本技術涉及人工晶體制備，尤其涉及一種用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤。

背景技術：

1、以多/單晶硅為例，多/單晶硅在整個生產(chǎn)過程中，硅芯的使用量非常大。為了降低硅芯的生產(chǎn)成本，本申請人于2023年3月21日提交了一份pct專利申請，專利名稱為用于同時拉制多根晶體的晶體冷卻裝置及人工晶體制備設備，國際申請?zhí)枮閜ct/cn2023/082901，該專利申請公開了用于同時拉制多根晶體的晶體冷卻裝置，而在整個裝置中，晶棒冷卻盤是其中的關鍵部件之一，在實際使用過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的晶棒冷卻盤結構在設備使用ccd相機采集晶棒的直徑時，ccd相機設置于冷卻盤斜上方15°左右位置，ccd相機在采集籽晶下端頭與坩堝內熔液結合部位的光圈時（熔液與籽晶接觸部位亮度高），由于冷卻盤上圓形晶棒提拉孔會遮擋光圈，ccd相機無法獲取完整的晶棒圖像，導致測徑數(shù)據(jù)不準，那么如何提供一種能適應ccd相機采集晶棒直徑信息的晶棒冷卻盤結構就顯得尤為重要。

技術實現(xiàn)思路

1、為了實現(xiàn)所述發(fā)明目的，本實用新型公開了一種用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，本實用新型通過在任意一個晶棒提拉孔的側壁上設有向外延伸至冷卻盤主體外緣面的開口使晶棒提拉孔形成一個豁口孔，ccd相機通過豁口孔采集晶棒直徑的圖像信息，有效的避免了ccd相機無法采集準確的晶棒直徑信息的弊端等。

2、為了實現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本實用新型采用如下技術方案：

3、一種用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述冷卻盤上設置有至少一圈晶棒提拉孔、對晶棒進行冷卻的冷卻介質通道以及用于ccd相機測量晶棒直徑的豁口孔。

4、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述冷卻盤包括冷卻介質進管、冷卻介質出管和冷卻盤主體，在所述冷卻盤主體中設置有空腔并由空腔形成對晶棒進行冷卻的冷卻介質通道，并且，在所述冷卻盤主體上設置有至少一圈晶棒提拉孔以及分別與所述空腔連通的冷卻介質入口和冷卻介質出口，所述冷卻介質入口連接冷卻介質進管的下端頭，所述冷卻介質進管的上端頭連接晶棒冷卻裝置中下法蘭下面的冷卻介質上出口，所述冷卻介質出口連接冷卻介質出管的下端頭，所述冷卻介質出管的上端頭連接晶棒冷卻裝置中下法蘭下面的冷卻介質上入口，在其中任意一個晶棒提拉孔的側壁上設有向外延伸至冷卻盤主體外緣面的開口使晶棒提拉孔形成一個豁口孔。

5、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述豁口孔的內壁上設有導溫層。

6、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述晶棒提拉孔設置為兩圈或兩圈以上時，豁口孔設置在最外圈的任意一個晶棒提拉孔處。

7、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述冷卻盤主體的中部設有中部孔。

8、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述冷卻盤主體的下面設有至少一級向上凹陷的凹陷臺階，在每級凹陷臺階上分別設有一圈晶棒提拉孔。

9、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述冷卻盤主體的下面設有保溫板。

10、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述冷卻盤主體的下面設置一級向上凹陷的凹陷臺階時，在冷卻盤主體下面的外圈設置外圈保溫板，在外圈保溫板上設有一圈與晶棒提拉孔位置一一對應的外圈保溫板晶棒穿孔，在凹陷臺階的下面設置內圈保溫板，在內圈保溫板上設有一圈與晶棒提拉孔位置一一對應的內圈保溫板晶棒穿孔。

11、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述外圈保溫板上與豁口孔對應的外圈保溫板晶棒穿孔設置為長圓型晶棒穿孔。

12、所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，所述內圈保溫板晶棒穿孔和外圈保溫板晶棒穿孔的直徑小于或等于晶棒提拉孔的直徑。

