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一種PVT法SiC長晶生產(chǎn)用石墨坩堝的制作方法

文檔序號:40585293發(fā)布日期:2025-01-07 20:25閱讀:3來源:國知局
一種PVT法SiC長晶生產(chǎn)用石墨坩堝的制作方法

本技術(shù)涉及石墨坩堝,具體為一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝。


背景技術(shù):

1、目前國內(nèi)sic功率器件制造商所采用的襯底片大多數(shù)都采用進口,為了加快國內(nèi)sic行業(yè)的進展,擺脫受制于人的局面,需要產(chǎn)出我們自己的sic襯底,并且成本要低。但基于當前國內(nèi)長晶技術(shù),品棒長度有限。要想降低成本,產(chǎn)量提高,必須長出足夠長度的晶棒,這就對長品的技術(shù)提出挑戰(zhàn)。

2、在中國實用新型專利申請公開說明書cn219689937u中公開一種pvt法生長sic晶棒的石墨坩堝,包括石墨坩堝組件和碳素鋼桶,石墨坩堝組件包括坩堝、上蓋、結(jié)晶座、底座和擱板;底座安裝在坩塌底面上,擱板安裝在底座上,其中擱板的頂面為凸起,擱板的頂部沿圓周均勻設置有若干加熱棒,坩堝的頂部蓋裝有上蓋,籽晶粘貼于坩堝內(nèi)上蓋底部,上蓋由螺紋連接結(jié)晶座,sic原材料升華至結(jié)晶座成核生長成晶棒,結(jié)晶座控制晶棒的擴徑。碳素鋼桶設置在石墨坩堝組件的外側(cè),碳素鋼桶內(nèi)壁及外側(cè)貼裹石墨碳氈。本申請有利于保證傳輸通道暢通防止原材料的再結(jié)晶,提高升華速率以及晶棒的生長長度和質(zhì)量,但是該裝置放置籽晶比較麻煩,并且收取sic長晶比較麻煩,為此我們提出了一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:

3、一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,包括主體機構(gòu)、固定機構(gòu)和輔助機構(gòu),所述固定機構(gòu)固定設置在主體機構(gòu)上,所述輔助機構(gòu)固定設置在主體機構(gòu)的一側(cè),所述主體機構(gòu)包括外殼、電磁感應加熱線圈、坩堝、頂蓋、活動塊、連接柱、圓環(huán)、放置環(huán)和轉(zhuǎn)動柱,所述電磁感應加熱線圈固定設置在外殼的內(nèi)部,所述坩堝固定設置在電磁感應加熱線圈的內(nèi)部,所述頂蓋固定設置在坩堝的頂部,所述活動塊固定設置在頂蓋的頂部,所述連接柱固定設置在活動塊的底部,所述圓環(huán)固定設置在連接柱的底部,所述放置環(huán)固定設置在圓環(huán)的底部,所述轉(zhuǎn)動柱固定設置在頂蓋的頂部。

4、優(yōu)選的,所述固定機構(gòu)包括固定孔、固定螺栓、轉(zhuǎn)動把、摩擦紋、螺紋環(huán)和螺紋槽,所述固定孔開設在頂蓋的頂部。

5、通過上述方案,通過設置固定孔使得固定螺栓能夠更加牢固地固定住坩堝和頂蓋。

6、優(yōu)選的,所述固定螺栓活動設置在固定孔的內(nèi)部,所述轉(zhuǎn)動把固定設置在轉(zhuǎn)動柱的頂部。

7、通過上述方案,通過設置轉(zhuǎn)動把使得能夠把轉(zhuǎn)動柱轉(zhuǎn)動得更加方便。

8、優(yōu)選的,所述摩擦紋固定設置在轉(zhuǎn)動把上,所述螺紋環(huán)固定設置在活動塊的外圍,所述螺紋槽開設在頂蓋的頂部。

9、通過上述方案,通過設置摩擦紋使得在使用轉(zhuǎn)動柱時轉(zhuǎn)動把不易打滑。

10、優(yōu)選的,所述輔助機構(gòu)包括控制器、顯示屏、調(diào)節(jié)旋鈕、控制按鍵和電源接口,所述控制器固定設置在外殼的一側(cè)。

11、通過上述方案,通過設置控制器用來控制電磁感應加熱線圈進行通電加熱。

12、優(yōu)選的,所述顯示屏固定設置在控制器上,所述調(diào)節(jié)旋鈕固定設置在顯示屏上。

13、通過上述方案,通過設置調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)節(jié)加熱的溫度。

14、優(yōu)選的,所述控制按鍵固定設置在控制器上,所述電源接口開設在外殼的一側(cè)。

15、通過上述方案,通過設置電源接口用來接電。

16、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的有益效果是:

