本實(shí)用新型涉及一種晶體生長工藝裝置，特別涉及一種基于多晶碎片鋪地的晶體生長工藝裝置。

背景技術(shù)：

物質(zhì)在一定溫度、壓力、濃度、介質(zhì)、pH等條件下由氣相、液相、固相轉(zhuǎn)化，形成特定線度尺寸晶體的過程稱為晶體生長，晶體生成的一般過程是先生成晶核，而后再逐漸長大，一般認(rèn)為晶體從液相或氣相中的生長有三個(gè)階段，分別為介質(zhì)達(dá)到過飽和、過冷卻階段，成核階段，生長階段，過飽和、過冷卻狀態(tài)的出現(xiàn)，并不意味著整個(gè)體系的同時(shí)結(jié)晶，體系內(nèi)各處首先出現(xiàn)瞬時(shí)的微細(xì)結(jié)晶粒子，這時(shí)由于溫度或濃度的局部變化，外部撞擊，或一些雜質(zhì)粒子的影響，都會(huì)導(dǎo)致體系中出現(xiàn)局部過飽和度、過冷卻度較高的區(qū)域，使結(jié)晶粒子的大小達(dá)到臨界值以上，形成晶體核，由于晶體生長過程中，會(huì)生成不同的晶面，不同的晶面對(duì)環(huán)境的有求也不一樣，同時(shí)加熱效果不好，還浪費(fèi)嚴(yán)重，并且晶體還會(huì)因?yàn)椴痪鶆蚴軣釋?dǎo)致晶體利用率不高等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種基于多晶碎片鋪地的晶體生長工藝裝置。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案：

本實(shí)用新型一種基于多晶碎片鋪地的晶體生長工藝裝置，包括坩堝、輔助加熱器、導(dǎo)光玻璃片、伺服電機(jī)a、溫度計(jì)、進(jìn)料口、過濾網(wǎng)、主加熱器、支架、長晶器、轉(zhuǎn)盤、滑輪、轉(zhuǎn)軸、冷卻水管道、隔熱層、熱門、熱交換器、保溫層、外護(hù)板和伺服電機(jī)b，所述坩堝的兩側(cè)均設(shè)置輔助加熱器，所述輔助加熱器的一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)光玻璃片，所述輔助加熱器與伺服電機(jī)a電性連接，所述坩堝的頂部設(shè)置有溫度計(jì)，所述溫度計(jì)的一側(cè)設(shè)置有進(jìn)料口，所述進(jìn)料口的內(nèi)部設(shè)置有過濾網(wǎng)，所述坩堝的底部設(shè)置有主加熱器，所述主加熱器的兩側(cè)設(shè)置有支架，所述主加熱器的底部設(shè)置有長晶器，所述長晶器的底部設(shè)置有轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤的外側(cè)設(shè)置有滑輪，所述轉(zhuǎn)盤的內(nèi)部設(shè)置有轉(zhuǎn)軸。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述溫度計(jì)的一側(cè)設(shè)置有冷卻水管道，所述轉(zhuǎn)盤的兩側(cè)均設(shè)置有隔熱層。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述轉(zhuǎn)盤的底部設(shè)置有熱門，所述熱門的底部設(shè)置有熱交換器。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述坩堝的外側(cè)設(shè)置有保溫層，所述保溫層的外側(cè)設(shè)置有外護(hù)板。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述熱交換器與伺服電機(jī)b電性連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果如下：

本實(shí)用新型通過設(shè)置導(dǎo)光玻璃片觀察晶體生長的過程，來決定輔助加熱器的大小，從而能夠提高晶體的生長效率，根據(jù)溫度計(jì)上的溫度讀數(shù)來了解溫度的變化情況，以控制坩堝是否過冷卻，提高晶體的成核速度，通過轉(zhuǎn)輪帶動(dòng)轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而對(duì)坩堝內(nèi)的晶體進(jìn)行充分加熱，提高熱能效率，在進(jìn)料口設(shè)置過濾網(wǎng)，用來過濾雜質(zhì)，用來提高晶體的純度。