13、由于采用上述技術方案，本實用新型具有如下有益效果：

14、本實用新型通過在任意一個晶棒提拉孔的側壁上設有向外延伸至冷卻盤主體外緣面的開口使晶棒提拉孔形成一個豁口孔，ccd相機通過豁口孔采集晶棒直徑的圖像信息，有效的避免了ccd相機無法采集準確的晶棒直徑信息的弊端等，進一步，通過在豁口孔的內壁上設置導溫層，盡可能的保證豁口孔與其它晶棒提拉孔的拉制工況一致，本實用新型具有結構簡便，使用效果好等特點，適合大范圍的推廣和應用。

技術特征：

1.一種用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述冷卻盤上設置有至少一圈晶棒提拉孔（4）、對晶棒進行冷卻的冷卻介質通道以及用于ccd相機測量晶棒直徑的豁口孔（8）。

2.如權利要求1所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述冷卻盤包括冷卻介質進管（1）、冷卻介質出管（2）和冷卻盤主體（3），在所述冷卻盤主體（3）中設置有空腔（11）并由空腔（11）形成對晶棒進行冷卻的冷卻介質通道，并且，在所述冷卻盤主體（3）上設置有至少一圈晶棒提拉孔（4）以及分別與所述空腔（11）連通的冷卻介質入口和冷卻介質出口，所述冷卻介質入口連接冷卻介質進管（1）的下端頭，所述冷卻介質進管（1）的上端頭連接晶棒冷卻裝置中下法蘭下面的冷卻介質上出口，所述冷卻介質出口連接冷卻介質出管（2）的下端頭，所述冷卻介質出管的上端頭連接晶棒冷卻裝置中下法蘭下面的冷卻介質上入口，在其中任意一個晶棒提拉孔（4）的側壁上設有向外延伸至冷卻盤主體（3）外緣面的開口使晶棒提拉孔（4）形成一個豁口孔（8）。

3.如權利要求1或2任一權利要求所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述豁口孔（8）的內壁上設有導溫層（9）。

4.如權利要求1或2任一權利要求所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述晶棒提拉孔（4）設置為兩圈或兩圈以上時，豁口孔（8）設置在最外圈的任意一個晶棒提拉孔（4）處。

5.如權利要求2所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述冷卻盤主體（3）的中部設有中部孔（6）。

6.如權利要求2所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述冷卻盤主體（3）的下面設有至少一級向上凹陷的凹陷臺階（12），在每級凹陷臺階（12）上分別設有一圈晶棒提拉孔（4）。

7.如權利要求2所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述冷卻盤主體（3）的下面設有保溫板。

8.如權利要求2所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述冷卻盤主體（3）的下面設置一級向上凹陷的凹陷臺階（12）時，在冷卻盤主體（3）下面的外圈設置外圈保溫板（5），在外圈保溫板（5）上設有一圈與晶棒提拉孔（4）位置一一對應的外圈保溫板晶棒穿孔（13），在凹陷臺階（12）的下面設置內圈保溫板（7），在內圈保溫板（7）上設有一圈與晶棒提拉孔（4）位置一一對應的內圈保溫板晶棒穿孔（14）。

9.如權利要求8所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述外圈保溫板（5）上與豁口孔（8）對應的外圈保溫板晶棒穿孔（13）設置為長圓型晶棒穿孔（10）。

10.如權利要求8所述的用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，其特征是：所述內圈保溫板晶棒穿孔（14）和外圈保溫板晶棒穿孔（13）的直徑小于或等于晶棒提拉孔（4）的直徑。

技術總結
一種用于同時拉制多根晶棒冷卻裝置的冷卻盤，涉及人工晶體制備技術領域，本技術通過在任意一個晶棒提拉孔（4）的側壁上設有向外延伸至冷卻盤主體外緣面的開口使晶棒提拉孔形成一個豁口孔（8），CCD相機通過豁口孔采集晶棒直徑的圖像信息，有效的避免了CCD相機無法采集清晰的晶棒直徑信息的弊端等，進一步，通過在豁口孔的內壁上設置導溫層（9），盡可能的保證豁口孔與其它晶棒提拉孔的拉制工況一致，本技術具有結構簡便，使用效果好等特點，適合大范圍的推廣和應用。

技術研發(fā)人員：劉朝軒,劉奇豐,朱振業(yè),邵瑋,戚振華,王獻偉
受保護的技術使用者：洛陽長纓新能源科技有限公司
技術研發(fā)日：20240416
技術公布日：2024/12/30