本技術(shù)涉及單晶硅的制造領(lǐng)域，具體而言，涉及一種護盤壓板和單晶爐。

背景技術(shù)：

1、單晶爐拉制單晶可分為爐體裝置、加熱裝置、保溫裝置、冷卻裝置及提升裝置；其中原生硅料盛放在坩堝中通過加熱裝置將固體融化為液體，在運行過程中如果石英坩堝發(fā)生破裂就會導致硅液漏出流入下部造成整個下軸癱瘓無法運作，在爐底下部有護盤壓板，既可以盛住漏下去的硅液又可以反射部分熱量保證底部熱量的穩(wěn)定，不會造成熱量流失過多。

2、但，現(xiàn)有護盤壓板表面為平整面，發(fā)生漏硅事故硅液無法盛住，向兩側(cè)流出至爐底造成事故擴大；緊靠平面方式，熱量反射量較小。

3、鑒于此，特提出本申請。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種護盤壓板和單晶爐，旨在改善背景技術(shù)提到的至少一種問題。

2、本實用新型的實施例是這樣實現(xiàn)的：

3、第一方面，本實用新型提供一種護盤壓板，包括板體，板體的一面上設(shè)置有多個錐面凹坑。

4、在可選的實施方式中，錐面凹坑的深度為4～6mm。

5、在可選的實施方式中，錐面凹坑的開口直徑大小為3～5mm。

6、在可選的實施方式中，錐面凹坑均勻布滿板體的一面。

7、在可選的實施方式中，相鄰的錐面凹坑之間的距離為0～2mm。

8、在可選的實施方式中，板體上還設(shè)置有多個裝配孔。

9、在可選的實施方式中，所有的錐面凹坑的尺寸相同。

10、第二方面，本實用新型提供一種單晶爐，包括設(shè)置在爐底的如前述實施方式任一項的護盤壓板，護盤壓板設(shè)置有錐面凹坑的一面朝向爐內(nèi)。

11、本實用新型實施例的有益效果是：

12、本實用新型提供的護盤壓板，在其一面設(shè)置錐面凹坑，在發(fā)生漏硅事故后錐面凹坑可盛住大量硅液，防止硅液流入爐底造成事故擴大；此外，錐面凹坑的設(shè)置加大了整個反射的表面積，使得爐底的保溫性極大的加強，整體爐內(nèi)熱平衡穩(wěn)定性提高，減少熱量的流失；保溫性的加強使得加熱器輸出熱量降低，從而能減少氧的產(chǎn)生，達到降耗降氧的效果。

技術(shù)特征：

1.一種護盤壓板，其特征在于，包括板體，所述板體的一面上設(shè)置有多個錐面凹坑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的護盤壓板，其特征在于，所述錐面凹坑的深度為4～6mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的護盤壓板，其特征在于，所述錐面凹坑的開口直徑大小為3～5mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的護盤壓板，其特征在于，所述錐面凹坑均勻布滿所述板體的一面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的護盤壓板，其特征在于，相鄰的所述錐面凹坑之間的距離為0～2mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的護盤壓板，其特征在于，所述板體上還設(shè)置有多個裝配孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6任一項所述護盤壓板，其特征在于，所有的所述錐面凹坑的尺寸相同。

8.一種單晶爐，其特征在于，包括設(shè)置在爐底的如權(quán)利要求1～7任一項所述的護盤壓板，所述護盤壓板設(shè)置有所述錐面凹坑的一面朝向爐內(nèi)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及單晶硅的制造領(lǐng)域，公開了一種護盤壓板和單晶爐。公開的護盤壓板，包括板體，板體的一面上設(shè)置有多個錐面凹坑。公開的單晶爐，包括設(shè)置在爐底的護盤壓板，護盤壓板設(shè)置有錐面凹坑的一面朝向爐內(nèi)。本技術(shù)提供的護盤壓板，在其一面設(shè)置錐面凹坑，在發(fā)生漏硅事故后錐面凹坑可盛住大量硅液，防止硅液流入爐底造成事故擴大；此外，錐面凹坑的設(shè)置加大了整個反射的表面積，使得爐底的保溫性極大的加強，整體爐內(nèi)熱平衡穩(wěn)定性提高，減少熱量的流失；保溫性的加強使得加熱器輸出熱量降低，從而能減少氧的產(chǎn)生，達到降耗降氧的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：侯銀勇
受保護的技術(shù)使用者：宇澤新能源（文山）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240511
技術(shù)公布日：2025/1/6