技術(shù)特征：

1.一種連續(xù)直拉單晶爐，其特征在于，包括單晶爐(1)和加料設(shè)備(2)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)直拉單晶爐，其特征在于，所述熱場(4)由外側(cè)保溫筒和置于所述熱場(4)中心位置的石英坩堝(6)組成，所述石英坩堝(6)底部由托桿(7)支撐，所述石英坩堝(6)上方設(shè)有水冷裝置(8)，所述水冷裝置(8)外側(cè)設(shè)有導(dǎo)流筒(9)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述連續(xù)直拉單晶爐，其特征在于，所述石英坩堝(6)高度不超過500mm，直徑不低于36吋；

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的連續(xù)直拉單晶爐，其特征在于，所述固氈支撐塊(21)呈梯形兩瓣結(jié)構(gòu)，后端有定位塊，與所述定位孔(102)配合，內(nèi)部設(shè)有與所述加料管(19)匹配的凹槽，將所述加料管(19)包覆，裝入所述加料管(19)后用螺桿固定。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連續(xù)直拉單晶爐，其特征在于，所述加料漏斗(22)下端呈直筒狀，與所述加料管(19)上端配合，所述加料漏斗(22)上端呈喇叭狀，與所述輸料管(205)對接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)直拉單晶爐，其特征在于，所述底座(201)呈長方形，置于所述單晶爐(1)一側(cè)，所述底座(201)上方設(shè)有滑軌和驅(qū)動裝置，所述支架(202)可在滑軌上移動，所述料倉(203)設(shè)于所述支架(202)上方，所述控料機(jī)構(gòu)(204)設(shè)于所述料倉(203)下方的出料口位置，所述控料機(jī)構(gòu)(204)上方與所述料倉(203)出料口連接，側(cè)向與所述輸料管(205)連接，所述輸料管(205)外側(cè)為波紋管，連接所述單晶爐(1)與所述加料設(shè)備(2)；

7.一種連續(xù)直拉單晶硅生產(chǎn)工藝，包括權(quán)利要求1-6任意一項所述的連續(xù)直拉單晶爐，其特征在于，單晶硅在生產(chǎn)時包括以下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種連續(xù)直拉單晶硅生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述加料設(shè)備(2)在使用時包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于單晶爐技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種連續(xù)直拉單晶爐及單晶硅生產(chǎn)工藝。包括單晶爐和加料設(shè)備，所述單晶爐包括爐體、爐蓋和置于爐體內(nèi)的熱場，所述加料設(shè)備包括底座、支架、料倉、控料機(jī)構(gòu)和輸料管，所述單晶爐與所述加料設(shè)備通過所述輸料管道連通，所述單晶爐與所述加料設(shè)備中間設(shè)有插板閥，用于隔離所述單晶爐與所述加料設(shè)備。本發(fā)明通過改進(jìn)熱場設(shè)計、加料機(jī)制、防濺措施以及整體生產(chǎn)工藝來提高單晶硅的生產(chǎn)效率和質(zhì)量，通過這些改進(jìn)，可以有效地解決電阻率不均勻的問題，進(jìn)而提高單晶硅的質(zhì)量、電池片的效率以及單晶生產(chǎn)的效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王燕飛,文勇,樊同帥,張建如
受保護(hù)的技術(shù)使用者：包頭美科硅能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6