本技術(shù)涉及微晶玻璃，尤其涉及一種具有高彎折性能的微晶玻璃及其制備方法、蓋板玻璃和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、蓋板作為折疊屏的重要部件，其需要具備優(yōu)異的抗沖擊、抗刮擦性能、抗變形和抗彎折等特性。目前，常見的折疊屏蓋板的材料包括無色聚酰亞胺(cpi)、耐高溫聚酯(pet)、超薄玻璃(utg)和超薄微晶玻璃(微晶utg)。其中，cpi和pet彎折后容易出現(xiàn)折痕泛白、表面抗刮擦性不足，以及觸感欠佳等缺點。而utg由于極薄，即便經(jīng)過強(qiáng)化處理，仍然容易破碎，抗沖擊能力差。微晶utg具有更加優(yōu)良的硬度、抗刮擦性能、耐沖擊性、抗變形性、抗跌落性、防飛散性等性能，在折疊屏蓋板材料中具有廣闊的應(yīng)用前景。

2、然而，由于市面上的微晶玻璃普遍具有較高的脆性和楊氏模量，從而導(dǎo)致其減薄獲得的微晶utg極易出現(xiàn)彎折性能不足的問題，例如：(1)極限彎折半徑大；(2)常規(guī)場景下彎折壽命短，等等。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，即使采用現(xiàn)有成熟的utg生產(chǎn)工藝，將現(xiàn)有微晶玻璃制成微晶utg，所制得的微晶utg的極限彎折半徑也僅約為2.0mm～5.0mm，對制得的微晶utg進(jìn)行彎折壽命測試時，在r2.5(折彎半徑2.5mm)時，彎折次數(shù)也僅為小于等于1萬次。

3、需要說明的是，本技術(shù)的該部分內(nèi)容僅提供與本技術(shù)有關(guān)的背景技術(shù)，而并不必然構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)或公知技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、不受任何理論限制，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，與超薄玻璃(utg)相似的是，超薄微晶玻璃(微晶utg)的邊緣倒角結(jié)構(gòu)，對其彎折性能也有顯著影響，邊緣倒角結(jié)構(gòu)的特征，對于改善超薄微晶玻璃產(chǎn)品的彎折性能和彎折壽命而言，非常重要；而不同于超薄玻璃(utg)的是，如果僅通過控制倒角寬度a和倒角高度b的比率、倒角寬度a和微晶玻璃厚度t的比率以及進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，并不能將微晶utg的彎折性能和彎折壽命提高到較高的范圍，制得的微晶utg依然存在彎折性能不足的問題。

2、進(jìn)一步地，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在制備超薄微晶玻璃時，通過使超薄微晶玻璃的表面粗糙度盡可能的小，

3、同時，在邊緣處理時，使超薄微晶玻璃形成具有特定邊緣形狀的倒角結(jié)構(gòu)，利于獲得在化學(xué)強(qiáng)化處理后，具有更優(yōu)彎折性能的超薄微晶玻璃。

4、本技術(shù)提供了一種微晶玻璃以及包含該微晶玻璃的蓋板玻璃和電子設(shè)備，該微晶玻璃為超薄微晶玻璃，其主表面的粗糙度滿足特定的范圍，同時具有弧形倒角，且倒角的邊緣曲線滿足特定的關(guān)系式/函數(shù)，有利于減少彎曲過程中由于邊緣應(yīng)力集中導(dǎo)致的破碎風(fēng)險，從而使得微晶玻璃具有較好的彎折性能和較高的彎折壽命。

5、具體地，本技術(shù)提供的技術(shù)方案包括：

6、第一方面，提供了一種微晶玻璃，所述微晶玻璃包括第一主表面、第二主表面以及連接所述第一主表面和所述第二主表面的至少一個側(cè)表面；

7、所述第一主表面和第二主表面的表面粗糙度ra滿足：ra≤150nm，優(yōu)選為，ra≤145nm，更優(yōu)選為，ra≤140nm；

8、所述微晶玻璃中，至少一個所述側(cè)表面具有至少一個倒角，所述倒角的邊緣呈弧形，在沿厚度方向垂直于該側(cè)表面的截面建立坐標(biāo)系，以微晶玻璃兩主表面的對稱軸線為x軸，并以經(jīng)過主表面上倒角起始點且垂直于x軸的直線作為y軸，所述倒角的邊緣曲線滿足如下關(guān)系式：

