本技術(shù)涉及多晶硅生產(chǎn)設(shè)備，具體為一種多晶硅還原反應(yīng)爐。

背景技術(shù)：

1、多晶硅還原反應(yīng)爐時(shí)在晶硅制備過程中的核心設(shè)備，通常將一定配比的三氯氫硅和氫氣混合器從底部進(jìn)氣口噴入，在還原爐內(nèi)發(fā)生氣相還原反應(yīng)，反應(yīng)生成的硅直接沉積在爐內(nèi)的硅芯表面，隨著反應(yīng)的持續(xù)進(jìn)行，硅棒不斷生長(zhǎng)，最終達(dá)到產(chǎn)品要求。

2、現(xiàn)有的多晶硅還原反應(yīng)爐的還原爐鐘罩承擔(dān)著關(guān)鍵的保護(hù)和反應(yīng)作用，但長(zhǎng)時(shí)間的使用會(huì)導(dǎo)致鐘罩內(nèi)壁積聚硅粉塵、反應(yīng)物以及其他污染物，而這些污染物若不及時(shí)清理，則容易影響爐內(nèi)溫度的分布；另外現(xiàn)有還原反應(yīng)爐在使用時(shí)，通常會(huì)將通入爐內(nèi)但未完全反應(yīng)的氣體在經(jīng)過處理后重新通入爐內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)，而由于未完全反應(yīng)氣體會(huì)混入爐內(nèi)的粉塵或污染物等雜質(zhì)，并且在處理過程中未將混入的粉塵和污染物進(jìn)行清除，導(dǎo)致爐內(nèi)的雜質(zhì)越來越多，并容易附著在硅芯上，較易對(duì)生成的多晶硅的質(zhì)量造成不利影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種多晶硅還原反應(yīng)爐，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種多晶硅還原反應(yīng)爐，包括底座，所述底座的底端貫穿有進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管的頂端套設(shè)有曝氣板，所述底座的頂端固定安裝有多個(gè)硅芯棒，所述硅芯棒的頂部罩設(shè)有爐罩，所述爐罩的頂端固定安裝有旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出端卡合有轉(zhuǎn)軸，所述爐罩的內(nèi)側(cè)設(shè)有刮條，所述爐罩內(nèi)側(cè)的頂部設(shè)有葉片，所述爐罩頂端的一側(cè)貫穿有循環(huán)管，所述循環(huán)管的底端套設(shè)有卡板，所述卡板的底部設(shè)有套筒，所述套筒的內(nèi)壁卡合有濾網(wǎng)，所述套筒的底部設(shè)有豎管。

3、優(yōu)選的，所述豎管與所述進(jìn)氣管的一端部貫穿連接，所述豎管與進(jìn)氣管的交接處安裝有止逆閥。

4、優(yōu)選的，所述豎管的頂部設(shè)有滑板，所述豎管頂部的外壁固定連接有托板。

5、優(yōu)選的，所述豎管的外壁活動(dòng)套設(shè)有彈簧，所述彈簧的頂端和底端分別與所述滑板的底端以及托板的頂端固定連接，所述滑板通過彈簧和托板與所述豎管活動(dòng)套設(shè)連接。

6、優(yōu)選的，所述卡板的底端和滑板的頂端均開設(shè)有卡槽，所述套筒通過卡槽分別與所述卡板和滑板活動(dòng)卡合連接。

7、優(yōu)選的，所述套筒通過滑板與所述豎管活動(dòng)連接。

8、優(yōu)選的，所述刮條與所述轉(zhuǎn)軸的中部卡合連接，所述葉片與所述轉(zhuǎn)軸的底端卡合連接，所述刮條和葉片均通過轉(zhuǎn)軸與所述爐罩活動(dòng)連接。

9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

10、1、本多晶硅還原反應(yīng)爐，通過轉(zhuǎn)軸和刮條，使得爐罩內(nèi)壁積聚的硅粉塵能夠及時(shí)刮離爐罩內(nèi)壁，從而減少爐罩內(nèi)壁硅粉塵以及各種污染物的積聚，降低爐罩對(duì)爐內(nèi)溫度分布造成的不利影響，再配合葉片，使得葉片能夠?qū)⒎e留在爐罩頂部的熱量吹向底部，使得爐內(nèi)的熱量能夠形成內(nèi)循環(huán)，使得爐內(nèi)的溫度可以均勻分布，從而進(jìn)一步降低爐罩對(duì)爐內(nèi)溫度分布的不利影響。

