本發(fā)明涉及靜電卡盤，特別涉及一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料及其制備方法。
背景技術：
1、目前氮化鋁靜電吸盤所用填孔工藝主要以htcc高溫共燒為主，其填孔的目的為制作電極柱，所用電子漿料大多為w漿、mo/mn漿，但靜電吸盤較常規(guī)htcc產(chǎn)品的填孔有其特殊性：所填孔的尺寸水平及厚度方向都更大，即所需填入的漿料更多。
2、如上述靜電吸盤的填孔特殊性，燒結后存在一定缺陷：w、mo、mn在高溫燒結過程中易與氣氛或產(chǎn)品中的殘c發(fā)生反應生成wc、mo2c、mn2c，導致填孔所制成的電極柱阻值產(chǎn)品變化，且會隨著碳化程度的不同，阻值變化不一樣，無法控制其穩(wěn)定性。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術中氮化鋁靜電吸盤填孔漿料燒結后阻值變化且不穩(wěn)定的問題。
2、為了解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案為：
3、本發(fā)明一方面公開一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料，所述填孔漿料包括粉體和有機相，所述粉體包括碳化物和無機物，所述碳化物為wc或mo2c或者兩者的混合物，所述碳化物包括不同粒徑范圍內(nèi)的粉體按如下質量配比：
4、質量占比為1％～15％的wc碳化物粉體或mo2c碳化物粉體或兩者的混合物，其粒徑大小為0.1～1μm；
5、質量占比為70％～90％的wc碳化物粉體或mo2c碳化物粉體或兩者的混合物，其粒徑大小為1～3μm；
6、質量占比為1％～15％的wc碳化物粉體或mo2c碳化物粉體或兩者的混合物，其粒徑大小為3～5μm；
7、所述無機物為y2o3、mgo、cao中的任意一種或者兩種或兩種以上的混合物。
8、優(yōu)選的，所述有機相按如下質量配比包括：
9、粘結劑：所述粘結劑為乙基纖維素、丙烯酸樹脂、pvb中的任意一個或者任意兩者及兩者以上的混合物，其質量占比10％～50％；
10、溶劑：所述溶劑為松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、鄰苯二甲酸二丁酯、醇酯十二中的任意一個，其質量占比為30％～60％；
11、分散劑：所述分散劑為卵磷脂或蓖麻油，其質量占比為5％～20％。
12、優(yōu)選的，所述填孔漿料中各組分的質量份數(shù)為：碳化物70～95份，無機物0.1～10份，有機相5～30份。
13、本發(fā)明另一方面公開一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料的制備方法，所述填孔漿料的制備方法包括：
14、在行星球磨機中，按配比加入碳化物、無機物、有機相，使用直徑為3～5mm的球磨子在轉速大于等于300rpm條件下球磨1h以上，出漿，再用三輥扎機在輥子間隙為10～50μm條件下扎制3～6遍，細度達到5μm以下，制的所述填孔漿料。
15、采用上述技術方案，具有以下有益效果：
16、利用碳化物制作氮化鋁靜電吸盤填孔漿料，可避免因氮化鋁靜電吸盤燒結時存在的殘c導致的金屬碳化而電阻不穩(wěn)定現(xiàn)象，且碳化物陶瓷與氮化鋁材質熱膨脹系數(shù)更為接近，填孔燒結后與孔壁結合性更好。
1.一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料，其特征在于，所述填孔漿料包括粉體和有機相，所述粉體包括碳化物和無機物，所述碳化物為wc或mo2c或者兩者的混合物，所述碳化物包括不同粒徑范圍內(nèi)的粉體按如下質量配比：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料，其特征在于，所述有機相按如下質量配比包括：
3.根據(jù)權利要求1所述的一種用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料，其特征在于，所述填孔漿料中各組分的質量份數(shù)為：碳化物70～95份，無機物0.1～10份，有機相5～30份。
4.一種如權利要求1～3中任意一項用于氮化鋁靜電卡盤的填孔漿料的制備方法，其特征在于，所述填孔漿料的制備方法包括：