本發(fā)明涉及電子陶瓷領(lǐng)域，具體而言，涉及一種ptcr陶瓷材料、制備方法及其應(yīng)用。

背景技術(shù)：

ptcr(positivetemperaturecoefficientresistivity)即正溫度系數(shù)熱敏電阻，它具有電阻率隨溫度升高而急劇增大的特性。它兼具半導(dǎo)體特性和鐵電性，即晶粒具有半導(dǎo)體特性，在居里溫度(tc)附近具有鐵電性的晶粒發(fā)生相變，在晶界區(qū)形成勢壘，阻擋電子電導(dǎo)，導(dǎo)致電阻發(fā)生激烈變化，因而能對加熱產(chǎn)生反饋，自動調(diào)節(jié)工作電流、不僅節(jié)省電能，而且使用溫度穩(wěn)定。由于這種大功率半導(dǎo)體電致發(fā)熱陶瓷工作時安全可靠，無噪音，體積小，電熱轉(zhuǎn)換效率高，特別是在電場作用下該加熱元件溫升迅速、無明火、自動調(diào)整加熱功率達(dá)到恒溫，以及電致發(fā)熱陶瓷與傳統(tǒng)的電熱金屬絲相比，節(jié)電效果好(達(dá)到30％以上)、使用壽命長、使用時無或低電磁輻射等特點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用于在電子通訊、航空航天、汽車工業(yè)、家用電器等領(lǐng)域。

然而現(xiàn)有的ptcr陶瓷的居里溫度較高，達(dá)不到人們?nèi)粘Ｉ畹男枰硗?，其電阻突跳?即最大電阻與最小電阻之比)和電阻溫度系數(shù)較低，影響著ptcr器件在更多領(lǐng)域的應(yīng)用。

有鑒于此，特提出本發(fā)明。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一目的在于提供一種ptcr陶瓷材料，該陶瓷材料具有居里溫度低、電阻突跳比和電阻溫度系數(shù)高的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的第二目的在于提供一種ptcr陶瓷材料的制備方法，采用該方法制備而成的ptcr陶瓷材料具有居里溫度低、電阻突跳比高、電阻溫度系數(shù)高以及耐電壓強(qiáng)度高的特點(diǎn)。

本發(fā)明的第三目的在于提供一種ptcr陶瓷材料的應(yīng)用，該陶瓷材料能夠用于制成溫度傳感器、按摩器、干鞋器、消磁器、恒溫器或加熱器，廣泛應(yīng)用于電子信息、航天設(shè)備、醫(yī)療衛(wèi)生和家用電器等領(lǐng)域。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，特采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供了一種ptcr陶瓷材料，所述ptcr陶瓷材料的組成通式為x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)+amol％m+bmol％n；

其中，0.6≤x≤0.9，0.1≤y≤0.4，0.1≤a≤1，0≤b≤3，x+y≤1；m為y2o3、bi2o3、la2o3、sm2o3、nb2o5、ta2o5和sb2o5中的任意一種或至少兩種的組合，n為mno2、cuo、fe2o3、zro2、al2o3、sio2、tio2、bn和b2o3中的任意一種或至少兩種的組合。

作為進(jìn)一步優(yōu)選地技術(shù)方案，所述x值為0.7≤x≤0.8；

優(yōu)選地，所述y值為0.2≤y≤0.3。

作為進(jìn)一步優(yōu)選地技術(shù)方案，所述a值為0.2≤a≤0.6；

優(yōu)選地，所述b值為1≤b≤2。

作為進(jìn)一步優(yōu)選地技術(shù)方案，所述m為y2o3、la2o3或nb2o5。

作為進(jìn)一步優(yōu)選地技術(shù)方案，所述n為mno2、sio2或b2o3。

作為進(jìn)一步優(yōu)選地技術(shù)方案，所述x值為0.7≤x≤0.8，y值為0.2≤y≤0.3，a值為0.2≤a≤0.6，b值為1≤b≤2；m為y2o3、la2o3或nb2o5，n為mno2、sio2或b2o3。

