本發(fā)明涉及光纖熔接，具體而言，涉及一種光纖涂覆層剝離劑及其制備方法和光纖熔接方法。
背景技術(shù)：
1、光纖是目前主流傳輸媒介，且具有傳輸帶寬，通信容量大、損耗低、不受電磁干擾、直徑小、重量輕、原材料來(lái)源豐富等優(yōu)點(diǎn)，因此，被廣泛地應(yīng)用在通信、電視、數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)中。對(duì)于光纖器件，光纖直徑直接影響著光纖器件的物理體積，例如在制作光纖陀螺儀時(shí)，采用超細(xì)徑光纖可以縮小光纖陀螺儀體積，相同體積的陀螺可以增大光纖長(zhǎng)度從而提高光纖陀螺精度。此外，超細(xì)徑光纖在相同曲率半徑下產(chǎn)生的應(yīng)變低，可以提高光傳輸?shù)姆€(wěn)定性、性能溫度敏感性、可靠性等，因此，采用超細(xì)徑光纖是光纖器件發(fā)展的重要趨勢(shì)。
2、干涉式光纖陀螺儀是一種基于sagnac效應(yīng)的角速率傳感器，由光路、電路、機(jī)械結(jié)構(gòu)等構(gòu)成。sagnac效應(yīng)由光路產(chǎn)生，光源、探測(cè)器、耦合器、y波導(dǎo)、光纖環(huán)等光學(xué)器件尾纖通過(guò)熔接形成閉合的光路，從光源發(fā)出的光經(jīng)過(guò)耦合器和y波導(dǎo)后被分成兩束，一束從光纖環(huán)的尾纖1進(jìn)入光纖環(huán)沿順時(shí)針傳播，另一束從光纖環(huán)的尾纖2進(jìn)入光纖環(huán)沿逆時(shí)針傳播，兩束光在光纖環(huán)中傳播一圈后又回到y(tǒng)波導(dǎo)并發(fā)生干涉，當(dāng)光纖環(huán)的法向存在角速度時(shí)，兩束光之間將會(huì)存在一個(gè)與輸入角速度成正比的相位差(sagnac相位差)，相應(yīng)的干涉信號(hào)的強(qiáng)度發(fā)生變化。通過(guò)探測(cè)器檢測(cè)干涉信號(hào)的強(qiáng)度，就可以得到輸入角速度的大小。光路中的光纖環(huán)決定了光纖陀螺精度，光纖環(huán)直徑越大、光纖長(zhǎng)度越長(zhǎng)，則陀螺的精度越高。光纖環(huán)使用的光纖通常為包層直徑80um的保偏光纖，與之連接的y波導(dǎo)尾纖同樣為包層直徑80um的保偏光纖，現(xiàn)有設(shè)備對(duì)80um保偏光纖熔接處理工藝已比較成熟。
3、而隨著光纖陀螺對(duì)小型化的需求越來(lái)越高，部分光纖環(huán)開(kāi)始使用60um細(xì)徑保偏光纖，以在相同的光纖長(zhǎng)度下，使光纖環(huán)體積更小、重量更輕，同時(shí)滿足精度要求。但當(dāng)前設(shè)備對(duì)60um細(xì)徑保偏光纖的熔接處理工藝尚不成熟，存在涂覆層剝除困難的問(wèn)題，且y波導(dǎo)尾纖只有80um一種規(guī)格，與60um光纖包層直徑不匹配，在熔接后出現(xiàn)熔點(diǎn)損耗大、熔點(diǎn)損耗一致性差、熔點(diǎn)強(qiáng)度低等問(wèn)題，影響光纖陀螺的合格率及可靠性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決現(xiàn)有設(shè)備對(duì)60um細(xì)徑保偏光纖的熔接處理工藝尚不成熟，存在涂覆層剝除困難的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種光纖涂覆層剝離劑及其制備方法和光纖熔接方法。
2、第一方面，本發(fā)明提供了一種光纖涂覆層剝離劑，由以下重量比的原料制成：二氯甲烷86％～89％、甲酸5％～6％、苯酚5％～6％、石蠟0.5％～1％、余量為有機(jī)玻璃。
3、在一些實(shí)施例中，所述甲酸的質(zhì)量濃度為65％～80％。
4、在一些實(shí)施例中，所述的石蠟的熔點(diǎn)為30℃～70℃。
5、另一方面，本發(fā)明提供了一種如上所述光纖涂覆層剝離劑的制備方法，包括以下步驟：
