本發(fā)明涉及壓敏電阻材料領(lǐng)域,具體涉及一種壓敏電阻陶瓷材料及其制備方法。
背景技術(shù):
氧化鋅壓敏陶瓷以其非線性系數(shù)高、響應(yīng)速度快、漏電流小、殘壓低、制造成本低廉等優(yōu)勢(shì),已成為應(yīng)用最廣、性能最好的壓敏電阻材料之一,廣泛應(yīng)用于電力、通信、交通、集成電路、汽車電子、醫(yī)用設(shè)備和家用電器等領(lǐng)域。
現(xiàn)有的壓敏電阻以zno材料為主,其制備方法是以zno粉末為主要原料,添加bi2o3和其它的一些氧化物,如sb2o3、co2o3等,通過(guò)高溫陶瓷制備工藝得到,高溫陶瓷燒結(jié)工藝溫度為900℃~1300℃,燒結(jié)時(shí)間為4小時(shí)以上。因此現(xiàn)有的壓敏電阻為陶瓷型壓敏電阻,具有陶瓷材料所具有的共同缺點(diǎn)是機(jī)械性能差,脆性強(qiáng)、易碎、再加工困難。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種壓敏電阻陶瓷材料及其制備方法,該陶瓷材料具有吸收能力與脈沖沖擊耐受能力強(qiáng)等良好的電氣性能,而且韌性高,不易破碎,再加工性能優(yōu)越,制備方法簡(jiǎn)單,能耗低,節(jié)約成本。
本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題采用如下技術(shù)方案:
一種壓敏電阻陶瓷材料,包括如下重量份的組分:氧化鋅zno60~80份、二氧化鈦tio25~10份、二氧化錳mno23~6份、五氧化二釩v2o53~6份、氧化鈷co2o31.5~2.8份、氧化鉻cr2o31.2~2.2份、五氧化二鈮nb2o50.3~0.8份、鈦酸鍶srtio30.6~1.8份、鈦酸鎂mg2tio40.8~2.0份、碳酸鋰li2co30.1~0.6份。
優(yōu)選地,所述陶瓷材料包括如下重量份的組分:氧化鋅zno70份、二氧化鈦tio26份、二氧化錳mno25份、五氧化二釩v2o54份、氧化鈷co2o31.9份、氧化鉻cr2o31.7份、五氧化二鈮nb2o50.5份、鈦酸鍶srtio31.2份、鈦酸鎂mg2tio41.5份、碳酸鋰li2co30.2份。
上述壓敏電阻陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
(1)按照重量份稱取各組分,混合攪拌均勻后過(guò)100~200目篩,加入適量水,放入球磨機(jī)中球磨制成漿料;
(2)將漿料在100~150℃烘干至含水量2~6%,放入窯爐中,于800~900℃煅燒3~6小時(shí),得到陶瓷主料;
(3)將陶瓷主料放入球磨機(jī)中,加入適量水和3~5%的聚乙烯醇水溶液,球磨成漿液,在鼓風(fēng)烘箱中干燥1~2小時(shí),再用壓力機(jī)壓制成塊狀物料,置于干燥通風(fēng)處2~3天;
(4)將通風(fēng)干燥后的塊狀物料通入超微粉碎機(jī)中粉碎,過(guò)200~300目篩,磨粉機(jī)磨粉得到顆粒狀的瓷料;
(5)將顆粒狀的瓷料通入壓力機(jī)中壓制成圓片狀陶瓷胚片,放入窯爐中,升溫至450~500℃排膠2~3小時(shí),再升溫至900~1000℃燒結(jié)保溫2~3小時(shí),自然冷卻至室溫得到該壓敏電阻陶瓷材料。
優(yōu)選地,所述步驟(1)加入的水量為各組分混合后總重量的0.6~1.5倍。
優(yōu)選地,所述步驟(1)球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為400~600r/min,球磨時(shí)間為10~18小時(shí)。