第二方面，本發(fā)明提供了一種上述ptcr陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：配料、預(yù)合成、成型和燒結(jié)。

作為進(jìn)一步優(yōu)選地技術(shù)方案，所述配料為按組成通式稱取配方量的原料，原料為tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n，其中m為y2o3、bi2o3、la2o3、sm2o3、nb2o5、ta2o5和sb2o5中的任意一種或至少兩種的組合，n為mno2、cuo、fe2o3、zro2、al2o3、sio2、tio2、bn和b2o3中的任意一種或至少兩種的組合；

優(yōu)選地，所述預(yù)合成包括首先將tio2、caco3、srco3和baco3磨碎后混合，然后壓塊，最后在空氣中800-1000℃下保溫1-3小時預(yù)燒；

優(yōu)選地，所述成型包括首先將預(yù)合成得到的陶瓷塊粉碎，然后向粉碎后的陶瓷顆粒中加入m和n再混合球磨，干燥后加入粘結(jié)劑，然后造粒成型，經(jīng)排塑后得到陶瓷生坯；

優(yōu)選地，所述燒結(jié)包括將陶瓷生坯在在空氣中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1250-1350℃，保溫1-3小時；

優(yōu)選地，所述方法還包括將燒結(jié)后的陶瓷加工成所需的尺寸，清洗后上歐姆接觸電極的步驟。

作為進(jìn)一步優(yōu)選地技術(shù)方案，所述方法包括以下步驟：

(a)配料：按組成通式稱取配方量的原料，原料為tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n，其中m為y2o3、bi2o3、la2o3、sm2o3、nb2o5、ta2o5和sb2o5中的任意一種或至少兩種的組合，n為mno2、cuo、fe2o3、zro2、al2o3、sio2、tio2、bn和b2o3中的任意一種或至少兩種的組合；

(b)預(yù)合成：首先將tio2、caco3、srco3和baco3磨碎后混合，然后壓塊，最后在空氣中800-1000℃下保溫1-3小時預(yù)燒；

(c)成型：首先將預(yù)合成得到的陶瓷塊粉碎，然后向粉碎后的陶瓷顆粒中加入m和n再混合球磨，干燥加入粘結(jié)劑，然后造粒成型，經(jīng)排塑后得到陶瓷生坯；

(d)燒結(jié)：陶瓷生坯在空氣中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1250-1350℃，保溫1-3小時；

(e)加工：將燒結(jié)后的陶瓷加工成所需的尺寸，清洗后上歐姆接觸電極。

第三方面，本發(fā)明提供了一種上述ptcr陶瓷材料在溫度傳感器、按摩器、干鞋器、消磁器、恒溫器或加熱器中的應(yīng)用。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：

本發(fā)明的申請人合成了特定組成的陶瓷固溶體系，即x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)陶瓷固溶體系，該體系通過摻雜施主元素m和n，使得材料半導(dǎo)化，通過摻雜ca改善材料的顯微結(jié)構(gòu)，并且經(jīng)過特定含量的m和n改性后得到的ptcr陶瓷材料具有獨(dú)特的物理性能，其居里溫度較低、電阻突跳比和電阻溫度系數(shù)較高，具體的，居里溫度為30-90℃，電阻突跳比達(dá)2-4個數(shù)量級，室溫電阻率為100-1000ω·cm，電阻溫度系數(shù)為10-20％/℃，耐電壓強(qiáng)度為150-220v/mm(a.c.)。

采用本發(fā)明所提供的ptcr陶瓷材料的制備方法制備而成的ptcr陶瓷材料具有居里溫度低、電阻突跳比高、電阻溫度系數(shù)高以及耐電壓強(qiáng)度高的特點(diǎn)。

本發(fā)明的ptcr陶瓷材料能夠用于制成溫度傳感器、按摩器、干鞋器、消磁器、恒溫器或加熱器，廣泛應(yīng)用于電子信息、航天設(shè)備、醫(yī)療衛(wèi)生和家用電器等領(lǐng)域。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，下列實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，而不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例中未注明具體條件者，按照常規(guī)條件或制造商建議的條件進(jìn)行。

