1.一種多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，包括設(shè)置在爐架上的爐體、附著在所述爐體內(nèi)壁的保溫層、設(shè)置在所述保溫層的保溫空腔內(nèi)的坩堝組和電阻加熱器，其特征在于，所述爐體設(shè)置為回轉(zhuǎn)體形狀，所述電阻加熱器設(shè)置在所述坩堝組外圓周面的外側(cè)；所述坩堝組包括圓周均布設(shè)置在所述電阻加熱器中心位置的至少兩套坩堝套件，還包括驅(qū)動(dòng)每套坩堝套件繞自身旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的自旋機(jī)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，所述自旋機(jī)構(gòu)包括設(shè)置在爐體外部的由自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)軸、對應(yīng)每套坩堝套件設(shè)置在自轉(zhuǎn)軸、設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)軸和自轉(zhuǎn)軸之間的齒輪組。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，所述坩堝組還包括坩堝升降裝置，所述坩堝升降裝置包括滑動(dòng)設(shè)置在所述爐架上的升降滑板、由升降驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的第一絲桿，所述升降滑板上設(shè)有與所述第一絲桿相配合的螺紋孔，所述自轉(zhuǎn)軸的端部轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在所述升降滑板的頂部，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)和所述齒輪組設(shè)置在所述升降滑板上隨所述升降滑板一同升降。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，所述坩堝升降裝置還包括豎直設(shè)置在所述爐架上的滑板導(dǎo)向桿，所述升降滑板上開設(shè)有與所述滑板導(dǎo)向桿相配合的導(dǎo)向通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，所述至少兩套坩堝套件中的每個(gè)坩堝套件包括上坩堝和下坩堝，所述上坩堝和下坩堝之間設(shè)有連通的氣相輸送管，所述上坩堝包括上坩堝本體和上坩堝蓋，所述下坩堝包括下坩堝本體和下坩堝蓋，所述氣相輸送管連通設(shè)置在所述上坩堝本體和下坩堝蓋之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，所述電阻加熱器包括設(shè)置在所述坩堝組四周且與所述坩堝套件中上坩堝的位置相對應(yīng)的上加熱體、設(shè)置在所述坩堝組四周且與坩堝套件中下坩堝的位置相對應(yīng)的下加熱體、以及設(shè)置在所述氣相輸送管四周的中間加熱體；所述中間加熱體設(shè)置為平板狀，所述平板狀中間加熱體上開設(shè)有與每個(gè)坩堝套件的氣相輸送管相匹配的通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，每套所述坩堝套件中所述上坩堝蓋的正上方均設(shè)有晶體換熱裝置，每個(gè)所述晶體換熱裝置包括與對應(yīng)所述上坩堝蓋頂面相匹配的換熱板、穿過所述保溫層和所述爐體并與所述換熱板連接的第二升降導(dǎo)桿、設(shè)置在所述爐體頂部的第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)、由所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的第二絲桿、套設(shè)在所述第二絲桿上的第二滑塊，所述第二滑塊固定在所述第二升降導(dǎo)桿的頂端，所述第二滑塊與所述第二絲桿螺紋連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，所述晶體換熱裝置還包括能夠檢測對應(yīng)上坩堝蓋溫度的測溫裝置，所述測溫裝置包括所述第二升降導(dǎo)桿頂部設(shè)置的具有檢測頭的紅外測溫儀、所述第二升降導(dǎo)桿內(nèi)設(shè)置在測溫通道，所述測溫通道一端穿過所述換熱板正對所述上坩堝蓋的頂面而另一端與所述紅外測溫儀相匹配。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備，其特征在于，還包括控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)與每個(gè)所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)和每個(gè)所述紅外測溫儀電連接，所述控制系統(tǒng)根據(jù)對應(yīng)所述紅外測溫儀檢測到的對應(yīng)上坩堝蓋頂面的溫度控制對應(yīng)所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述第二絲桿轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)對應(yīng)所述換熱板升降。
10.一種多料柱碳化硅單晶生長設(shè)備的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：