優(yōu)選地,所述步驟(3)球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為800~1000r/min,球磨時(shí)間為6~10小時(shí)。
優(yōu)選地,所述步驟(3)壓力機(jī)的工作壓力為5~10mpa。
優(yōu)選地,所述步驟(5)壓力機(jī)的工作壓力為10~20mpa。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下的有益效果:
(1)本發(fā)明的壓敏電阻陶瓷材料,具有吸收能力與脈沖沖擊耐受能力強(qiáng)等良好的電氣性能,而且韌性高,不易破碎,再加工性能優(yōu)越,制備方法簡(jiǎn)單,能耗低,節(jié)約成本。
(2)本發(fā)明的壓敏電阻陶瓷材料,采用氧化鋅zno、氧化鈷co2o3、氧化鉻cr2o3、二氧化鈦tio2、二氧化錳mno2、五氧化二釩v2o5、鈦酸鍶srtio3、鈦酸鎂mg2tio4、碳酸鋰li2co3幾種金屬氧化物成分,配比合理,氧化鋅和氧化釩、氧化鈦反應(yīng)形成低熔點(diǎn)液相,從而確保陶瓷體可以低溫?zé)Y(jié)成瓷;同時(shí)參與形成液相的摻雜元素及添加的錳、鈷摻雜元素在液相的輔助傳質(zhì)機(jī)理作用下,完成在zno晶粒表面的均勻分布,進(jìn)而促進(jìn)在晶界上形成壓敏電阻所需的晶界勢(shì)壘。
(3)本發(fā)明的壓敏電阻陶瓷材料的制備方法,采用濕法球磨成漿液、烘干煅燒等合理工藝,獲取的壓敏電阻陶瓷材料,電位梯度可達(dá)到500~580v/mm,非線性系數(shù)達(dá)到45以上,泄漏電流為約1.5μa,吸波能力與耐大電流沖擊能力強(qiáng)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
實(shí)施例1
一種壓敏電阻陶瓷材料,包括如下重量份的組分:氧化鋅zno70份、二氧化鈦tio26份、二氧化錳mno25份、五氧化二釩v2o54份、氧化鈷co2o31.9份、氧化鉻cr2o31.7份、五氧化二鈮nb2o50.5份、鈦酸鍶srtio31.2份、鈦酸鎂mg2tio41.5份、碳酸鋰li2co30.2份。
上述壓敏電阻陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
(1)按照重量份稱取各組分,混合攪拌均勻后過(guò)100~200目篩,加入適量水,放入600r/min的球磨機(jī)中球磨12小時(shí)制成漿料;其中,水的加入量為混合物總質(zhì)量的1.5倍。
(2)將漿料在150℃烘干至含水量2~6%,放入窯爐中,于900℃煅燒3小時(shí),得到陶瓷主料。
(3)將陶瓷主料放入球磨機(jī)中,加入適量水和3~5%的聚乙烯醇水溶液,1000r/min球磨6小時(shí)得到漿液,在鼓風(fēng)烘箱中干燥1小時(shí),再用壓力機(jī)于10mpa壓力下壓制成塊狀物料,置于干燥通風(fēng)處2~3天。
(4)將通風(fēng)干燥后的塊狀物料通入超微粉碎機(jī)中粉碎,過(guò)200~300目篩,磨粉機(jī)磨粉得到顆粒狀的瓷料。
(5)將顆粒狀的瓷料通入壓力機(jī)中于20mpa壓力下壓制成圓片狀陶瓷胚片,放入窯爐中,升溫至500℃排膠2小時(shí),再升溫至900℃燒結(jié)保溫3小時(shí),自然冷卻至室溫得到該壓敏電阻陶瓷材料。
本實(shí)施例的壓敏電阻陶瓷材料電位梯度可達(dá)到580v/mm,非線性系數(shù)達(dá)到45以上,泄漏電流為約1.5μa。
