本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制備，尤其涉及一種氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置。

背景技術(shù)：

1、β相氧化鎵單晶是一種透明導(dǎo)電氧化物，擁有4.8ev的禁帶寬度，穿電場(chǎng)強(qiáng)度高達(dá)8mv/cm，具有較高的耐壓性能，非常適用于光電器件和高耐壓器件中。氧化鎵單晶的熔點(diǎn)較高(約為1820℃)，在高溫生長(zhǎng)過(guò)程中極易分解揮發(fā)，導(dǎo)致氧化鎵單晶在生長(zhǎng)過(guò)程中不穩(wěn)定，溫場(chǎng)較難控制，導(dǎo)致軸向溫梯較大，生長(zhǎng)出的晶體容易開(kāi)裂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中生長(zhǎng)的氧化鎵晶體易開(kāi)裂的問(wèn)題。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，所述生長(zhǎng)裝置包括加熱器和用于放置氧化鎵晶體的坩堝；

3、所述加熱器為桶型結(jié)構(gòu)，且所述加熱器的側(cè)壁上薄下厚；

4、所述坩堝放置于所述加熱器內(nèi)，且所述坩堝的側(cè)壁上薄下厚。

5、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述加熱器的側(cè)壁的厚度從上到下呈線(xiàn)性增大；

6、所述坩堝的側(cè)壁的厚度從上到下呈線(xiàn)性增大。

7、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述加熱器的側(cè)壁的上表面厚度與下表面厚度的比值范圍為1%-75%。

8、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述加熱器的側(cè)壁的下表面厚度小于等于3mm。

9、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述加熱器的側(cè)壁的上表面厚度大于等于1mm。

10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述加熱器的高度范圍為10-200mm。

11、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述坩堝的側(cè)壁的上表面厚度與下表面厚度的比值范圍為1%-50%。

12、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述坩堝的側(cè)壁的下表面厚度小于等于3mm。

13、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述坩堝的側(cè)壁的上表面厚度大于等于1.5mm。

14、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述坩堝的高度范圍為10-120mm。

15、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，該生長(zhǎng)裝置包括加熱器和用于放置氧化鎵晶體的坩堝；加熱器為桶型結(jié)構(gòu)，且加熱器的側(cè)壁上薄下厚；坩堝放置于加熱器內(nèi)，且坩堝的側(cè)壁上薄下厚。本申請(qǐng)利用上薄下厚，且厚度不均一的桶型加熱器和坩堝，根據(jù)電阻電流定律，薄層加熱器擁有更大的電阻，發(fā)熱效率高，能夠明顯減小溫場(chǎng)的軸向溫梯，有效解決了氧化鎵晶體開(kāi)裂問(wèn)題，從而提高了氧化鎵晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和效率。

技術(shù)特征：

1.一種氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述生長(zhǎng)裝置包括加熱器和用于放置氧化鎵晶體的坩堝；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述加熱器的側(cè)壁的厚度從上到下呈線(xiàn)性增大；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述加熱器的側(cè)壁的上表面厚度與下表面厚度的比值范圍為1%-75%。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述加熱器的側(cè)壁的下表面厚度小于等于3mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述加熱器的側(cè)壁的上表面厚度大于等于1mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述加熱器的高度范圍為10-200mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述坩堝的側(cè)壁的上表面厚度與下表面厚度的比值范圍為1%-50%。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述坩堝的側(cè)壁的下表面厚度小于等于3mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述坩堝的側(cè)壁的上表面厚度大于等于1.5mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述坩堝的高度范圍為10-120mm。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氧化鎵晶體的生長(zhǎng)裝置，涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。該生長(zhǎng)裝置包括：加熱器和用于放置氧化鎵晶體的坩堝；加熱器為桶型結(jié)構(gòu)，且加熱器的側(cè)壁上薄下厚；坩堝放置于所述加熱器內(nèi)，且坩堝的側(cè)壁上薄下厚。本申請(qǐng)能夠明顯減小溫場(chǎng)的軸向溫梯，有效解決了氧化鎵晶體開(kāi)裂問(wèn)題，從而提高了氧化鎵晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和效率。

技術(shù)研發(fā)人員：周金杰,霍曉青,王英民,張勝男,程紅娟,張嵩,董增印,李賀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2