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經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管及氮化硼納米管的表面處理方法與流程

文檔序號(hào):40553341發(fā)布日期:2025-01-03 11:13閱讀:12來(lái)源:國(guó)知局
經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管及氮化硼納米管的表面處理方法與流程

本發(fā)明涉及一種經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管及氮化硼納米管的表面處理方法。


背景技術(shù):

1、雖然氮化硼納米管(boron?nitride?nano?tube,bnnt)與碳納米管(carbon?nanotube,cnt)具有結(jié)構(gòu)相似性,但是氮化硼納米管具有六方晶系結(jié)構(gòu),所述六方晶系結(jié)構(gòu)為硼原子及氮原子取代作為單個(gè)碳原子六方晶系的cnt的碳原子的結(jié)構(gòu)。由于bnnt與cnt相似的結(jié)構(gòu)而具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度及高導(dǎo)熱率,并且還由于硼和氮的交替鍵而具有寬帶隙,因此所述bnnt具有絕緣特性、高抗氧化性及耐化學(xué)性。

2、為了將這種bnnt的優(yōu)異特性適用于多個(gè)領(lǐng)域,確保bnnt在分散介質(zhì)中的分散質(zhì)量是非常重要的條件。然而,bnnt在有機(jī)及水溶性溶劑中的分散性低,因而限制bnnt的實(shí)際應(yīng)用。因此,為了在多個(gè)領(lǐng)域中實(shí)際應(yīng)用bnnt,需要使bnnt分散在多種溶劑中。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、技術(shù)問(wèn)題

2、本發(fā)明的實(shí)施例提供一種在親水性或疏水性溶劑中具有優(yōu)異的分散性的經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管及氮化硼納米管的表面處理方法。

3、解決技術(shù)方案

4、本發(fā)明的一實(shí)施例公開(kāi)一種經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,經(jīng)過(guò)表面處理的所述氮化硼納米管包括:氮化硼納米管;以及第一層,位于所述氮化硼納米管的表面的至少一部分上,所述第一層與所述氮化硼納米管成π鍵,所述第一層包含羥苯基。

5、本發(fā)明的另一實(shí)施例公開(kāi)了一種氮化硼納米管的表面處理方法,所述方法包括:在水中混合第一表面處理劑,以形成混合液的步驟;在所述混合液中分散氮化硼納米管,以形成分散物的步驟;以及從所述分散物中洗滌氮化硼納米管并進(jìn)行干燥的步驟,所述分散物的ph為8至9,在干燥的所述氮化硼納米管的表面的至少一部分上形成有包含羥苯基的第一層。

6、發(fā)明效果

7、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,氮化硼納米管可經(jīng)過(guò)表面處理而具有親水性或疏水性,由此可分散在多種溶劑中,因此可提高氮化硼納米管的使用性。

8、另外,在對(duì)氮化硼納米管進(jìn)行表面處理使其具有疏水性時(shí),可使用水作為分散介質(zhì),因此不使用有機(jī)溶劑即可防止環(huán)境污染。



技術(shù)特征:

1.一種經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,其特征在于,

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,其特征在于,

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,其特征在于,

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,其特征在于,

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,其特征在于,

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,其特征在于,

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,其特征在于,

8.一種氮化硼納米管的表面處理方法,其特征在于,

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化硼納米管的表面處理方法,其特征在于,

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮化硼納米管的表面處理方法,其特征在于,

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化硼納米管的表面處理方法,其特征在于,

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化硼納米管的表面處理方法,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的一實(shí)施例公開(kāi)一種經(jīng)過(guò)表面處理的氮化硼納米管,經(jīng)過(guò)表面處理的所述氮化硼納米管包括:氮化硼納米管;以及第一層,位于所述氮化硼納米管的表面的至少一部分上,所述第一層與所述氮化硼納米管成π鍵,所述第一層包含羥苯基。

技術(shù)研發(fā)人員:扎希德·哈尼夫,崔基寅,金在愚
受保護(hù)的技術(shù)使用者:耐爾泰科株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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