本技術涉及半導體領域，具體涉及一種外延爐承載盤定位裝置。

背景技術：

1、碳化硅外延生長已經實現(xiàn)了商業(yè)化，通常采用cvd(化學氣相沉積)的方法來生長碳化硅外延晶片。目前商業(yè)化的外延爐，大部分為水平型反應室外延爐，少部分為垂直反應室外延爐，在使用外延爐進行碳化硅外延生長過程中，經常由于人員未能將放置碳化硅晶圓的承載盤撥動到正確的位置，從而導致碳化硅外延晶片質量不高，

技術實現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術的不足，本實用新型提供了一種外延爐承載盤定位裝置，其主要解決的是減少人為因素造成碳化硅外延晶片質量差的概率。

2、為達到上述目的，本實用新型是通過以下技術方案實現(xiàn)的：

3、外延爐承載盤定位裝置，包括手柄、第一定位部、第二定位部，第一定位部位于第二定位部下方，第一定位部用于與外延爐的旋轉基座接觸匹配，第二定位部用于與襯底承載盤接觸匹配，第一定位部與外延爐的旋轉基座接觸定位的同時將襯底承載盤撥動至與第二定位部接觸以定位，從而實現(xiàn)襯底承載盤與外延爐的旋轉基座同軸。

4、進一步，所述第一定位部和所述第二定位部皆呈弧形，所述第一定位部所在圓的圓心和所述第二定位部所在圓的圓心位于同一豎直線上。

5、進一步，所述第一定位部包括用于與外延爐的旋轉基座的外周面接觸的多個第一定位凸起，各第一定位凸起位于同一弧線上。

6、進一步，所述第二定位部包括用于與襯底承載盤的外周面接觸的多個第二定位凸起，各第二定位凸起位于同一弧線上。

7、進一步，還包括連接在第二定位部頂部的第三定位部，第三定位部用于與蓋環(huán)接觸匹配，對蓋環(huán)輔助定位。

8、進一步，所述第三定位部的高度為4mm至6mm。

9、進一步，所述第三定位部至少包括兩個定位凸起。

10、進一步，所述第三定位部呈弧形，第三定位部所在圓的圓心與第二定位部所在圓的圓形位于同一豎直線上。

11、本實用新型具有以下有益效果：

12、外延爐承載盤定位裝置包括第一定位部、第二定位部，通過以外延爐的旋轉基座為輔助，將第一定位部與旋轉基座接觸定位，再將襯底承載盤撥動至與第二定位部接觸定位，從而確保襯墊承載盤被撥動至正確位置，減少人為因素造成碳化硅外延晶片質量差的概率。

技術特征：

1.一種外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：包括手柄、第一定位部、第二定位部，第一定位部位于第二定位部下方，第一定位部用于與外延爐的旋轉基座接觸匹配，第二定位部用于與襯底承載盤接觸匹配，第一定位部與外延爐的旋轉基座接觸定位的同時將襯底承載盤撥動至與第二定位部接觸以定位，從而實現(xiàn)襯底承載盤與外延爐的旋轉基座同軸。

2.根據權利要求1所述的外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：所述第一定位部和所述第二定位部皆呈弧形，所述第一定位部所在圓的圓心和所述第二定位部所在圓的圓心位于同一豎直線上。

3.根據權利要求1所述的外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：所述第一定位部包括用于與外延爐的旋轉基座的外周面接觸的多個第一定位凸起，各第一定位凸起位于同一弧線上。

4.根據權利要求1所述的外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：所述第二定位部包括用于與襯底承載盤的外周面接觸的多個第二定位凸起，各第二定位凸起位于同一弧線上。

5.根據權利要求1所述的外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：還包括連接在第二定位部頂部的第三定位部，第三定位部用于與蓋環(huán)接觸匹配，對蓋環(huán)輔助定位。

6.根據權利要求5所述的外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：所述第三定位部的高度為4mm至6mm。

7.根據權利要求5所述的外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：所述第三定位部至少包括兩個定位凸起。

8.根據權利要求5所述的外延爐承載盤定位裝置，其特征在于：所述第三定位部呈弧形，第三定位部所在圓的圓心與第二定位部所在圓的圓形位于同一豎直線上。

技術總結
本技術公開一種外延爐承載盤定位裝置，包括手柄、第一定位部、第二定位部，第一定位部位于第二定位部下方，第一定位部用于與外延爐的旋轉基座接觸匹配，第二定位部用于與襯底承載盤接觸匹配，第一定位部與外延爐的旋轉基座接觸定位的同時將襯底承載盤撥動至與第二定位部接觸以定位，從而實現(xiàn)襯底承載盤與外延爐的旋轉基座同軸。通過以外延爐的旋轉基座為輔助，確保襯墊承載盤被撥動至正確位置，減少人為因素造成碳化硅外延晶片質量差的概率。

技術研發(fā)人員：高增輝,張澤康,李凱希,孫永強,馮淦,趙建輝
受保護的技術使用者：瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司
技術研發(fā)日：20231213
技術公布日：2025/1/9