本發(fā)明涉及包含特定的氮化硼粒子的粉末、散熱片及散熱片的制造方法。
背景技術(shù):
1、在功率器件、晶體管、晶閘管、cpu等電子零件中,將使用時(shí)產(chǎn)生的熱高效地散熱成為課題。針對(duì)該課題,使用含有導(dǎo)熱率高的陶瓷粉末的散熱部件。
2、作為陶瓷粉末,具有高導(dǎo)熱率、高絕緣性、低相對(duì)介電常數(shù)等特性的氮化硼粉末受到關(guān)注。氮化硼粉末通常由氮化硼的一次粒子聚集而成的聚集粒子(塊狀粒子)構(gòu)成。例如,在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種六方晶氮化硼粉末,其通過(guò)將聚集粒子的形狀進(jìn)一步球狀化來(lái)提高填充性,同時(shí)實(shí)現(xiàn)粉末強(qiáng)度的提高,進(jìn)而通過(guò)高純度化,實(shí)現(xiàn)填充有該粉末的傳熱片等的絕緣性的提高及耐電壓的穩(wěn)定化。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專(zhuān)利文獻(xiàn)
5、專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011-98882號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明所要解決的課題
2、在使用上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的那種六方晶氮化硼粉末的情況下,散熱片的導(dǎo)熱性取決于塊狀粒子的形狀、大小、強(qiáng)度等。反言之,若塊狀粒子的形狀、大小、強(qiáng)度等確定,則使用其的散熱片的導(dǎo)熱性也大致確定,通過(guò)一種六方晶氮化硼粉末來(lái)提高散熱片的導(dǎo)熱性是有局限的。
3、因此,本發(fā)明的主要目的是提供與由一種塊狀氮化硼粒子構(gòu)成的氮化硼粉末相比、能夠使散熱片的導(dǎo)熱率更有效地提高的粉末。
4、用于解決課題的手段
5、本發(fā)明的一方面為粉末,其含有管狀氮化硼粒子、和為多個(gè)氮化硼一次粒子的聚集體的塊狀氮化硼粒子,塊狀氮化硼粒子的壓碎強(qiáng)度小于7mpa。
6、本申請(qǐng)的發(fā)明人進(jìn)行了研究,結(jié)果判明,若除了塊狀氮化硼粒子以外還使用管狀氮化硼粒子,則可預(yù)計(jì)散熱片的導(dǎo)熱率的提高,進(jìn)而,通過(guò)使用壓碎強(qiáng)度較小的塊狀氮化硼粒子作為該塊狀氮化硼粒子,能夠使散熱片的導(dǎo)熱率更有效地提高。
7、上述的粉末中,以粉末的總體積為基準(zhǔn),管狀氮化硼粒子的含量可以為2~26體積%。
8、上述的粉末中,管狀氮化硼粒子可以包含最大長(zhǎng)度為80μm以上、縱橫比為1.5以上的氮化硼粒子。
9、上述的粉末中,管狀氮化硼粒子的強(qiáng)度可以為25mn以上。
10、本發(fā)明的另一方面為散熱片的制造方法,其具備通過(guò)加壓將含有管狀氮化硼粒子、塊狀氮化硼粒子和樹(shù)脂的組合物成型為片狀的工序,所述塊狀氮化硼粒子為多個(gè)氮化硼一次粒子的聚集體,塊狀氮化硼粒子的壓碎強(qiáng)度小于7mpa。
11、本發(fā)明的另一方面為散熱片,其含有管狀氮化硼粒子、多個(gè)氮化硼一次粒子、和樹(shù)脂,多個(gè)氮化硼一次粒子的一部分存在于管狀氮化硼粒子內(nèi)。
12、上述的散熱片中,取向性指數(shù)可以為7~15。
13、上述的散熱片中,管狀氮化硼粒子可以包含最大長(zhǎng)度為80μm以上、縱橫比為1.5以上的氮化硼粒子。
14、發(fā)明效果
15、根據(jù)本發(fā)明,可提供與由一種塊狀氮化硼粒子構(gòu)成的氮化硼粉末相比、能夠使散熱片的導(dǎo)熱率更有效地提高的粉末。
1.粉末,其含有:
2.如權(quán)利要求1所述的粉末,其中,以所述粉末的總體積為基準(zhǔn),所述管狀氮化硼粒子的含量為2~26體積%。
3.如權(quán)利要求1或2所述的粉末,其中,所述管狀氮化硼粒子包含最大長(zhǎng)度為80μm以上、縱橫比為1.5以上的氮化硼粒子。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的粉末,其中,所述管狀氮化硼粒子的強(qiáng)度為25mn以上。
5.散熱片的制造方法,所述制造方法具備通過(guò)加壓將含有管狀氮化硼粒子、塊狀氮化硼粒子和樹(shù)脂的組合物成型為片狀的工序,所述塊狀氮化硼粒子為多個(gè)氮化硼一次粒子的聚集體,
6.散熱片,其含有:
7.如權(quán)利要求6所述的散熱片,其取向性指數(shù)為7~15。
8.如權(quán)利要求6或7所述的散熱片,其中,所述管狀氮化硼粒子包含最大長(zhǎng)度為80μm以上、縱橫比為1.5以上的氮化硼粒子。