第一方面，本發(fā)明提供了一種ptcr陶瓷材料，所述ptcr陶瓷材料的組成通式為x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)+amol％m+bmol％n；

其中，0.6≤x≤0.9，0.1≤y≤0.4，0.1≤a≤1，0≤b≤3，x+y≤1；m為y2o3、bi2o3、la2o3、sm2o3、nb2o5、ta2o5和sb2o5中的任意一種或至少兩種的組合，n為mno2、cuo、fe2o3、zro2、al2o3、sio2、tio2、bn和b2o3中的任意一種或至少兩種的組合。

m所占的摩爾百分比是以x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)為基準(zhǔn)得到的，即m占x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)的百分之a(chǎn)摩爾。

n所占的摩爾百分比是以x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)為基準(zhǔn)得到的，即n占x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)的百分之b摩爾。

本發(fā)明中，x典型但非限制性的取值為0.6、0.65、0.7、0.75、0.8、0.85或0.9。y典型但非限制性的取值為0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35或0.4；a典型但非限制性的取值為0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9或1，b典型但非限制性的取值為0、0.5、1、1.5、2、2.5或3。m典型但非限制性的為：y2o3，bi2o3，la2o3，sm2o3，nb2o5，ta2o5，sb2o5，y2o3和la2o3的組合，la2o3和nb2o5的組合，bi2o3和ta2o5的組合，la2o3和sb2o5的組合，y2o3和nb2o5的組合，sm2o3和nb2o5的組合，或y2o3、la2o3和nb2o5的組合。n典型但非限制性的為：mno2，cuo，fe2o3，zro2，al2o3，sio2，tio2，bn，b2o3，mno2和zro2的組合，mno2和bn的組合，cuo和b2o3的組合，fe2o3和sio2的組合，fe2o3和al2o3的組合，al2o3、sio2和tio2的組合，mno2、zro2和b2o3的組合，mno2、sio2和b2o3的組合，cuo、tio2和bn的組合，或fe2o3、zro2和b2o3的組合。

本發(fā)明的申請人合成了特定組成的陶瓷固溶體系，即x(batio3)-y(srtio3)-(1-x-y)(catio3)陶瓷固溶體系，該體系通過摻雜施主元素m和n，使得材料半導(dǎo)化，通過摻雜ca改善材料的顯微結(jié)構(gòu)，并且經(jīng)過特定含量的m和n改性后得到的ptcr陶瓷材料具有獨(dú)特的物理性能，其居里溫度較低、電阻突跳比和電阻溫度系數(shù)較高，具體的，居里溫度為30-90℃，電阻突跳比達(dá)2-4個數(shù)量級，室溫電阻率為100-1000ω·cm，電阻溫度系數(shù)為10-20％/℃，耐電壓強(qiáng)度為150-220v/mm(a.c.)。

在一種優(yōu)選地實(shí)施方式中，所述x值為0.7≤x≤0.8。當(dāng)x的取值為0.7到0.8之間的任一數(shù)值時，該ptcr陶瓷材料的電阻溫度系數(shù)更高。

優(yōu)選地，所述y值為0.2≤y≤0.3。當(dāng)y的取值為0.2到0.3之間的任一數(shù)值時，該ptcr陶瓷材料的居里溫度更低。

在一種優(yōu)選地實(shí)施方式中，所述a值為0.2≤a≤0.6。當(dāng)a的取值為0.2到0.6之間的任一數(shù)值時，該ptcr陶瓷材料的室溫電阻更低。