9、

10、其中，k滿足0.36≤k≤3.52，優(yōu)選為，0.36≤k≤3，更優(yōu)選為，0.36≤k≤2.5，t為所述微晶玻璃的厚度，單位為mm。

11、本技術(shù)通過使微晶玻璃的表面粗糙度滿足特定的范圍，同時使微晶玻璃邊緣形成滿足特定關(guān)系式的弧形倒角，有利于減少彎曲過程中由于邊緣應(yīng)力集中導(dǎo)致的破碎風(fēng)險，使得微晶玻璃具有較好的彎折性能和較高的彎折壽命。本技術(shù)中，微晶玻璃的側(cè)表面的邊緣倒角結(jié)構(gòu)，可通過但不限于化學(xué)蝕刻的方式形成。

12、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述表面粗糙度ra為55nm～140nm；和/或

13、所述倒角的邊緣曲線滿足的關(guān)系式中，k的值為0.36～2.08。

14、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述表面粗糙度ra為55nm、96nm、100nm或140nm；和/或，所述倒角的邊緣曲線滿足的關(guān)系式中，k的值為0.36、1.12、1.69或2.08。

15、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的厚度t為0.02mm～0.2mm，優(yōu)選為，0.02mm～0.1mm，更優(yōu)選為0.02mm～0.05mm。在本技術(shù)的一些實施方式中，微晶玻璃的厚度為0.025mm或0.03mm。

16、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃中，至少一個所述側(cè)表面具有朝向第一主表面的第一倒角和朝向第二主表面的第二倒角，所述第一倒角和所述第二倒角在微晶玻璃的兩側(cè)基本對稱。這里的“基本對稱”是指以經(jīng)過所述微晶玻璃中心點的水平線作為對稱軸，微晶玻璃的邊緣倒角結(jié)構(gòu)呈基本對稱的狀態(tài)。

17、在本技術(shù)的一些實施方式中，至少位于微晶玻璃長度方向上的兩個側(cè)表面具有所述倒角，更優(yōu)選地，所述微晶玻璃的四個側(cè)表面具有所述倒角，優(yōu)選所述倒角包括基本對稱的，朝向第一主表面的第一倒角和朝向第二主表面的第二倒角。這樣的倒角結(jié)構(gòu)有利于減少彎曲過程中由于邊緣應(yīng)力集中導(dǎo)致的破碎風(fēng)險。

18、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述倒角具有倒角寬度a和倒角高度b，所述倒角的倒角寬度a和倒角高度b滿足：1≤a/b≤20，優(yōu)選為，1≤a/b≤10，更優(yōu)選為，1.2≤a/b≤6。其中，所述倒角的寬度方向與所述微晶玻璃主表面向側(cè)表面的延伸方向相同，所述倒角的高度方向與所述微晶玻璃的厚度方向相同。本技術(shù)中，通過使倒角的倒角寬度a和倒角高度b的比值滿足特定的范圍，有利于形成特定的倒角邊緣形狀，從而利于減少彎曲過程中由于邊緣應(yīng)力集中導(dǎo)致的破碎風(fēng)險，使得微晶玻璃具有較好的彎折性能。

19、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述倒角的倒角寬度a和倒角高度b的比值a/b為1.2、3、4.7或5.4。

20、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述倒角的倒角寬度a和所述微晶玻璃的厚度t滿足：0.6≤a/t≤1.5，優(yōu)選為：0.6≤a/t≤1.4，更優(yōu)選為，0.6≤a/t≤1.2。本技術(shù)中，通過使倒角的倒角寬度a和所微晶玻璃的厚度t的比值滿足特定的范圍，有利于形成特定的倒角邊緣形狀，從而有利于減少彎曲過程中由于邊緣應(yīng)力集中導(dǎo)致的破碎風(fēng)險，使得微晶玻璃具有較好的彎折性能。

21、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述倒角的倒角寬度a和所述微晶玻璃的厚度t的比值a/t為0.6、1、1.1或1.2。

