本技術(shù)涉及單晶爐，尤其涉及一種熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)和單晶爐。

背景技術(shù)：

1、目前，在單晶爐中，單晶爐熱場(chǎng)的裝配簡(jiǎn)單依靠爐底盤(pán)作為參照物來(lái)進(jìn)行安裝，爐底盤(pán)與設(shè)置在其上方的熱場(chǎng)部件之間的同心度依靠安裝人員測(cè)量來(lái)把控，耗費(fèi)時(shí)間長(zhǎng)，對(duì)中精度較差。在安裝時(shí)，其均以爐底盤(pán)為參照物來(lái)安裝熱場(chǎng)部件，隨著熱場(chǎng)部件一件一件的裝配，熱場(chǎng)整體與爐底盤(pán)的同心度會(huì)變差，每一次安裝完成后，熱場(chǎng)相對(duì)爐底盤(pán)的位置均不相同。這樣，每一次熱場(chǎng)安裝位置的一致性較差，導(dǎo)致溫度場(chǎng)分布變化大，熱場(chǎng)溫度梯度變化大，溫場(chǎng)分布變化程度容易超過(guò)工藝容忍度，會(huì)導(dǎo)致拉晶過(guò)程中放肩和等徑斷線的概率提升，硅單晶產(chǎn)量降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型提供一種熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)和單晶爐，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)單晶爐的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)對(duì)中精度較差，每一次熱場(chǎng)安裝位置的一致性較差，容易導(dǎo)致拉晶過(guò)程中放肩和等徑斷線的概率提升，硅單晶產(chǎn)量降低的技術(shù)問(wèn)題。

2、本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，本實(shí)用新型實(shí)施例的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)包括：

3、所述熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)包括：

4、爐底盤(pán)，所述爐底盤(pán)上形成有第一定位結(jié)構(gòu)；

5、設(shè)置在所述爐底盤(pán)上的定位件，所述定位件上形成有第二定位結(jié)構(gòu)，所述第二定位結(jié)構(gòu)與所述第一定位結(jié)構(gòu)相配合，以使所述定位件和所述爐底盤(pán)的位置相對(duì)固定，所述定位件背離所述爐底盤(pán)的一側(cè)形成有安裝腔；和

6、爐底保溫件，所述爐底保溫件安裝在所述定位件上且至少部分位于所述安裝腔內(nèi)，所述爐底保溫件的外周面與所述安裝腔的內(nèi)壁面相配合。

7、更進(jìn)一步地，所述第一定位結(jié)構(gòu)和所述第二定位結(jié)構(gòu)的其中一個(gè)為凹槽，另外一個(gè)為凸起，所述凹槽和所述凸起相配合。

8、更進(jìn)一步地，所述爐底盤(pán)、所述定位件和所述爐底保溫件的中心位置均形成有同心設(shè)置的中心孔；

9、所述第一定位結(jié)構(gòu)包括形成在所述爐底盤(pán)上與所述中心孔同心設(shè)置的環(huán)形凸起，所述第二定位結(jié)構(gòu)包括形成在所述定位件上與所述中心孔同心設(shè)置的環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凸起嵌入至所述環(huán)形凹槽內(nèi)與所述環(huán)形凹槽配合；或者

10、所述第一定位結(jié)構(gòu)包括形成在所述爐底盤(pán)上與所述中心孔同心設(shè)置的環(huán)形凹槽，所述第二定位結(jié)構(gòu)包括形成在所述定位件上與所述中心孔同心設(shè)置的環(huán)形凸起，所述環(huán)形凸起嵌入至所述環(huán)形凹槽內(nèi)與所述環(huán)形凹槽配合。

11、更進(jìn)一步地，所述定位件包括底板和凸設(shè)在所述底板背離所述爐底盤(pán)一側(cè)上的環(huán)形凸沿，所述環(huán)形凸沿與所述底板共同圍成所述安裝腔，所述爐底保溫件的外周面與所述環(huán)形凸沿的內(nèi)壁相配合。

12、更進(jìn)一步地，所述熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)還包括多孔散熱件，所述多孔散熱件安裝在所述安裝腔內(nèi)且位于所述爐底保溫件的底部，所述多孔散熱件上形成有若干散熱孔。

13、更進(jìn)一步地，所述多孔散熱件為碳碳復(fù)合材質(zhì)。

14、更進(jìn)一步地，所述定位件為碳碳復(fù)合材質(zhì)；和/或

15、所述爐底保溫件包括保溫固氈。

16、更進(jìn)一步地，所述爐底保溫件的外周面與所述安裝腔的內(nèi)壁面過(guò)盈配合。

17、更進(jìn)一步地，所述爐底盤(pán)、所述定位件和所述爐底保溫件上均形成有同心設(shè)置的排氣孔以及同心設(shè)置的電極安裝孔。

18、本實(shí)用新型還提供一種單晶爐，所述單晶爐包括上述任一項(xiàng)所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。