優(yōu)選地，所述b值為1≤b≤2。當(dāng)b的取值為1到2之間的任一數(shù)值時，該ptcr陶瓷材料的耐壓強(qiáng)度更高。

在一種優(yōu)選地實(shí)施方式中，所述m為y2o3、la2o3或nb2o5。室溫電阻更低。

在一種優(yōu)選地實(shí)施方式中，所述n為mno2、sio2或b2o3。電阻突跳更高。

在一種優(yōu)選地實(shí)施方式中，所述x值為0.7≤x≤0.8，y值為0.2≤y≤0.3，a值為0.2≤a≤0.6，b值為1≤b≤2；m為y2o3、la2o3或nb2o5，n為mno2、sio2或b2o3。本實(shí)施方式中的ptcr陶瓷材料的居里溫度更低、電阻突跳比高、電阻溫度系數(shù)和耐電壓強(qiáng)度更高。

第二方面，本發(fā)明提供了一種ptcr陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：配料、預(yù)合成、成型和燒結(jié)。上述制備方法簡單易行，采用該方法制備而成的ptcr陶瓷材料具有居里溫度低、電阻突跳比高、電阻溫度系數(shù)高以及耐電壓強(qiáng)度高的特點(diǎn)。

在一種優(yōu)選地實(shí)施方式中，所述配料為按組成通式稱取配方量的原料，原料為tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n，其中m為y2o3、bi2o3、la2o3、sm2o3、nb2o5、ta2o5和sb2o5中的任意一種或至少兩種的組合，n為mno2、cuo、fe2o3、zro2、al2o3、sio2、tio2、bn和b2o3中的任意一種或至少兩種的組合。

優(yōu)選地，所述預(yù)合成包括首先將tio2、caco3、srco3和baco3磨碎后混合，然后壓塊，最后在空氣中800-1000℃下保溫1-3小時預(yù)燒。上述保溫溫度典型但非限制性的為800、810、820、830、840、850、860、870、880、900、910、920、930、940、950、960、970、980、990或1000℃；保溫時間典型但非限制性的為1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8、2.9或3小時。

優(yōu)選地，所述成型包括首先將預(yù)合成得到的陶瓷塊粉碎，然后向粉碎后的陶瓷顆粒中加入m和n再混合球磨，干燥后加入粘結(jié)劑，然后造粒成型，經(jīng)排塑后得到陶瓷生坯。

優(yōu)選地，所述燒結(jié)包括將陶瓷生坯在空氣中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1250-1350℃，保溫1-3小時。上述燒結(jié)溫度典型但非限制性的為1250、1260、1270、1280、1290、1300、1310、1320、1330、1340或1350℃；保溫時間典型但非限制性的為1、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8、2.9或3小時。

優(yōu)選地，所述方法還包括將燒結(jié)后的陶瓷加工成所需的尺寸，清洗后上歐姆接觸電極的步驟。

在一種優(yōu)選地實(shí)施方式中，所述方法包括以下步驟：

(a)配料：按組成通式稱取配方量的原料，原料為tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n，其中m為y2o3、bi2o3、la2o3、sm2o3、nb2o5、ta2o5和sb2o5中的任意一種或至少兩種的組合，n為mno2、cuo、fe2o3、zro2、al2o3、sio2、tio2、bn和b2o3中的任意一種或至少兩種的組合；

(b)預(yù)合成：首先將tio2、caco3、srco3和baco3磨碎后混合，然后壓塊，最后在空氣中800-1000℃下保溫1-3小時預(yù)燒；

(c)成型：首先將預(yù)合成得到的陶瓷塊粉碎，然后向粉碎后的陶瓷顆粒中加入m和n再混合球磨，干燥加入粘結(jié)劑，然后造粒成型，經(jīng)排塑后得到陶瓷生坯；

(d)燒結(jié)：陶瓷生坯在空氣中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1250-1350℃，保溫1-3小時；

(e)加工：將燒結(jié)后的陶瓷加工成所需的尺寸，清洗后上歐姆接觸電極。

第三方面，本發(fā)明提供了一種ptcr陶瓷材料在溫度傳感器、按摩器、干鞋器、消磁器、恒溫器或加熱器中的應(yīng)用。

下面結(jié)合實(shí)施例和對比例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

實(shí)施例1

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.1(srtio3)-0.3(catio3)+0.1mol％sm2o3。

