本發(fā)明涉及kdp類晶體，具體涉及一種kdp類晶體的生長裝置。

背景技術：

kdp類晶體是目前唯一可以用于慣性約束核聚變(icf)工程的非線性光學材料。申請?zhí)?01410186495.1、申請公布號cn105088343a的發(fā)明專利介紹了一種kdp類晶體生長載晶架。該發(fā)明的載晶架包括上橫桿、兩個側桿、下橫板以及籽晶桿，其中兩個側桿與上橫桿、下橫板圍成“口”字形結構。該發(fā)明的載晶架在晶體生長過程中旋轉產生的溶液混合作用很弱，這種來自晶體自身和兩個側桿在旋轉中產生的微弱的攪拌不利于晶體快速生長過程中的溶質傳輸和供應，很難快速生長出均勻優(yōu)質的kdp類晶體。該發(fā)明的載晶架和下橫板上逐漸長大的晶體的組合重心很容易偏離籽晶桿旋轉軸心所在的直線，這時籽晶桿帶動的載晶架的旋轉會產生振動，極易引起晶體附近產生雜晶，嚴重影響晶體生長質量。申請?zhí)?01610072296.7、申請公布號cn105603525a的發(fā)明專利介紹了一種用于kdp類晶體生長載晶架。該發(fā)明的載晶架由下橫板、兩個側桿、上橫桿、兩個攪拌槳構成。該發(fā)明的上橫桿的旋轉軸兩邊對稱的位置各安裝一個棱邊均為圓角的梯形體攪拌槳，攪拌槳隨載晶架旋轉可以在整個生長槽中形成多個大型渦流，能夠聯通晶體表面和整個生長槽內的區(qū)域，使溶質在生長槽內的宏觀分布更加均勻，有利于晶體生長邊界層附近的溶質傳輸和供應。但是與申請?zhí)?01410186495.1、申請公布號cn105088343a的發(fā)明專利一樣，該發(fā)明的載晶架和載晶架下橫板上逐漸長大的晶體的組合重心很容易偏離旋轉軸心所在的直線，這時旋轉軸帶動的載晶架的旋轉會產生振動，極易引起晶體附近產生雜晶，影響晶體生長質量。

技術實現要素：

為克服現有kdp類晶體生長的載晶架存在的上述問題，本發(fā)明提供一種kdp類晶體的生長裝置。該裝置有利于快速地生長出更均勻優(yōu)質的kdp類晶體。

本發(fā)明的技術解決方案如下：

一種kdp類晶體的生長裝置，包括供晶體放置的晶體托盤、攪拌槳、攪拌槳連桿、旋轉軸、驅動電機、晶體生長槽本體和生長槽上蓋，其特點在于，還包括至少兩根側桿，所述的晶體托盤通過所述的側桿與生長槽上蓋相連，所述的攪拌槳通過所述的攪拌槳連桿與所述的旋轉軸的下端相連，該旋轉軸的上端與所述的驅動電機相連。

所述的側桿是四根，使得該四根側桿與所述的晶體托盤的四個連接點的連線形成正方形，且其中至少一根側桿是可拆卸的。

所述的攪拌槳為梯形體。

所述的晶體托盤位于所述的晶體生長槽里的生長溶液中以托起生長中的晶體。

所述的驅動電機位于所述的生長槽上蓋上方，通過旋轉軸帶動所述的攪拌槳連桿驅動所述的攪拌槳在所述晶體生長槽內的生長溶液中旋轉。

本發(fā)明的技術效果如下：

在整個晶體生長過程中，保持晶體在晶體托盤上靜止狀態(tài)的同時，通過電機帶動梯形體攪拌槳的旋轉，從而使在晶體不產生雜晶的同時快速生長。

四個側桿的其中一個側桿是可拆卸的，方便晶體生長結束后取出晶體。

附圖說明

圖1是本發(fā)明用于kdp類晶體的生長裝置的正視圖；

圖2是本發(fā)明用于kdp類晶體的生長裝置的側視圖；

圖3是本發(fā)明用于kdp類晶體的生長裝置的透視圖；

圖中：1-晶體托盤；2-側桿；3-攪拌槳；4-攪拌槳連桿；5-旋轉軸；6-驅動電機；7-晶體；8-晶體生長槽；9-生長槽上蓋。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的詳細描述。以下描述用于說明發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。

請參見圖1、圖2和圖3，由圖可見，本發(fā)明用于kdp類晶體的生長裝置，包括晶體托盤1、兩個梯形體攪拌槳3、攪拌槳連桿4、旋轉軸5、驅動電機6、晶體生長槽8和生長槽上蓋9，還有四個側桿2，所述的四個側桿2上端固定在所述的生長槽上蓋9上，所述的四個側桿2的下端與所述的晶體托盤1固定，所述的晶體托盤1位于所述的晶體生長槽8里的生長溶液中以托起生長的晶體，所述的驅動電機6位于所述的生長槽上蓋9上方，通過旋轉軸5帶動所述的攪拌槳連桿4驅動所述的兩個梯形體攪拌槳3在所述的晶體生長槽8里的生長溶液中旋轉。

四個側桿2上端固定在生長槽上蓋9上，與所述的旋轉軸5分離。為保證生長完成后的晶體能夠順利的取出，四個側桿2的其中一個側桿可拆卸，能夠方便拆卸和安裝，以便取出生長出的大晶體。旋轉軸5固定在攪拌槳連桿4的中間位置，在攪拌槳連桿4上旋轉軸5的兩邊設有垂直向下的梯形體攪拌槳3，該攪拌槳3的棱邊成圓角。

本發(fā)明的梯形體攪拌槳在旋轉過程中可以為晶體快速生長及時補充新的溶質，整個晶體生長過程中靜止在晶體托盤上的晶體不會振動，因而晶體附近不會產生雜晶。模擬分析表明，本發(fā)明的兩個梯形體攪拌槳在整個生長槽中產生的多個大型渦流，能夠保證晶體表面和整個生長槽內區(qū)域的聯通，有利于晶體生長邊界層附近的溶質傳輸和供應。晶體生長實驗表明，本發(fā)明可以明顯降低晶體產生雜晶等缺陷的幾率，快速生長出更均勻、更高質量的晶體，有利于快速地生長出更均勻優(yōu)質的kdp類晶體。

技術特征：

技術總結
一種KDP類晶體的生長裝置，包括供晶體放置的晶體托盤、攪拌槳、攪拌槳連桿、旋轉軸、驅動電機、晶體生長槽本體和生長槽上蓋，其特點在于，還包括至少兩根側桿，所述的晶體托盤通過所述的側桿與生長槽上蓋相連，所述的攪拌槳通過所述的攪拌槳連桿與所述的旋轉軸的下端相連，該旋轉軸的上端與所述的驅動電機相連。本發(fā)明使得整個晶體生長過程中靜止在晶體托盤上的晶體不會振動，晶體附近不易產生雜晶，同時能夠保證晶體表面和整個生長槽內區(qū)域的聯通，有利于晶體生長邊界層附近的溶質傳輸和供應，有利于快速地生長出更均勻優(yōu)質的KDP類晶體。

技術研發(fā)人員：齊紅基;陳端陽;邵建達;謝曉義;胡開偉;鄭麗麗;張輝
受保護的技術使用者：中國科學院上海光學精密機械研究所
技術研發(fā)日：2017.06.02
技術公布日：2017.11.07