11、2、本多晶硅還原反應(yīng)爐，通過循環(huán)管、套筒、濾網(wǎng)和豎管，使得循環(huán)使用的氣體在從爐內(nèi)輸出時(shí)，可以進(jìn)行穿過套筒內(nèi)的濾網(wǎng)進(jìn)行初步過濾，使得混入氣體內(nèi)的粉塵雜質(zhì)以及污染物能夠被吸附在濾網(wǎng)上，減少氣體內(nèi)粉塵雜質(zhì)和污染物的含量，使得氣體再次進(jìn)入爐內(nèi)時(shí)不易將原有的雜質(zhì)重新帶入，從而避免反應(yīng)爐內(nèi)雜質(zhì)越來越多的情況，減少對(duì)多晶硅質(zhì)量產(chǎn)生的不利影響。

技術(shù)特征：

1.一種多晶硅還原反應(yīng)爐，包括底座(11)，其特征在于：所述底座(11)的底端貫穿有進(jìn)氣管(10)，所述進(jìn)氣管(10)的頂端套設(shè)有曝氣板(16)，所述底座(11)的頂端固定安裝有多個(gè)硅芯棒(15)，所述硅芯棒(15)的頂部罩設(shè)有爐罩(1)，所述爐罩(1)的頂端固定安裝有旋轉(zhuǎn)電機(jī)(2)，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)(2)的輸出端卡合有轉(zhuǎn)軸(14)，所述爐罩(1)的內(nèi)側(cè)設(shè)有刮條(12)，所述爐罩(1)內(nèi)側(cè)的頂部設(shè)有葉片(13)，所述爐罩(1)頂端的一側(cè)貫穿有循環(huán)管(3)，所述循環(huán)管(3)的底端套設(shè)有卡板(4)，所述卡板(4)的底部設(shè)有套筒(5)，所述套筒(5)的內(nèi)壁卡合有濾網(wǎng)(17)，所述套筒(5)的底部設(shè)有豎管(9)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原反應(yīng)爐，其特征在于：所述豎管(9)與所述進(jìn)氣管(10)的一端部貫穿連接，所述豎管(9)與進(jìn)氣管(10)的交接處安裝有止逆閥(18)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原反應(yīng)爐，其特征在于：所述豎管(9)的頂部設(shè)有滑板(6)，所述豎管(9)頂部的外壁固定連接有托板(8)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多晶硅還原反應(yīng)爐，其特征在于：所述豎管(9)的外壁活動(dòng)套設(shè)有彈簧(7)，所述彈簧(7)的頂端和底端分別與所述滑板(6)的底端以及托板(8)的頂端固定連接，所述滑板(6)通過彈簧(7)和托板(8)與所述豎管(9)活動(dòng)套設(shè)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多晶硅還原反應(yīng)爐，其特征在于：所述卡板(4)的底端和滑板(6)的頂端均開設(shè)有卡槽(19)，所述套筒(5)通過卡槽(19)分別與所述卡板(4)和滑板(6)活動(dòng)卡合連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多晶硅還原反應(yīng)爐，其特征在于：所述套筒(5)通過滑板(6)與所述豎管(9)活動(dòng)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅還原反應(yīng)爐，其特征在于：所述刮條(12)與所述轉(zhuǎn)軸(14)的中部卡合連接，所述葉片(13)與所述轉(zhuǎn)軸(14)的底端卡合連接，所述刮條(12)和葉片(13)均通過轉(zhuǎn)軸(14)與所述爐罩(1)活動(dòng)連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種多晶硅還原反應(yīng)爐，包括底座，所述底座的底端貫穿有進(jìn)氣管，所述進(jìn)氣管的頂端套設(shè)有曝氣板，所述底座的頂端固定安裝有多個(gè)硅芯棒，所述硅芯棒的頂部罩設(shè)有爐罩，所述爐罩的頂端固定安裝有旋轉(zhuǎn)電機(jī)，所述旋轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出端卡合有轉(zhuǎn)軸，所述爐罩的內(nèi)側(cè)設(shè)有刮條，所述爐罩內(nèi)側(cè)的頂部設(shè)有葉片，所述爐罩頂端的一側(cè)貫穿有循環(huán)管，所述循環(huán)管的底端套設(shè)有卡板。本技術(shù)通過設(shè)置有一系列的結(jié)構(gòu)，能夠有效減少爐罩內(nèi)壁硅粉塵以及各種污染物的積聚，使得爐內(nèi)的溫度可以均勻分布，從而降低爐罩對(duì)爐內(nèi)溫度分布的不利影響，減少氣體內(nèi)粉塵雜質(zhì)和污染物的含量，減少對(duì)多晶硅質(zhì)量產(chǎn)生的不利影響。

技術(shù)研發(fā)人員：童翔,周彥鋒,陳志兵,黃東明,蘇昱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新疆其亞硅業(yè)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240513
技術(shù)公布日：2024/12/30