實(shí)施例2
一種壓敏電阻陶瓷材料,包括如下重量份的組分:氧化鋅zno66份、二氧化鈦tio26份、二氧化錳mno23份、五氧化二釩v2o54份、氧化鈷co2o31.7份、氧化鉻cr2o31.5份、五氧化二鈮nb2o50.5份、鈦酸鍶srtio30.9份、鈦酸鎂mg2tio41.3份、碳酸鋰li2co30.2份。
上述壓敏電阻陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
(1)按照重量份稱取各組分,混合攪拌均勻后過(guò)100~200目篩,加入適量水,放入600r/min的球磨機(jī)中球磨12小時(shí)制成漿料;其中,水的加入量為混合物總質(zhì)量的1.5倍。
(2)將漿料在150℃烘干至含水量2~6%,放入窯爐中,于900℃煅燒3小時(shí),得到陶瓷主料。
(3)將陶瓷主料放入球磨機(jī)中,加入適量水和3~5%的聚乙烯醇水溶液,1000r/min球磨6小時(shí)得到漿液,在鼓風(fēng)烘箱中干燥1小時(shí),再用壓力機(jī)于10mpa壓力下壓制成塊狀物料,置于干燥通風(fēng)處2~3天。
(4)將通風(fēng)干燥后的塊狀物料通入超微粉碎機(jī)中粉碎,過(guò)200~300目篩,磨粉機(jī)磨粉得到顆粒狀的瓷料。
(5)將顆粒狀的瓷料通入壓力機(jī)中于20mpa壓力下壓制成圓片狀陶瓷胚片,放入窯爐中,升溫至500℃排膠2小時(shí),再升溫至900℃燒結(jié)保溫3小時(shí),自然冷卻至室溫得到該壓敏電阻陶瓷材料。
本實(shí)施例的壓敏電阻陶瓷材料電位梯度可達(dá)到572v/mm,非線性系數(shù)達(dá)到45以上,泄漏電流為約1.5μa。
實(shí)施例3
一種壓敏電阻陶瓷材料,包括如下重量份的組分:氧化鋅zno70份、二氧化鈦tio28份、二氧化錳mno23份、五氧化二釩v2o55份、氧化鈷co2o32.3份、氧化鉻cr2o31.8份、五氧化二鈮nb2o50.6份、鈦酸鍶srtio31.2份、鈦酸鎂mg2tio41.5份、碳酸鋰li2co30.5份。
上述壓敏電阻陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
(1)按照重量份稱取各組分,混合攪拌均勻后過(guò)100~200目篩,加入適量水,放入600r/min的球磨機(jī)中球磨12小時(shí)制成漿料;其中,水的加入量為混合物總質(zhì)量的1.5倍。
(2)將漿料在150℃烘干至含水量2~6%,放入窯爐中,于900℃煅燒3小時(shí),得到陶瓷主料。
(3)將陶瓷主料放入球磨機(jī)中,加入適量水和3~5%的聚乙烯醇水溶液,1000r/min球磨6小時(shí)得到漿液,在鼓風(fēng)烘箱中干燥1小時(shí),再用壓力機(jī)于10mpa壓力下壓制成塊狀物料,置于干燥通風(fēng)處2~3天。
(4)將通風(fēng)干燥后的塊狀物料通入超微粉碎機(jī)中粉碎,過(guò)200~300目篩,磨粉機(jī)磨粉得到顆粒狀的瓷料。
(5)將顆粒狀的瓷料通入壓力機(jī)中于20mpa壓力下壓制成圓片狀陶瓷胚片,放入窯爐中,升溫至500℃排膠2小時(shí),再升溫至900℃燒結(jié)保溫3小時(shí),自然冷卻至室溫得到該壓敏電阻陶瓷材料。
本實(shí)施例的壓敏電阻陶瓷材料電位梯度可達(dá)到566v/mm,非線性系數(shù)達(dá)到45以上,泄漏電流為約1.5μa。
實(shí)施例4
