧化釔質(zhì)量百分含量為8%;

將所述釔穩(wěn)定鋯粉體分別研磨至如下粒度和占比:40-80目粉體質(zhì)量占比25%,80-120目粉體質(zhì)量比占比25%,120~200目粉體質(zhì)量比占比20%,325-1000目粉體質(zhì)量比占比28%%,1000目粉體質(zhì)量比占比2%,得釔穩(wěn)定鋯粉體組合;

將上述釔穩(wěn)定鋯粉體組合中,粒度120目以下粉體置于5%溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)的鹽酸中進(jìn)行浸泡6h,然后用清水洗滌,在200℃下烘干5h得烘干粉體,所述烘干粉體中水分含量質(zhì)量百分?jǐn)?shù)<0.1%;

加入烘干粉體的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.8%的氧化鎂、0.75%的氧化鈰至烘干粉體中,混合均勻,得混合粉體;

將混合粉體與釔穩(wěn)定鋯粉體組合中40-120目粗料混合,加入占質(zhì)量百分?jǐn)?shù)7%的酚醛樹(shù)脂進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒;所述“輥壓機(jī)進(jìn)行加密造?!敝屑用茉炝5拇螖?shù)為3次。

將加密造粒后得到的粉體于180~260mpa下壓制燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。所述燒結(jié)的溫度曲線為:0~650℃:240min,650~650℃:90min,650~1450℃:300min,1450~1450℃:60min,1450~1660℃:90min,1660~1660℃:200min,制品隨爐冷卻至常溫出爐。

上述的氧化鋯電子承燒板的制備方法中,所述氧化鋯的純度≥99%,氧化釔純度≥99.8%,氧化鎂純度≥99.9%,氧化鈰純度≥99.9%。

經(jīng)檢測(cè),所制得的氧化鋯電子承燒板的線變化率為0.43%,體積密度達(dá)到4.530g/cm3,樣品抗折強(qiáng)度為1255.25mpa。

實(shí)施例3

一種氧化鋯電子承燒板的制備方法,包括如下步驟:

1、氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯在電弧爐內(nèi)完成熔煉,實(shí)現(xiàn)釔穩(wěn)定鋯中氧化釔質(zhì)量百分含量控制在6.8%;

2、將電熔法制備的釔穩(wěn)定鋯粉體研磨至粒度40-80目粉體質(zhì)量占比15.5%,80-120目粉體質(zhì)量比占比18.5%,120-200目粉體質(zhì)量比占比25%,325-1000目粉體質(zhì)量比占比32%,1000目粉體質(zhì)量比占比9%;

3、將研磨后的上述氧化鋯(釔穩(wěn)定鋯粉體)粒度120目以下粉體放于5%濃度的稀鹽酸中進(jìn)行浸泡5.5h,然后用清水洗至ph接近中性,在130℃下烘干2.0h,洗除細(xì)粉中硅、鐵、鈦等雜質(zhì)成分,洗后粉體中水分0.03%;

4、將烘干后的氧化鋯120目下細(xì)粉體稱重,加入以氧化鋯粉體的重量計(jì)為0.58%的氧化鎂、0.65%的氧化鈰,混合均勻;

5、將以上混好的120目下料與40-120目粗料混合,加入4.5%的酚醛樹(shù)脂進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒;

6、將加密造粒后得到的粉體于200mpa下壓制,燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。

燒結(jié)溫度曲線如下:

0~650℃:240min,650~650℃:90min,

650~1450℃:300min,1450~1450℃:60min,

1450~1660℃:90min,1660~1660℃:200min,

制品隨爐冷卻至常溫出爐。

經(jīng)檢測(cè),所制得的氧化鋯電子承燒板的線變化率為0.49%,體積密度達(dá)到4.560g/cm3,樣品抗折強(qiáng)度為1243.17mpa。

實(shí)施例4

一種氧化鋯電子承燒板的制備方法,包括如下步驟:

1、氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯在電弧爐內(nèi)完成熔煉,實(shí)現(xiàn)釔穩(wěn)定鋯中氧化釔質(zhì)量百分含量控制在7.8%;

2、將電熔法制備的釔穩(wěn)定鋯粉體研磨至粒度40-80目粉體質(zhì)量占比19.5%,80-120目粉體質(zhì)量比占比16.5%,120-200目粉體質(zhì)量比占比28.5%,325-1000目粉體質(zhì)量比占比29.5%,1000目粉體質(zhì)量比占比6%;

3、將研磨后的上述氧化鋯(釔穩(wěn)定鋯粉體)粒度120目以下粉體放于3.5%濃度的稀草酸酸中進(jìn)行浸泡6h,然后用清水洗至ph接近中性,在180℃下烘干2.5h,洗除細(xì)粉中硅、鐵、鈦等雜質(zhì)成分,粉體中水分0.09%;

4、將烘干后的氧化鋯120目下細(xì)粉體稱重,加入以氧化鋯粉體的重量計(jì)為0.72%的氧化鎂、0.35%的氧化鈰,混合均勻;

5、將以上混好的120目下料與40-120目粗料混合,加入6%的粘結(jié)劑進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒;

6、將加密造粒后得到的粉體于250mpa下壓制,燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。

燒結(jié)溫度曲線如下:

0~650℃:240min,650~650℃:90min,

650~1450℃:300min,1450~1450℃:60min,

1450~1660℃:90min,1660~1660℃:200min,

制品隨爐冷卻至常溫出爐。

經(jīng)檢測(cè),所制得的氧化鋯電子承燒板的線變化率為0.37%,體積密度達(dá)到4.590g/cm3,樣品抗折強(qiáng)度為1266.81mpa。

實(shí)施例5

一種氧化鋯電子承燒板的制備方法,包括如下步驟:

1、氧化釔穩(wěn)定型氧化鋯在電弧爐內(nèi)完成熔煉,實(shí)現(xiàn)釔穩(wěn)定鋯中氧化釔質(zhì)量百分含量控制在7.3%;

2、將電熔法制備的釔穩(wěn)定鋯粉體研磨至粒度40-80目粉體質(zhì)量占比16.0%,80-120目粉體質(zhì)量比占比19.5%,120-200目粉體質(zhì)量比占比26.5%,325-1000目粉體質(zhì)量比占比34%,1000目粉體質(zhì)量比占比4%;

3、將研磨后的上述氧化鋯(釔穩(wěn)定鋯粉體)粒度120目以下粉體放于5.5%濃度的稀酸中進(jìn)行浸泡4.5h,然后用清水洗至ph接近中性,在150℃下烘干3.0h,洗除細(xì)粉中硅、鐵、鈦等雜質(zhì)成分,粉體中水分0.01%;

4、將烘干后的氧化鋯120目下細(xì)粉體稱重,加入以氧化鋯粉體的重量計(jì)為0.48%的氧化鎂、0.56%的氧化鈰,混合均勻;

5、將以上混好的120目下料與40-120目粗料混合,加入5.0%的粘結(jié)劑進(jìn)行粘結(jié)混料,混勻后置于輥壓機(jī)進(jìn)行加密造粒;

6、將加密造粒后得到的粉體于230mpa下壓制,燒結(jié)成氧化鋯電子承燒板。

燒燒結(jié)溫度曲線如下:

0~650℃:240min,650~650℃:90min,

650~1450℃:300min,1450~1450℃:60min,

1450~1660℃:90min,1660~1660℃:200min,

制品隨爐冷卻至常溫出爐。

經(jīng)檢測(cè),所制得的氧化鋯電子承燒板的線變化率為0.41%,體積密度達(dá)到4.63g/cm3,樣品抗折強(qiáng)度為1301.46mpa。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的等同變換,或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。

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