附圖說明

附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、坩堝；2、輔助加熱器；3、導(dǎo)光玻璃片；4、伺服電機(jī)a；5、溫度計(jì)；6、進(jìn)料口；7、過濾網(wǎng)；8、主加熱器；9、支架；10、長晶器；11、轉(zhuǎn)盤；12、滑輪；13、轉(zhuǎn)軸；14、冷卻水管道；15、隔熱層；16、熱門；17、熱交換器；18、保溫層；19、外護(hù)板；20、伺服電機(jī)b。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

實(shí)施例1

如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種基于多晶碎片鋪地的晶體生長工藝裝置，包括坩堝1、輔助加熱器2、導(dǎo)光玻璃片3、伺服電機(jī)a4、溫度計(jì)5、進(jìn)料口6、過濾網(wǎng)7、主加熱器8、支架9、長晶器10、轉(zhuǎn)盤11、滑輪12、轉(zhuǎn)軸13、冷卻水管道14、隔熱層15、熱門16、熱交換器17、保溫層18、外護(hù)板19和伺服電機(jī)b20，坩堝1的兩側(cè)均設(shè)置輔助加熱器2，輔助加熱器2的一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)光玻璃片3，輔助加熱器2與伺服電機(jī)a4電性連接，坩堝1的頂部設(shè)置有溫度計(jì)5，溫度計(jì)5的一側(cè)設(shè)置有進(jìn)料口6，進(jìn)料口6的內(nèi)部設(shè)置有過濾網(wǎng)7，坩堝1的底部設(shè)置有主加熱器8，主加熱器8的兩側(cè)設(shè)置有支架9，主加熱器8的底部設(shè)置有長晶器10，長晶器10的底部設(shè)置有轉(zhuǎn)盤11，轉(zhuǎn)盤11的外側(cè)設(shè)置有滑輪12，轉(zhuǎn)盤11的內(nèi)部設(shè)置有轉(zhuǎn)軸13。

進(jìn)一步的，溫度計(jì)5的一側(cè)設(shè)置有冷卻水管道14，轉(zhuǎn)盤11的兩側(cè)均設(shè)置有隔熱層15，方便對(duì)整體溫度的控制。

進(jìn)一步的，轉(zhuǎn)盤11的底部設(shè)置有熱門16，熱門16的底部設(shè)置有熱交換器17，可以提高熱能效率。

進(jìn)一步的，坩堝1的外側(cè)設(shè)置有保溫層18，保溫層18的外側(cè)設(shè)置有外護(hù)板19，可以保證整體的溫度不受環(huán)境的影響。

進(jìn)一步的，熱交換器17與伺服電機(jī)b20電性連接，方便對(duì)熱交換器的控制。

具體的，在使用時(shí)，通過進(jìn)料口6進(jìn)料，然后經(jīng)過過濾網(wǎng)7進(jìn)入坩堝1，通過導(dǎo)光玻璃片3來觀察晶體生長的過程，由于晶體生長過程中有不同的梯度，所需要的溫度情況不一樣，所以再根據(jù)晶體生長過程的各種情況決定輔助加熱器2的大小，從而能夠提高晶體的生長效率，通過冷卻水管道14對(duì)坩堝1進(jìn)行冷卻，然后根據(jù)溫度計(jì)5上的溫度讀數(shù)來了解溫度的變化情況，以控制坩堝1是否有過冷卻現(xiàn)象，提高晶體的成核速度，通過滑輪12帶動(dòng)轉(zhuǎn)軸13轉(zhuǎn)動(dòng)，使上面的主加熱器8一起轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而對(duì)坩堝1內(nèi)的晶體進(jìn)行充分加熱，防止加熱不均勻出現(xiàn)部分晶體沒有轉(zhuǎn)換或轉(zhuǎn)換過慢的情況。

本實(shí)用新型通過設(shè)置導(dǎo)光玻璃片3觀察晶體生長的過程，來決定輔助加熱器2的大小，從而能夠提高晶體的生長效率，根據(jù)溫度計(jì)5上的溫度讀數(shù)來了解溫度的變化情況，以控制坩堝1是否有過冷卻的現(xiàn)象，提高晶體的成核速度，通過滑輪12帶動(dòng)轉(zhuǎn)軸13轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而對(duì)坩堝1內(nèi)的晶體進(jìn)行充分加熱，提高熱能效率，在進(jìn)料口6設(shè)置過濾網(wǎng)7，用來過濾雜質(zhì)，用來提高晶體的純度。

最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。