對比例1

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.5(batio3)-0.1(srtio3)-0.4(catio3)+0.1mol％sm2o3。

對比例2

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.05(srtio3)-0.35(catio3)+0.1mol％sm2o3。

對比例3

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.4(batio3)-0.5(srtio3)-0.1(catio3)+0.1mol％sm2o3。

實(shí)施例2

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.1(srtio3)-0.3(catio3)+0.15mol％sm2o3+0.5mol％fe2o3。

對比例4

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.5(batio3)-0.1(srtio3)-0.4(catio3)+0.15mol％sm2o3+0.5mol％fe2o3。

對比例5

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.05(srtio3)-0.35(catio3)+0.15mol％sm2o3+0.5mol％fe2o3。

對比例6

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.1(srtio3)-0.3(catio3)+1mol％sm2o3+4mol％fe2o3。

對比例7

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.1(srtio3)-0.3(catio3)+0.2mol％ceo2。

實(shí)施例3

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.7(batio3)-0.1(srtio3)-0.2(catio3)+0.15mol％sm2o3+0.5mol％fe2o3。

實(shí)施例4

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.2(srtio3)-0.2(catio3)+0.15mol％sm2o3+0.5mol％fe2o3。

實(shí)施例5

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.1(srtio3)-0.3(catio3)+0.4mol％sm2o3+1mol％fe2o3。

實(shí)施例6

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.6(batio3)-0.1(srtio3)-0.3(catio3)+0.15mol％nb2o5+0.5mol％mno2。

實(shí)施例7

一種ptcr陶瓷材料，其組成式為0.7(batio3)-0.25(srtio3)-0.05(catio3)+0.4mol％nb2o5+1mol％mno2。

對比例8

cn101624284b公開的實(shí)施例1中的bkt-bt系無鉛ptcr陶瓷材料。

對比例9

cn101284731b公開的實(shí)施例1中的高使用溫度、高穩(wěn)定無鉛正溫度系數(shù)電阻材料。

實(shí)施例8

實(shí)施例7所述的ptcr陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：

(a)配料：按組成式稱取配方量的原料，原料為tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n，其中m為nb2o5，n為mno2；

(b)預(yù)合成：首先將tio2、caco3、srco3和baco3磨碎后混合，然后壓塊，最后在空氣中900℃下保溫2小時；

(c)成型：首先將預(yù)合成得到的陶瓷塊粉碎，然后向粉碎后的陶瓷顆粒中加入m和n再混合球磨，烘干后加入粘結(jié)劑，然后造粒成型，經(jīng)排塑后得到陶瓷生坯；

(d)燒結(jié)：陶瓷生坯在空氣中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1320℃，保溫2小時；

(e)加工：將燒結(jié)后的陶瓷加工成所需的尺寸，清洗后上歐姆接觸電極。

實(shí)施例1-6中的ptcr陶瓷材料的制備除配料的不同外，其余各步驟采用與實(shí)施例7相同的方法進(jìn)行。

對比例10

實(shí)施例7所述的ptcr陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：

(a)配料：按組成式稱取配方量的原料，原料為tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n，其中m為nb2o5，n為mno2；

(b)成型：將tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n磨碎后混合，然后壓塊成型得到陶瓷生坯；

(d)燒結(jié)：陶瓷生坯在空氣中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1320℃，保溫2小時；

(e)加工：將燒結(jié)后的陶瓷加工成所需的尺寸，清洗后上歐姆接觸電極。

對比例11

實(shí)施例7所述的ptcr陶瓷材料的制備方法，包括以下步驟：

(a)配料：按組成式稱取配方量的原料，原料為tio2、caco3、srco3、baco3以及m和n，其中m為nb2o5，n為mno2；

(b)預(yù)合成：首先將tio2、caco3、srco3和baco3磨碎后混合，然后壓塊，最后在空氣中700℃下保溫4小時；

(c)成型：首先將預(yù)合成得到的陶瓷塊粉碎，然后向粉碎后的陶瓷顆粒中加入m和n再混合球磨，烘干后加入粘結(jié)劑，然后造粒成型，經(jīng)排塑后得到陶瓷生坯；

