本技術屬于原料處理，具體地說，涉及一種晶體生長原料處理設備。

背景技術：

1、稀土鹵化物是非常重要的化工原料，在催化、發(fā)光、功能材料等領域都有著廣泛的應用，尤其是無水無氧的稀土鹵化物，它是制造閃爍晶體的重要原料，但由于稀土鹵化物具有強烈的吸濕性和易氧化的特性，因此在儲存時容易導致出現(xiàn)物料變質的問題，從而在對晶體材料進行制備時，可能無法制備出合格的晶體材料，因此，在使用前，需要先將稀土鹵化物原料內部的水蒸氣和氧氣去除，才能進行晶體生長。

2、為了保證除濕除氧后的稀土鹵化物原料能夠達到使用標準，本領域技術人員設計出了一種晶體生長原料處理設備，來對其進行充分的除濕除氧操作，以便使其處理后的稀土鹵化物水氧含量可以小于50ppm，滿足制備單晶體的要求。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型要解決的技術問題在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種可以克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的晶體生長原料處理設備。

2、為解決上述技術問題，本實用新型采用技術方案的基本構思是：一種晶體生長原料處理設備，包括：電加熱爐；石英管，放置在所述電加熱爐內，且兩端均延伸出所述電加熱爐；所述石英管的兩端分別開設有進氣口與出氣口；進氣真空閥，安裝在所述石英管的進氣口處；排氣真空閥，安裝在所述石英管的出氣口處；所述石英管靠近出氣口的一側開設有抽氣口；抽氣真空閥，安裝在所述石英管的抽氣口處；真空泵，抽氣口與所述石英管的抽氣口相接通；保護氣體輸送罐，安裝在靠近所述石英管進氣口的一側，且輸氣口與所述石英管的進氣口相接通。

3、進一步地，所述電加熱爐包括下殼體、上殼體、電阻絲式加熱件以及溫度表，所述下殼體與上殼體之間通過轉軸轉動連接，所述電阻絲式加熱件的電阻絲呈螺旋狀設置在下殼體與上殼體組成的空腔內，所述電阻絲式加熱件的控制器安裝在下殼體的下側，所述溫度表安裝在上殼體上，且檢測端延伸進下殼體與上殼體組成的空腔內。

4、為了便于對晶體生長原料采用不同溫度的加熱，更進一步地，所述電阻絲式加熱件加熱范圍為50-900℃。

5、為了便于提高石英管的高穩(wěn)定性，進一步地，所述石英管的純度大于99.99％。

6、為了便于保證進氣真空閥、排氣真空閥以及抽氣真空閥使用的穩(wěn)定性，進一步地，所述進氣真空閥、排氣真空閥以及抽氣真空閥均為極限壓力小于5×10-5pa的真空閥門。

7、為了便于對保護氣體進行回收再利用，進一步地，所述石英管的出氣口處接通有回收罐，所述保護氣體輸送罐的上方安裝有氣體除濕除氧設備，所述氣體除濕除氧設備的抽氣口與回收罐的出氣口通過輸送管相接通，所述除濕除氧設備的出氣口與保護氣體輸送罐的回收口相接通，所述輸送管為三通管，所述輸送管另一個進氣端與真空泵的出氣端相接通。

8、采用上述技術方案后，本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有以下有益效果：本實用新型通過電加熱爐、石英管、進氣真空閥、排氣真空閥、抽氣真空閥以及真空泵、保護氣體輸送罐等部件的配合使用，在對稀土鹵化物進行除濕除氧操作時，可以較為充分的將水分與氧氣從稀土鹵化物中排出，以便于處理后的稀土鹵化物水氧含量均小于50ppm，減少物料出現(xiàn)變質的風險，滿足了制備單晶體的要求。

9、下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細的描述。

技術特征：

1.一種晶體生長原料處理設備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體生長原料處理設備，其特征在于，所述電加熱爐(1)包括下殼體(101)、上殼體(102)、電阻絲式加熱件(103)以及溫度表(104)，所述下殼體(101)與上殼體(102)之間通過轉軸轉動連接，所述電阻絲式加熱件(103)的電阻絲呈螺旋狀設置在下殼體(101)與上殼體(102)組成的空腔內，所述電阻絲式加熱件(103)的控制器安裝在下殼體(101)的下側，所述溫度表(104)安裝在上殼體(102)上，且檢測端延伸進下殼體(101)與上殼體(102)組成的空腔內。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種晶體生長原料處理設備，其特征在于，所述電阻絲式加熱件(103)加熱范圍為50-900℃。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體生長原料處理設備，其特征在于，所述石英管(2)的純度大于99.99％。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體生長原料處理設備，其特征在于，所述進氣真空閥(201)、排氣真空閥(202)以及抽氣真空閥(203)均為極限壓力小于5×10-5pa的真空閥門。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體生長原料處理設備，其特征在于，所述石英管(2)的出氣口處接通有回收罐(301)，所述保護氣體保護氣體輸送罐(3)的上方安裝有氣體除濕除氧設備(302)，所述氣體除濕除氧設備的抽氣口與回收罐(301)的出氣口通過輸送管(303)相接通，所述除濕除氧設備(302)的出氣口與保護氣體輸送罐(3)的回收口相接通，所述輸送管(303)為三通管，所述輸送管(303)另一個進氣端與真空泵(204)的出氣端相接通。

技術總結
本技術公開了一種晶體生長原料處理設備，涉及原料處理領域。種晶體生長原料處理設備，包括：電加熱爐；石英管，放置在所述電加熱爐內，且兩端均延伸出所述電加熱爐；所述石英管的兩端分別開設有進氣口與出氣口；進氣真空閥，安裝在所述石英管的進氣口處；本技術通過電加熱爐、石英管、進氣真空閥、排氣真空閥、抽氣真空閥以及真空泵、保護氣體輸送罐等部件的配合使用，在對稀土鹵化物進行除濕除氧操作時，可以較為充分的將水分與氧氣從稀土鹵化物中排出，以便于處理后的稀土鹵化物水氧含量均小于50ppm，減少物料出現(xiàn)變質的風險，滿足了制備單晶體的要求。

技術研發(fā)人員：張輝
受保護的技術使用者：北京夢暉科技有限公司
技術研發(fā)日：20240515
技術公布日：2025/1/2