22、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的楊氏模量e為80gpa～130gpa，優(yōu)選為90gpa～120gpa，更優(yōu)選為，95gpa～115gpa。本技術(shù)中，過高楊氏模量使得微晶玻璃在彎曲時更容易發(fā)生脆性斷裂，且導(dǎo)致微晶玻璃的塑形能力降低，不利于獲得優(yōu)異的彎折性能；但過小的楊氏模量不利于微晶玻璃的抗變形和抗沖擊能力，因此，為了能夠兼顧微晶玻璃的彎折性能、抗變形和抗沖擊能力等，本技術(shù)使微晶玻璃的楊氏模量e滿足80gpa～130gpa。

23、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的楊氏模量e為98.8gpa～110gpa。

24、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的楊氏模量e為98.8gpa、99gpa、99.45gpa或110gpa。

25、在本技術(shù)的一些實施方式中，以氧化物的質(zhì)量百分比計，所述微晶玻璃的組分包含：sio2：55％～75％，al2o3：5％～15％，p2o5：1％～6％，zro2：2％～10％，na2o：0～15％，k2o：0～7％，sb2o3：0～1％，sno2：0～1％，cao：0～3％，li2o：5％～25％，b2o3：0～5％，y2o3：0～5％，mgo：0～5％。本技術(shù)中，可根據(jù)需要，選擇合適的組分并控制各氧化物組分的含量范圍，制得滿足特定晶相結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能和機(jī)械強(qiáng)度性能等的微晶玻璃，進(jìn)而制得具有高彎折性能的超薄微晶玻璃。

26、在本技術(shù)的一些實施方式中，微晶玻璃中sio2的質(zhì)量百分含量為55.3％、70.55％、70.7％或70.8％；和/或，

27、微晶玻璃中al2o3的質(zhì)量百分含量為7.11％、7.4％、7.6％或10.57％；和/或，

28、微晶玻璃中p2o5的質(zhì)量百分含量為2.27％、2.34％、2.53％或4.5％；和/或，

29、微晶玻璃中zro2的質(zhì)量百分含量為3.8％、5.32％、5.65％或6.39％；和/或，

30、微晶玻璃中na2o的質(zhì)量百分含量為0.88％、2.06％、2.5％或3.36％；和/或，

31、微晶玻璃中k2o的質(zhì)量百分含量為0％或1.76％；和/或，

32、微晶玻璃中sb2o3的質(zhì)量百分含量為0％或0.3％；和/或，

33、微晶玻璃中sno2的質(zhì)量百分含量為0％、0.25％或0.35％；和/或，

34、微晶玻璃中cao的質(zhì)量百分含量為0％或0.88％；和/或，

35、微晶玻璃中l(wèi)i2o的質(zhì)量百分含量為10.78％、11.17％、11.2％或15.21％；和/或，

36、微晶玻璃中b2o3的質(zhì)量百分含量為0.2％、0.35％、0.6％或2.05％；和/或，

37、微晶玻璃中y2o3的質(zhì)量百分含量為0％或2.78％；和/或

38、微晶玻璃中mgo的質(zhì)量百分含量為0％或0.49％。

39、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的主晶相包括磷酸鋰、鋰輝石、一硅酸鋰、二硅酸鋰、透鋰長石、霞石和β-石英固溶體中的至少一種，優(yōu)選為，所述微晶玻璃的主晶相包括一硅酸鋰、二硅酸鋰和透鋰長石中的至少一種；和/或，

40、所述微晶玻璃的所有晶相中，主晶相的質(zhì)量占比≥50％；和/或，

41、所述微晶玻璃的結(jié)晶度為≥10％，優(yōu)選為≥50％；和/或，

42、所述微晶玻璃的平均晶粒尺寸為6nm～100nm，優(yōu)選為10nm～50nm，更優(yōu)選為15nm～30nm。本技術(shù)中，可根據(jù)需要，采用滿足特定晶相結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能和機(jī)械強(qiáng)度性能等的微晶玻璃，以制得具有高彎折性能的超薄微晶玻璃。

43、在本技術(shù)的一些實施方式中，微晶玻璃的主晶相的質(zhì)量占比為50％、93％或95％；和/或，

44、微晶玻璃的結(jié)晶度為50％、67％、88％或90％；和/或，

45、微晶玻璃的平均晶粒尺寸為15nm、20nm或25nm。

46、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃在可見光波長范圍內(nèi)是透明的，優(yōu)選地，對于550nm波長光而言，所述微晶玻璃的透過率≥85％，優(yōu)選為，透過率≥90％。滿足該透過率的微晶玻璃，能夠確保具有較好的顯示效果和透明效果，適合用在對顯示效果有要求的電子設(shè)備顯示屏中。

