本發(fā)明涉及精細(xì)化工純化領(lǐng)域,尤其涉及一種高純度三氟化硼11的純化方法及裝置。
背景技術(shù):
1、三氟化硼,無(wú)色氣體,有窒息性,在空氣中遇到潮氣,立即分解為氟硼酸和硼酸。高純?nèi)鹩糜陔娮庸I(yè),作為硅和鍺的外延、擴(kuò)散和立離子注入過(guò)程的p型摻雜源、也可以作為制備光纖預(yù)制件的原料,作為硼摻雜劑用于硅離子布植方面,生產(chǎn)出的芯片具有高集成、高密度的特點(diǎn)。硼元素分為硼-10和硼-11,硼-10對(duì)快速中子具有非常強(qiáng)的吸附能力,在核電、現(xiàn)代工業(yè)、軍事裝備等方面的應(yīng)用也日益廣泛,硼-11同位素作為集成電路的半導(dǎo)體摻雜所生產(chǎn)的集成電路芯片具有極強(qiáng)的抗輻射和抗單粒子效應(yīng)能力。三氟化硼11是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的消耗性材料,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向東轉(zhuǎn)移背景下,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)高純、高豐度的三氟化硼11需求迅速增長(zhǎng),但三氟化硼11生產(chǎn)技術(shù)壁壘高、產(chǎn)能低,我國(guó)市場(chǎng)需求主要依賴進(jìn)口,但進(jìn)口三氟化硼11單價(jià)高,在現(xiàn)處的背景下,三氟化硼11亟需國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)。
2、隨著電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)三氟化硼11純度的要求也日益提高。在三氟化硼11的制備過(guò)程中,由于其制備方法的不同,合成過(guò)程中的雜質(zhì)種類也多,常見雜質(zhì)包括氧氣、氮?dú)?、二氧化碳、一氧化碳、四氟化硅、二氧化硫和氟化氫等。目前,電子氣體中的氟化氫雜質(zhì)主要通過(guò)精餾或水洗除去,但由于三氟化硼易溶于水,以上方法難以適用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明目的在于提供一種高純度三氟化硼11的純化方法及裝置,以解決上述現(xiàn)有制備高純?nèi)?1產(chǎn)品不滿足要求,產(chǎn)品純度不穩(wěn)定及流程復(fù)雜的問(wèn)題。
2、本發(fā)明的具體技術(shù)方案如下:
3、一種高純度三氟化硼11的純化方法,包括以下步驟:
4、s1、將三氟化硼11的純化裝置進(jìn)行氮?dú)獯祾卟⒅脫Q,保持水分含量<1ppm;
5、s2、將三氟化硼11原料經(jīng)過(guò)氟化鈉吸附,脫除部分hf雜質(zhì),吸附溫度為10~70℃,再生溫度為200~300℃,得到混合氣;
6、s3、將s2得到的混合氣通過(guò)精餾脫除輕組分,得到混合液;
7、s4、將s3得到的混合液再次經(jīng)過(guò)精餾脫除重組分,得到高純?nèi)?1;
8、s5、將高純?nèi)?1收集到冷阱并進(jìn)行充裝。
9、優(yōu)選的,還包括步驟s6、將步驟s3脫除的輕組分和步驟s4脫除的重組分收集到三廢冷阱,再經(jīng)過(guò)初分塔提純,使三氟化硼11的質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量≥99%,作為原料繼續(xù)純化。
10、優(yōu)選的,在步驟s6中,三廢冷阱的操作溫度為-120~-100℃。
11、優(yōu)選的,在步驟s2中,三氟化硼11的質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量大于等于99%。
12、優(yōu)選的,在步驟s2中,三氟化硼11原料進(jìn)行純化的流量為0.5~2kg/h。
13、優(yōu)選的,在步驟s3中,通過(guò)精餾操作去除輕組分的操作溫度為-90~-60℃,操作壓力為0.3~0.8mpa,回流比為5~10,脫除的輕組分雜質(zhì)包括:h2、o2、ar、n2和部分三氟化硼11。
14、優(yōu)選的,在步驟s4中,通過(guò)精餾操作去除重組分的操作溫度為-80~60℃,操作壓力為0.2~0.7mpa,回流比為5~10,脫除的重組分雜質(zhì)包括:co2、so2、hf、sif4和部分三氟化硼11。
15、優(yōu)選的,在步驟s5中,冷阱的操作溫度為-120~-100℃。