(d)燒結(jié)：陶瓷生坯在空氣中燒結(jié)，燒結(jié)溫度為1220℃，保溫6小時；

(e)加工：將燒結(jié)后的陶瓷加工成所需的尺寸，清洗后上歐姆接觸電極。

表1不同ptcr陶瓷材料的性能對照表

由上表可知，實(shí)施例1-7中的ptcr陶瓷材料相對于對比例1-7中的ptcr陶瓷材料的居里溫度和室溫電阻率更低，電阻突跳比、電阻溫度系數(shù)和耐電壓強(qiáng)度更高，由此說明本發(fā)明提供的ptcr陶瓷材料的上述各性能更能滿足溫度傳感器、按摩器、干鞋器、消磁器、恒溫器或加熱器的要求。其中，實(shí)施例1的各項(xiàng)性能比實(shí)施例2-7的稍低，說明經(jīng)過特定含量的m和n改性后，該陶瓷材料的各項(xiàng)性能更佳。

進(jìn)一步可知，實(shí)施例3與實(shí)施例2的區(qū)別僅在于x的取值不同，實(shí)施例3中x的取值在優(yōu)選范圍內(nèi)，其電阻溫度系數(shù)比實(shí)施例2的更高。實(shí)施例4與實(shí)施例2的區(qū)別僅在于y的取值不同，實(shí)施例4中y的取值在優(yōu)選范圍內(nèi)，其居里溫度比實(shí)施例2的更低。實(shí)施例5與實(shí)施例2的區(qū)別僅在于a、b的取值不同，實(shí)施例5中a、b的取值在優(yōu)選范圍內(nèi)，其室溫電阻更低、耐壓強(qiáng)度更高。實(shí)施例6與實(shí)施例2的區(qū)別僅在于m、n的選擇不同，實(shí)施例6中m、n為優(yōu)選，其室溫電阻更低、電阻突跳更高。而實(shí)施例7中x、y、a、b的取值以及m、n的選擇均為優(yōu)選，其上述各項(xiàng)性能也最佳，說明采用本發(fā)明的優(yōu)選方案得到的ptcr陶瓷材料的性能更加優(yōu)異。

對比例8和9的居里溫度均在160℃以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本發(fā)明各實(shí)施例的居里溫度，對比例8的電阻溫度系數(shù)較高，室溫電阻率較低，主要應(yīng)用于高溫領(lǐng)域，而對比例9的室溫電阻率與本發(fā)明中各實(shí)施例的相當(dāng)，但電阻溫度系數(shù)明顯較低，因此，對比例8和9中的陶瓷材料的綜合性能均與本發(fā)明各實(shí)施例的綜合性能有明顯差異，本發(fā)明中的ptcr材料由于其特定的組成，因此具有了特定的性能，即居里溫度較低、電阻突跳比和電阻溫度系數(shù)較高，能夠滿足日常生活的需要并能應(yīng)用于更多領(lǐng)域當(dāng)中。

實(shí)施例8中的ptcr陶瓷材料采用本發(fā)明提供的方法制備而成，其綜合性能優(yōu)于實(shí)施例7，反觀對比例10主要缺少了預(yù)合成的步驟，對比例11的各項(xiàng)參數(shù)不在本發(fā)明所制定的參數(shù)范圍內(nèi)，實(shí)施例8的各項(xiàng)性能均優(yōu)于對比例10和11。因此，本發(fā)明所提供的ptcr陶瓷材料的制備方法充分考慮了各原料的獨(dú)特性及其相互作用關(guān)系，通過合理的步驟以及工藝參數(shù)使得ptcr陶瓷材料的性能達(dá)到最佳。

盡管已用具體實(shí)施例來說明和描述了本發(fā)明，然而應(yīng)意識到，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以作出許多其它的更改和修改。因此，這意味著在所附權(quán)利要求中包括屬于本發(fā)明范圍內(nèi)的所有這些變化和修改。