47、在本技術(shù)的一些實施方式中，對于550nm波長光而言，微晶玻璃的透過率為90.60％、90.70％、90.90％或91.00％。

48、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的密度為2.4g/cm3～2.7g/cm3，優(yōu)選為2.5g/cm3～2.6g/cm3；和/或，

49、所述微晶玻璃的折射率≤1.6，優(yōu)選為，折射率為1.5～1.6；和/或

50、所述微晶玻璃的泊松比為0.2～0.3。密度和/或折射率和/或泊松比在上述范圍內(nèi)，表明微晶玻璃具有較高本征強(qiáng)度/固有強(qiáng)度，進(jìn)而利于其實現(xiàn)優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度性能和優(yōu)異的抗損壞性能。

51、在本技術(shù)的一些實施方式中，微晶玻璃的密度為2.48g/cm3、2.5g/cm3、2.51g/cm3或2.59g/cm3；和/或，

52、微晶玻璃的折射率為1.54或1.57；和/或，

53、微晶玻璃的泊松比為0.2、0.21、0.22或0.23。

54、在本技術(shù)的一些實施方式中，以氧化物的質(zhì)量百分比計，所述微晶玻璃的組分包含：sio2：55％～72％，al2o3：6％～12％，p2o5：1.5％～5％，zro2：2.5％～7.5％，na2o：0～4％，k2o：0～3％，sb2o3：0～1％，sno2：0～1％，cao：0～3％，li2o：10％～17％，b2o3：0～3％，y2o3：0～5％，mgo：0～3％。

55、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的表面具有壓縮應(yīng)力層，并且在內(nèi)部具有張應(yīng)力層。通過對表面粗糙度盡可能的小且具有特定邊緣形狀倒角結(jié)構(gòu)的超薄微晶玻璃，進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，能夠?qū)⒊∥⒕РＡУ膹澱坌阅芴岣叩捷^高的范圍，從而能夠顯著提高超薄微晶玻璃的彎折性能和彎折壽命。

56、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的靜態(tài)極限彎折半徑r極限滿足r極限≤0.1492eet/1.40622+0.0038e，其中，e為自然底數(shù)，e為所述微晶玻璃的楊氏模量，單位為gpa，t為所述微晶玻璃的厚度，單位為mm；和/或，

57、對所述微晶玻璃進(jìn)行彎折壽命測試，所述微晶玻璃在彎折半徑為1.346et/2下，動態(tài)彎折次數(shù)≥5萬次，其中，e為所述微晶玻璃的楊氏模量，單位為gpa，t為所述微晶玻璃的厚度，單位為mm。測得的靜態(tài)極限彎折半徑r極限越小和/或動態(tài)彎折次數(shù)越大，表明微晶玻璃的彎折性能越好。

58、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃的靜態(tài)極限彎折半徑r極限(mm)≤r2.0，優(yōu)選為≤r1.5；和/或，

59、對所述微晶玻璃進(jìn)行彎折壽命測試，所述微晶玻璃在彎折半徑為r2.0下，動態(tài)彎折次數(shù)≥5萬次。

60、在本技術(shù)的一些實施方式中，微晶玻璃的靜態(tài)極限彎折半徑r極限為r1.3或r1.5；和/或，微晶玻璃在彎折半徑為r2.0、r1.9或r1.7下，動態(tài)彎折次數(shù)≥5萬次。

61、在本技術(shù)的一些實施方式中，微晶玻璃的至少一個主表面上包括有機(jī)或無機(jī)材料的涂覆層或?qū)盈B層。

62、第二方面，提供了一種前述微晶玻璃的制備方法，所述方法包括如下步驟：

63、對微晶玻璃基板進(jìn)行減薄處理，得到微晶玻璃初品；優(yōu)選地，通過蝕刻液對微晶玻璃基板進(jìn)行蝕刻減薄處理，優(yōu)選蝕刻液包括氫氟酸、硝酸、硫酸、鹽酸中的一種或多種，更優(yōu)選，按質(zhì)量百分比計，所述蝕刻液的組成包括1％～10％的氫氟酸、5％～10％的硝酸、0％～5％硫酸、0％～5％鹽酸以及水，優(yōu)選蝕刻溫度在20～50℃，優(yōu)選蝕刻時間為5min～200min；