16、本發(fā)明還提供了一種高純度三氟化硼11的純化裝置,包括依次管路連接的吸附塔、脫輕塔、脫重塔、收集冷阱、膜壓機(jī)和產(chǎn)品鋼瓶,原料輸入管路與吸附塔底部進(jìn)料口通過(guò)管道連接,管道上設(shè)置有質(zhì)量流量控制器,吸附塔頂部的出料口與脫輕塔中部的進(jìn)料口通過(guò)管道連接,脫輕塔底部通過(guò)管道與脫重塔中部連接,脫重塔頂部通過(guò)管道與收集冷阱連接,收集冷阱通過(guò)管道與膜壓機(jī)連接,膜壓機(jī)通過(guò)管道與收集鋼瓶連接;脫輕塔頂部通過(guò)管道與三廢冷阱連接,脫重塔底部通過(guò)管道與三廢冷阱連接,三廢冷阱通過(guò)管道與初分塔中部連接,初分塔底部與原料輸入管路連接。
17、本發(fā)明的高純度三氟化硼11的純化方法及裝置具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明的技術(shù)方案,將采購(gòu)的產(chǎn)品通入精餾塔去除輕組分和重組分,得到高純產(chǎn)品,通過(guò)精餾過(guò)程的精確控制,有效去除了三氟化硼11中的輕組分和重組分雜質(zhì),如h2、o2、ar、n2、co2、so2、hf、sif4等,從而能夠獲得高純度的5n級(jí)三氟化硼11產(chǎn)品,滿足高端應(yīng)用的需求。
18、在純化裝置的準(zhǔn)備階段,通過(guò)氮?dú)獯祾卟⒅脫Q,確保系統(tǒng)內(nèi)的水分含量低于1ppm,這極大地減少了三氟化硼11的損失;將原料經(jīng)過(guò)吸附塔,脫除部分hf雜質(zhì),防止對(duì)后續(xù)設(shè)備造成腐蝕。
19、優(yōu)化精餾操作溫度和壓力范圍,以及合理的回流比設(shè)置,不僅提高了純化效率,還有效降低了能耗,使得生產(chǎn)過(guò)程更加經(jīng)濟(jì)高效。
20、為了環(huán)保和重復(fù)利用,將脫輕塔和脫重塔收集的輕重組分進(jìn)行收集,循環(huán)利用;工藝過(guò)程無(wú)排放,無(wú)污染,該技術(shù)方案工藝成熟,步驟簡(jiǎn)單,環(huán)保,產(chǎn)品質(zhì)量高。
1.一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,還包括步驟s6、將步驟s3脫除的輕組分和步驟s4脫除的重組分收集到三廢冷阱,再經(jīng)過(guò)初分塔提純,使三氟化硼11的質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量≥99%,作為原料繼續(xù)純化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,在步驟s6中,三廢冷阱的操作溫度為-120~-100℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,在步驟s6中,初分塔操作溫度為-90~-60℃,操作壓力為0.3~0.8mpa,回流比為5~10。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,在步驟s2中,三氟化硼11的質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量大于等于99%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,在步驟s2中,三氟化硼11原料進(jìn)行純化的流量為0.5~2kg/h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,在步驟s3中,通過(guò)精餾操作去除輕組分的操作溫度為-90~-60℃,操作壓力為0.3~0.8mpa,回流比為5~10,脫除的輕組分雜質(zhì)包括:h2、o2、ar、n2和部分三氟化硼11。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,在步驟s4中,通過(guò)精餾操作去除重組分的操作溫度為-80~60℃,操作壓力為0.2~0.7mpa,回流比為5~10,脫除的重組分雜質(zhì)包括:co2、so2、hf、sif4和部分三氟化硼11。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,在步驟s5中,冷阱的操作溫度為-120~-100℃。
10.一種高純度三氟化硼11的純化裝置,用于權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的高純度三氟化硼11的純化方法,其特征在于,包括依次管路連接的吸附塔、脫輕塔、脫重塔、收集冷阱、膜壓機(jī)和產(chǎn)品鋼瓶,原料輸入管路與吸附塔底部進(jìn)料口通過(guò)管道連接,管道上設(shè)置有質(zhì)量流量控制器,吸附塔頂部的出料口與脫輕塔中部的進(jìn)料口通過(guò)管道連接,脫輕塔底部通過(guò)管道與脫重塔中部連接,脫重塔頂部通過(guò)管道與收集冷阱連接,收集冷阱通過(guò)管道與膜壓機(jī)連接,膜壓機(jī)通過(guò)管道與收集鋼瓶連接;脫輕塔頂部通過(guò)管道與三廢冷阱連接,脫重塔底部通過(guò)管道與三廢冷阱連接,三廢冷阱通過(guò)管道與初分塔中部連接,初分塔底部與原料輸入管路連接。