一種壓敏電阻陶瓷材料,包括如下重量份的組分:氧化鋅zno80份、二氧化鈦tio28份、二氧化錳mno26份、五氧化二釩v2o55份、氧化鈷co2o32.5份、氧化鉻cr2o32.0份、五氧化二鈮nb2o50.7份、鈦酸鍶srtio31.6份、鈦酸鎂mg2tio41.5份、碳酸鋰li2co30.5份。
上述壓敏電阻陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
(1)按照重量份稱取各組分,混合攪拌均勻后過(guò)100~200目篩,加入適量水,放入500r/min的球磨機(jī)中球磨15小時(shí)制成漿料;其中,水的加入量為混合物總質(zhì)量的0.9倍。
(2)將漿料在120℃烘干至含水量2~6%,放入窯爐中,于820℃煅燒5小時(shí),得到陶瓷主料。
(3)將陶瓷主料放入球磨機(jī)中,加入適量水和3~5%的聚乙烯醇水溶液,900r/min球磨8小時(shí)得到漿液,在鼓風(fēng)烘箱中干燥1.8小時(shí),再用壓力機(jī)于10mpa壓力下壓制成塊狀物料,置于干燥通風(fēng)處2~3天。
(4)將通風(fēng)干燥后的塊狀物料通入超微粉碎機(jī)中粉碎,過(guò)200~300目篩,磨粉機(jī)磨粉得到顆粒狀的瓷料。
(5)將顆粒狀的瓷料通入壓力機(jī)中于16mpa壓力下壓制成圓片狀陶瓷胚片,放入窯爐中,升溫至480℃排膠2.2小時(shí),再升溫至960℃燒結(jié)保溫2.5小時(shí),自然冷卻至室溫得到該壓敏電阻陶瓷材料。
本實(shí)施例的壓敏電阻陶瓷材料電位梯度可達(dá)到559v/mm,非線性系數(shù)達(dá)到45以上,泄漏電流為約1.5μa。
實(shí)施例5
一種壓敏電阻陶瓷材料,包括如下重量份的組分:氧化鋅zno80份、二氧化鈦tio210份、二氧化錳mno26份、五氧化二釩v2o56份、氧化鈷co2o32.8份、氧化鉻cr2o32.2份、五氧化二鈮nb2o50.6份、鈦酸鍶srtio31.6份、鈦酸鎂mg2tio41.8份、碳酸鋰li2co30.6份。
上述壓敏電阻陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
(1)按照重量份稱取各組分,混合攪拌均勻后過(guò)100~200目篩,加入適量水,放入400r/min的球磨機(jī)中球磨18小時(shí)制成漿料;其中,水的加入量為混合物總質(zhì)量的1.3倍。
(2)將漿料在135℃烘干至含水量2~6%,放入窯爐中,于860℃煅燒5小時(shí),得到陶瓷主料。
(3)將陶瓷主料放入球磨機(jī)中,加入適量水和3~5%的聚乙烯醇水溶液,1000r/min球磨6小時(shí)得到漿液,在鼓風(fēng)烘箱中干燥1小時(shí),再用壓力機(jī)于8mpa壓力下壓制成塊狀物料,置于干燥通風(fēng)處2~3天。
(4)將通風(fēng)干燥后的塊狀物料通入超微粉碎機(jī)中粉碎,過(guò)200~300目篩,磨粉機(jī)磨粉得到顆粒狀的瓷料。
(5)將顆粒狀的瓷料通入壓力機(jī)中于16mpa壓力下壓制成圓片狀陶瓷胚片,放入窯爐中,升溫至480℃排膠2.2小時(shí),再升溫至920℃燒結(jié)保溫2.3小時(shí),自然冷卻至室溫得到該壓敏電阻陶瓷材料。
本實(shí)施例的壓敏電阻陶瓷材料電位梯度可達(dá)到560v/mm,非線性系數(shù)達(dá)到45以上,泄漏電流為約1.5μa。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例,凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。