1.一種溫度可控的SiC生長坩堝平臺(tái)，其特征在于，包括長方體形石墨平臺(tái)(2)，所述的長方體形石墨平臺(tái)(2)上開設(shè)有坩堝槽(1)，且坩堝槽(1)凹陷在長方體形石墨平臺(tái)(2)內(nèi)部，開口與長方體形石墨平臺(tái)(2)的上表面平齊；所述的坩堝槽(1)內(nèi)鋪設(shè)石墨氈(6)，且石墨氈(6)內(nèi)部均勻分布有電阻絲(5)，電阻絲(5)的端部裸露在石墨氈(6)的外部，SiC生長坩堝(7)放置在坩堝槽(1)內(nèi)部，其外表面與裸露的電阻絲端部相接；所述的坩堝槽(1)對(duì)應(yīng)的長方體形石墨平臺(tái)(2)底部設(shè)置有冷水管(4)。
2.如權(quán)利要求1所述的溫度可控的SiC生長坩堝平臺(tái)，其特征在于，所述的石墨氈(6)外部設(shè)置有通電按鈕(8)。
3.如權(quán)利要求1所述的溫度可控的SiC生長坩堝平臺(tái)，其特征在于，所述的石墨平臺(tái)放置在不銹鋼底座(3)上，冷水管(4)盤繞在不銹鋼底座(3)內(nèi)部，且冷水的進(jìn)出口位于不銹鋼底座(3)外部。