17、1.該一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,首先將原料放入坩堝中,然后將籽晶放入到放置環(huán)上,轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)動把,在轉(zhuǎn)動把和轉(zhuǎn)動柱之間的組合作用下,活動塊旋轉(zhuǎn)進頂蓋中,通過控制器控制電磁感應加熱線圈使得石墨坩堝內(nèi)的原料進行反應制備sic長晶,制備完成后再通過轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)動把取出放置環(huán)即可,以上設計使得裝置放置籽晶和收取sic長晶變得更加方便。

18、2.該一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,通過設置固定孔使得固定螺栓能夠更加牢固地固定住坩堝和頂蓋,通過設置轉(zhuǎn)動把使得能夠把轉(zhuǎn)動柱轉(zhuǎn)動得更加方便,以上設計提高了裝置的實用性。



技術(shù)特征:

1.一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,包括主體機構(gòu)(1)、固定機構(gòu)(2)和輔助機構(gòu)(3),其特征在于:所述固定機構(gòu)(2)固定設置在主體機構(gòu)(1)上,所述輔助機構(gòu)(3)固定設置在主體機構(gòu)(1)的一側(cè),所述主體機構(gòu)(1)包括外殼(101)、電磁感應加熱線圈(102)、坩堝(103)、頂蓋(104)、活動塊(105)、連接柱(106)、圓環(huán)(107)、放置環(huán)(108)和轉(zhuǎn)動柱(109),所述電磁感應加熱線圈(102)固定設置在外殼(101)的內(nèi)部,所述坩堝(103)固定設置在電磁感應加熱線圈(102)的內(nèi)部,所述頂蓋(104)固定設置在坩堝(103)的頂部,所述活動塊(105)固定設置在頂蓋(104)的頂部,所述連接柱(106)固定設置在活動塊(105)的底部,所述圓環(huán)(107)固定設置在連接柱(106)的底部,所述放置環(huán)(108)固定設置在圓環(huán)(107)的底部,所述轉(zhuǎn)動柱(109)固定設置在頂蓋(104)的頂部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,其特征在于:所述固定機構(gòu)(2)包括固定孔(201)、固定螺栓(202)、轉(zhuǎn)動把(203)、摩擦紋(204)、螺紋環(huán)(205)和螺紋槽(206),所述固定孔(201)開設在頂蓋(104)的頂部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,其特征在于:所述固定螺栓(202)活動設置在固定孔(201)的內(nèi)部,所述轉(zhuǎn)動把(203)固定設置在轉(zhuǎn)動柱(109)的頂部。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,其特征在于:所述摩擦紋(204)固定設置在轉(zhuǎn)動把(203)上,所述螺紋環(huán)(205)固定設置在活動塊(105)的外圍,所述螺紋槽(206)開設在頂蓋(104)的頂部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,其特征在于:所述輔助機構(gòu)(3)包括控制器(301)、顯示屏(302)、調(diào)節(jié)旋鈕(303)、控制按鍵(304)和電源接口(305),所述控制器(301)固定設置在外殼(101)的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,其特征在于:所述顯示屏(302)固定設置在控制器(301)上,所述調(diào)節(jié)旋鈕(303)固定設置在顯示屏(302)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種pvt法sic長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,其特征在于:所述控制按鍵(304)固定設置在控制器(301)上,所述電源接口(305)開設在外殼(101)的一側(cè)。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及石墨坩堝技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種PVT法SiC長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,包括主體機構(gòu)、固定機構(gòu)和輔助機構(gòu),所述固定機構(gòu)固定設置在主體機構(gòu)上,所述輔助機構(gòu)固定設置在主體機構(gòu)的一側(cè),所述主體機構(gòu)包括外殼、電磁感應加熱線圈、坩堝、頂蓋、活動塊、連接柱、圓環(huán)、放置環(huán)和轉(zhuǎn)動柱。該一種PVT法SiC長晶生產(chǎn)用石墨坩堝,首先將原料放入坩堝中,然后將籽晶放入到放置環(huán)上,轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)動把,在轉(zhuǎn)動把和轉(zhuǎn)動柱之間的組合作用下,活動塊旋轉(zhuǎn)進頂蓋中,通過控制器控制電磁感應加熱線圈使得石墨坩堝內(nèi)的原料進行反應制備SiC長晶,制備完成后再通過轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)動把取出放置環(huán)即可,以上設計使得裝置放置籽晶和收取SiC長晶變得更加方便。

技術(shù)研發(fā)人員:陳鵬飛,楊倩倩,苗浩偉,李嘉琪
受保護的技術(shù)使用者:蘇州清研半導體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240506
技術(shù)公布日:2025/1/6
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