6、1)于器皿中加入石蠟與有機(jī)玻璃，將石蠟加熱熔化，趁熱邊攪拌邊加入二氯甲烷，成均勻體系，溫度為30℃～55℃；
7、2)加入苯酚，攪拌至溶解；
8、3)加入甲酸，繼續(xù)攪拌均勻。
9、第三方面，本發(fā)明提供了一種光纖熔接方法，包括以下步驟：
10、(1)去除光纖涂覆層，并用無(wú)水乙醇擦拭干凈；
11、(2)對(duì)去除光纖涂覆層的光纖進(jìn)行切割；
12、(3)將切割好的光纖放置于熔接機(jī)中進(jìn)行熔接；
13、其中，光纖涂覆層的去除采用化學(xué)剝離法，并應(yīng)用如上所述光纖涂覆層剝離劑進(jìn)行光纖涂覆層剝離。
14、在一些實(shí)施例中，在步驟(3)中，所述光纖放置于熔接機(jī)中進(jìn)行熔接時(shí)，所述待熔接光纖的重疊量為大于等于8μm，小于等于12μm。
15、在一些實(shí)施例中，在步驟(1)中，將所述光纖在所述光纖涂覆層剝離劑中浸泡10秒～20秒后將光纖涂覆層剝離。
16、在一些實(shí)施例中，在步驟(3)中，將所述光纖的包層直徑輸入所述熔接機(jī)中，設(shè)定清潔放電功率為150bit～200bit，清潔放電時(shí)間為60～80ms，光纖預(yù)熔功率為150bit～170bit，光纖預(yù)熔時(shí)間為10～15ms，主放電功率為210bit～230bit，主放電時(shí)間為2800～3200ms。
17、在一些實(shí)施例中，在步驟(3)之后還包括：使用涂覆機(jī)對(duì)完成熔接的光纖熔接點(diǎn)進(jìn)行涂覆。
18、在一些實(shí)施例中，所述光纖的包層直徑為50～70μm。
19、為解決現(xiàn)有設(shè)備對(duì)60um細(xì)徑保偏光纖的熔接處理工藝尚不成熟，存在涂覆層剝除困難的問(wèn)題，本發(fā)明有以下優(yōu)點(diǎn)：
20、通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案，可快速去除光纖涂覆層，達(dá)到完全剝離，而不損傷纖芯及包層。
1.一種光纖涂覆層剝離劑，其特征在于，由以下重量比的原料制成：二氯甲烷86％～89％、甲酸5％～6％、苯酚5％～6％、石蠟0.5％～1％、余量為有機(jī)玻璃。
2.如權(quán)利要求1所述光纖涂覆層剝離劑，其特征在于，所述甲酸的質(zhì)量濃度為65％～80％。
3.如權(quán)利要求1所述光纖涂覆層剝離劑，其特征在于，所述的石蠟的熔點(diǎn)為30℃～70℃。
4.一種如權(quán)利要求1至3任一所述光纖涂覆層剝離劑的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
5.一種光纖熔接方法，其特征在于，包括以下步驟：
6.如權(quán)利要求5所述光纖熔接方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述光纖放置于熔接機(jī)中進(jìn)行熔接時(shí)，所述待熔接光纖的重疊量為大于等于8μm，小于等于12μm。
7.如權(quán)利要求5所述光纖熔接方法，其特征在于，在步驟(1)中，將所述光纖在所述光纖涂覆層剝離劑中浸泡10秒～20秒后將光纖涂覆層剝離。
8.如權(quán)利要求5所述光纖熔接方法，其特征在于，在步驟(3)中，將所述光纖的包層直徑輸入所述熔接機(jī)中，在熔接機(jī)中設(shè)定待熔光纖的包層直徑，設(shè)定清潔放電功率為150bit～200bit，清潔放電時(shí)間為60～80ms，光纖預(yù)熔功率為150bit～170bit，光纖預(yù)熔時(shí)間為10～15ms，主放電功率為210bit～230bit，主放電時(shí)間為2800～3200ms。
9.如權(quán)利要求5所述光纖熔接方法，其特征在于，在步驟(3)之后還包括：使用涂覆機(jī)對(duì)完成熔接的光纖熔接點(diǎn)進(jìn)行涂覆。
10.如權(quán)利要求8所述光纖熔接方法，其特征在于，所述光纖的包層直徑為50～70μm。