64、對所得的微晶玻璃初品進(jìn)行邊緣處理，使微晶玻璃側(cè)表面形成邊緣呈弧形的倒角，得到具有倒角結(jié)構(gòu)的微晶玻璃，該具有倒角的微晶玻璃滿足：主表面的表面粗糙度ra≤150nm，在沿厚度方向垂直于側(cè)表面的截面建立坐標(biāo)系，以微晶玻璃兩主表面的對稱軸線為x軸，并以經(jīng)過主表面上倒角起始點且垂直于x軸的直線作為y軸，所述倒角的邊緣曲線滿足如下關(guān)系式：

65、

66、其中，k滿足0.36≤k≤3.52，優(yōu)選為，0.36≤k≤3，更優(yōu)選為，0.36≤k≤2.5，t為所述微晶玻璃的厚度，單位為mm。

67、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述微晶玻璃基板的厚度≤0.6mm，所述微晶玻璃基板的最大厚度與最小厚度的差值ttv≤3μm，優(yōu)選所述微晶玻璃基板的楊氏模量為80gpa～130gpa；

68、和/或，所述微晶玻璃初品的厚度≤0.2mm，優(yōu)選為0.02mm～0.2mm，更優(yōu)選為，0.02mm～0.1mm，更優(yōu)選為0.02mm～0.05mm。本技術(shù)中，微晶玻璃基板的厚度越小和/或最大厚度與最小厚度的差值ttv越小，越能保證減薄過程后微晶玻璃初品的厚度均勻性，且降低減薄過程中的破片風(fēng)險，提高減薄效率。

69、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述方法還包括，在所述邊緣處理之后，對得到的具有倒角結(jié)構(gòu)的微晶玻璃進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，使微晶玻璃表面形成壓縮應(yīng)力層。優(yōu)選化學(xué)強(qiáng)化處理用鹽浴組成包括0.01～0.30wt％鋰鹽(硝酸鋰、硫酸鋰其中的一種提供)和1～99wt％鈉鹽(硝酸鈉、硫酸鈉、碳酸鈉其中的一種提供)和1～99wt％的鉀鹽(硝酸鉀、硫酸鉀、碳酸鉀其中的一種提供)，優(yōu)選選化學(xué)強(qiáng)化處理用鹽浴溫度為370℃～550℃，優(yōu)選選化學(xué)強(qiáng)化處理時間為5min～240min。本技術(shù)中，化學(xué)強(qiáng)化處理，使得在微晶玻璃表面形成離子交換層，表面會產(chǎn)生一定的壓應(yīng)力，形成壓縮應(yīng)力層，而當(dāng)微晶玻璃受到彎曲時，表面產(chǎn)生的壓應(yīng)力會首先抵消表面受到的力，也即，表面壓應(yīng)力層的形成，利于提高微晶玻璃的彎曲強(qiáng)度。同時，化學(xué)強(qiáng)化處理所形成的壓縮應(yīng)力層，還可有效消除或抑制微裂紋的進(jìn)一步擴(kuò)展，從而利于提高微晶玻璃抵抗外力的能力，提升微晶玻璃的彎折性能。

70、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述方法還包括，在化學(xué)強(qiáng)化處理之后，對所得的表面具有壓縮應(yīng)力層的微晶玻璃進(jìn)行表面面強(qiáng)處理。優(yōu)選采用化學(xué)拋光的方式進(jìn)行表面面強(qiáng)處理，例如，優(yōu)選將具有壓縮應(yīng)力層的微晶玻璃放入蝕刻液中進(jìn)行表面面強(qiáng)處理，優(yōu)選蝕刻液中包含氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸中的一種或多種，優(yōu)選，按質(zhì)量百分比，所述蝕刻液的組成包括0.1％～2％氫氟酸、0.5～2％硝酸、0％～1％鹽酸、0～1％硫酸以及水，優(yōu)選蝕刻時間為60s～1200s，優(yōu)選蝕刻溫度為20℃～50℃。本技術(shù)中，對具有壓縮應(yīng)力層的微晶玻璃的表面進(jìn)行化學(xué)拋光，能夠提高微晶玻璃表面的均勻性，鈍化微晶玻璃表面的微裂紋，從而利于提高微晶玻璃抵抗外力的能力，提高微晶玻璃的彎折性能。

