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一種測(cè)量晶體硅鑄錠過(guò)程中溫度梯度的方法和裝置與流程

文檔序號(hào):11224604閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種測(cè)量晶體硅鑄錠過(guò)程中溫度梯度的方法,包括:(1)提供測(cè)試棒和坩堝,坩堝中裝有硅熔體,將測(cè)試棒置于硅熔體中,向上提拉,測(cè)試測(cè)試棒在硅熔體中的拉力值F1;(2)調(diào)節(jié)溫度進(jìn)入長(zhǎng)晶階段,使硅熔體開始形核結(jié)晶形成晶體硅,此時(shí)坩堝中包括晶體硅、糊狀區(qū)和未結(jié)晶的硅熔體,將測(cè)試棒伸入坩堝中并下降直至到達(dá)晶體硅的位置,然后將測(cè)試棒向上提拉,提拉的速度與步驟(1)的提拉速度相同,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)測(cè)試棒在提拉過(guò)程中的拉力值F變化;當(dāng)拉力值F與F1相同時(shí),停止提拉,測(cè)試此時(shí)測(cè)試棒的提升高度,提升高度即為糊狀區(qū)的厚度L;(3)按照公式G=(TL–Ts)/L計(jì)算出溫度梯度G與糊狀區(qū)厚度L的數(shù)量關(guān)系,TL–Ts代表硅熔體TL與晶體硅Ts的溫度差。

技術(shù)研發(fā)人員:鐘德京;胡動(dòng)力;鄒軍;劉卿;郭棟
受保護(hù)的技術(shù)使用者:江西賽維LDK太陽(yáng)能高科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.26
技術(shù)公布日:2017.09.08
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