19、在本實(shí)用新型實(shí)施例中的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)和單晶爐中，熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)包括爐底盤(pán)、定位件和爐底保溫件，爐底盤(pán)上形成有第一定位結(jié)構(gòu)，定位件上形成有第二定位結(jié)構(gòu)和安裝腔，第二定位結(jié)構(gòu)與第一定位結(jié)構(gòu)相配合以使定位件和爐底盤(pán)的位置相對(duì)固定，爐底保溫件安裝在所述安裝腔且所述爐底保溫件的外周面與所述安裝腔的內(nèi)壁面相配合，從而固定爐底保溫件和定位件的相對(duì)位置。如此，通過(guò)在爐底盤(pán)上安裝定位件，定位件通過(guò)第一定位結(jié)構(gòu)和第二定位結(jié)構(gòu)與爐底盤(pán)保持相對(duì)固定，爐底保溫件至少部分安裝在定位件的安裝腔內(nèi)且與安裝腔的內(nèi)壁面相配合，爐底保溫件與爐底盤(pán)之間的同心度可依靠定位件來(lái)進(jìn)行裝配定位，不需要依靠人員測(cè)量來(lái)把控，耗費(fèi)時(shí)間較短，對(duì)中精度也較高。同時(shí)，通過(guò)定位件上的第二定位結(jié)構(gòu)與爐底盤(pán)上的第一定位結(jié)構(gòu)來(lái)對(duì)整個(gè)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行裝配定位，每一次安裝完成后，整個(gè)熱場(chǎng)相對(duì)爐底盤(pán)的位置均基本相同，安裝一致性好，使得溫度場(chǎng)分布變化值變小，熱場(chǎng)溫度梯度變化變小，從而降低拉晶過(guò)程中放肩和等徑斷線的概率，提升單晶產(chǎn)量。

20、本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，用于單晶爐，其特征在于，所述熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一定位結(jié)構(gòu)和所述第二定位結(jié)構(gòu)的其中一個(gè)為凹槽，另外一個(gè)為凸起，所述凹槽和所述凸起相配合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述爐底盤(pán)、所述定位件和所述爐底保溫件的中心位置均形成有同心設(shè)置的中心孔；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述定位件包括底板和凸設(shè)在所述底板背離所述爐底盤(pán)一側(cè)上的環(huán)形凸沿，所述環(huán)形凸沿與所述底板共同圍成所述安裝腔，所述爐底保溫件的外周面與所述環(huán)形凸沿的內(nèi)壁相配合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)還包括多孔散熱件，所述多孔散熱件安裝在所述安裝腔內(nèi)且位于所述爐底保溫件的底部，所述多孔散熱件上形成有若干散熱孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多孔散熱件為碳碳復(fù)合材質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述定位件為碳碳復(fù)合材質(zhì)；和/或

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述爐底保溫件的外周面與所述安裝腔的內(nèi)壁面過(guò)盈配合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述爐底盤(pán)、所述定位件和所述爐底保溫件上均形成有同心設(shè)置的排氣孔以及同心設(shè)置的電極安裝孔。

10.一種單晶爐，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)適用于單晶爐技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)和單晶爐，在熱場(chǎng)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)中，通過(guò)在爐底盤(pán)上安裝定位件，定位件通過(guò)第一定位結(jié)構(gòu)和第二定位結(jié)構(gòu)與爐底盤(pán)保持相對(duì)固定，爐底保溫件至少部分安裝在定位件的安裝腔內(nèi)且與安裝腔的內(nèi)壁面相配合，爐底保溫件與爐底盤(pán)之間的同心度可依靠定位件來(lái)進(jìn)行裝配定位，不需要依靠人員測(cè)量來(lái)把控，耗費(fèi)時(shí)間較短，對(duì)中精度也較高。同時(shí)，通過(guò)定位件上的第二定位結(jié)構(gòu)與爐底盤(pán)上的第一定位結(jié)構(gòu)來(lái)對(duì)整個(gè)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行裝配定位，每一次安裝完成后，整個(gè)熱場(chǎng)相對(duì)爐底盤(pán)的位置均基本相同，安裝一致性好，使得溫度場(chǎng)分布變化值變小，熱場(chǎng)溫度梯度變化變小，從而降低拉晶過(guò)程中放肩和等徑斷線的概率，提升單晶產(chǎn)量。

技術(shù)研發(fā)人員：林永圳,陳輝,潘軍明,張駿凱,王永謙,陳剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江愛(ài)旭太陽(yáng)能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240118
技術(shù)公布日：2024/12/30