71、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述邊緣處理包括利用蝕刻液對微晶玻璃初品進(jìn)行化學(xué)蝕刻處理，優(yōu)選所述蝕刻液包括氫氟酸、硝酸、硫酸、鹽酸中的一種或多種，更優(yōu)選地，按質(zhì)量百分比計，所述蝕刻液的組成包括：1％～10％氫氟酸、1％～10％硝酸、0％～5％硫酸以及水，優(yōu)選蝕刻處理時，蝕刻溫度為20℃～50℃，蝕刻時間為60s～3600s。

72、在本技術(shù)的一些實施方式中，進(jìn)行邊緣處理前，還包括對微晶玻璃初品進(jìn)行涂膜處理的步驟，在微晶玻璃初品的主表面形成耐酸性涂層；

73、進(jìn)行邊緣處理后，還包括對具有倒角結(jié)構(gòu)的微晶玻璃進(jìn)行脫膜處理的步驟，優(yōu)選利用脫膜劑對微晶玻璃進(jìn)行脫膜處理，優(yōu)選脫膜劑包括氫氧化鈉、碳酸氫鈉、碳酸鈉中的一種或多種，優(yōu)選按質(zhì)量百分比，所述脫膜劑的組成包括1～20％氫氧化鈉、0％～20％碳酸氫鈉、0％～20％碳酸鈉以及水，優(yōu)選脫膜處理的溫度為50℃～90℃，優(yōu)選脫膜處理時間為1min～120min。

74、在本技術(shù)的一些實施方式中，還可包括對表面面強(qiáng)處理后的微晶玻璃進(jìn)行鍍膜處理的步驟，在微晶玻璃的至少一個主表面上形成有機(jī)或無機(jī)材料的涂覆層或?qū)盈B層，利于微晶玻璃更好地實現(xiàn)應(yīng)用。

75、第三方面，提供了一種蓋板玻璃，所述蓋板玻璃包括如第一方面任一實施方式的微晶玻璃或第二方面任一實施方式的方法制得的微晶玻璃。蓋板玻璃可以是電子設(shè)備的顯示屏蓋板、傳感器模塊蓋板或薄膜電池蓋板。

76、第四方面，提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括如第一方面任一實施方式的微晶玻璃或第二方面任一實施方式的方法制得的微晶玻璃。

77、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述電子設(shè)備包括組裝在所述電子設(shè)備外側(cè)的外殼，所述外殼包括如第一方面任一實施方式的微晶玻璃或第二方面任一實施方式的方法制得的微晶玻璃。

78、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述外殼包括組裝在所述電子設(shè)備前側(cè)的顯示屏蓋板，所述顯示屏蓋板包括如第一方面任一實施方式的微晶玻璃或第二方面任一實施方式的方法制得的微晶玻璃。

79、在本技術(shù)的一些實施方式中，所述電子設(shè)備包括可折疊電子設(shè)備、顯示器、傳感器、半導(dǎo)體封裝件或薄膜電池，優(yōu)選所述傳感器包括易碎傳感器、指紋傳感器或圖像傳感器，優(yōu)選所述微晶玻璃應(yīng)用于電子設(shè)備的基板或蓋板中。

80、在一些實施方式中，外殼可以是部分采用微晶玻璃，也可以是全部采用微晶玻璃。微晶玻璃的至少一個主表面上可包括有機(jī)或無機(jī)材料的涂覆層或?qū)盈B層。

81、第五方面，提供了一種玻璃器件，玻璃器件包含如第一方面任一實施方式的微晶玻璃或第二方面任一實施方式的方法制得的微晶玻璃。

82、本技術(shù)提供的上述技術(shù)方案中的一個或多個，與現(xiàn)有技術(shù)相比，包括如下優(yōu)點：

83、本技術(shù)通過使超薄微晶玻璃的主表面的表面粗糙度滿足特定的范圍，同時，在邊緣處理時，使超薄微晶玻璃形成具有特定邊緣形狀的倒角結(jié)構(gòu)，有利于減少彎曲過程中由于邊緣應(yīng)力集中導(dǎo)致的破碎風(fēng)險，利于獲得在化學(xué)強(qiáng)化處理后，具有更優(yōu)彎折性能的超薄微晶玻璃，使得微晶玻璃具有較好的彎折性能和較高的彎折壽命。