專利名稱:利用低品位菱鎂石電熔合成低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鎂質(zhì)耐火材料領(lǐng)域，尤其涉及利用低品位菱鎂石電熔合成低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂的方法。
背景技術(shù)：
低硅高鈣電熔鎂砂是一種高熔點(diǎn)結(jié)合相鎂質(zhì)耐火材料，主要化學(xué)成分是MgO、CaO、SiO2、Fe2O3。主要結(jié)合相C2S。是生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)堿性耐火材料的理想原料，密度大，強(qiáng)度高，耐侵蝕，廣泛用于生產(chǎn)鎂碳磚、鎂鋁碳磚，鋁鎂碳磚等，是直接與鋼水接觸的高溫爐襯材料。
通常，生產(chǎn)低硅高鈣鎂砂都是選擇低硅高鈣礦石直接電熔，對(duì)礦石質(zhì)量要求十分嚴(yán)格，雜質(zhì)量非常低。(SiO2≤0.20％ CaO≤0.60～1.00％ MgO≥47.20％)但這種礦石十分缺少，只有極少數(shù)礦山(象華子峪鎂礦)生產(chǎn)有限的數(shù)量。資源的短缺嚴(yán)重地限制了低硅高鈣鎂砂的生產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了耐火材料業(yè)的需求。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種利用低品位菱鎂石電熔合成低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂的方法，該方法利用一些低品位的菱鎂石，通過(guò)合理配料，生產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)的低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是利用低品位菱鎂石電熔合成低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂的方法，其特征在于該方法采用低硅鎂石、高鈣鎂石、高鎂低硅鎂石、低鐵鎂石的低品位菱鎂礦行進(jìn)行優(yōu)選，分別進(jìn)行破碎成粒度為30-60mm的碎塊，按要求重量份比例進(jìn)行配料，混合均勻，然后在電弧爐中熔煉10-12小時(shí)，熔煉溫度2800-3300℃，在熔煉過(guò)程中加入稀土元素1-2％，輕燒鎂粉5-30％；要求電極在電爐的停留時(shí)間控制在2-8秒，充分排出SiO2等雜質(zhì)，緩慢冷卻，生產(chǎn)出鎂含量在96-98％的低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂；所述原料的重量份比例為低硅菱鎂石，SiO20.05-0.30％20-60份高鈣菱鎂石，CaO 0.5-3.0％ 10-40份高鎂低硅菱鎂石MgO≥47％ 0-30份低鐵菱鎂石，F(xiàn)e2O30.05-0.3％ 0-50份。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是利用一些低品位的菱鎂石，通過(guò)合理配料，生產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)的低硅高鈣電熔鎂砂。
具體實(shí)施方式實(shí)施例1利用低品位菱鎂石電熔合成低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂的方法，該方法采用低硅鎂石、高鈣鎂石、高鎂低硅鎂石、低鐵鎂石的低品位菱鎂礦石進(jìn)行優(yōu)選，分別進(jìn)行破碎成粒度為30-60mm的碎塊，按要求重量份比例進(jìn)行配料，混合均勻，然后在電弧爐中熔煉10-12小時(shí)，熔煉溫度2800-3300℃，在熔煉過(guò)程中加入稀土元素釷或鈹?shù)膬煞N混合物，占總量的1-2％，輕燒鎂粉5-30％；要求電極在電爐的停留時(shí)間控制在2-8秒，充分排出SiO2等雜質(zhì)，緩慢冷卻，生產(chǎn)出鎂含量在96-98％的低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂；所述原料的重量份比例為低硅菱鎂石，SiO20.05-0.30％40份高鈣菱鎂石，CaO 0.5-3.0％ 30份高鎂低硅菱鎂石MgO≥47％ 20份低鐵菱鎂石，F(xiàn)e2O30.05-0.3％10份。
實(shí)施例2按實(shí)施例1的方法生產(chǎn)鎂含量在96-98％的低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂；所述原料的重量份比例為低硅菱鎂石，SiO20.05-0.30％20份高鈣菱鎂石，CaO 0.5-3.0％ 40份低鐵菱鎂石，F(xiàn)e2O30.05-0.3％ 40份。
實(shí)施例3按實(shí)施例1的方法生產(chǎn)鎂含量在96-98％的低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂；所述原料的重量份比例為低硅菱鎂石，SiO20.05-0.30％60份高鈣菱鎂石，CaO 0.5-3.0％ 10份高鎂低硅菱鎂石MgO≥47％ 30份實(shí)施例4按實(shí)施例1的方法生產(chǎn)鎂含量在96-98％的低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂；所述原料的重量份比例為低硅菱鎂石，SiO20.05-0.30％ 40份高鈣菱鎂石，CaO 0.5-3.0％ 30份高鎂低硅菱鎂石MgO≥47％ 20份低鐵菱鎂石，F(xiàn)e2O30.05-0.3％ 10份。
權(quán)利要求
1.利用低品位菱鎂石電熔合成低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂的方法，其特征在于該方法采用低硅鎂石、高鈣鎂石、高鎂低硅鎂石、低鐵鎂石的低品位菱鎂礦石進(jìn)行優(yōu)選，分別進(jìn)行破碎成粒度為30-60mm的碎塊，按要求重量份比例進(jìn)行配料，混合均勻，然后在電弧爐中熔煉10-12小時(shí)，熔煉溫度2800-3300℃，在熔煉過(guò)程中加入稀土元素1-2％，輕燒鎂粉5-30％；要求電極在電爐的停留時(shí)間控制在2-8秒，充分排出SiO2等雜質(zhì)，緩慢冷卻，生產(chǎn)出鎂含量在96-98％的低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂；所述原料的重量份比例為低硅菱鎂石，SiO20.05-0.30％20-60份高鈣菱鎂石，CaO 0.5-3.0％10-40份高鎂低硅菱鎂石MgO≥47％ 0-30份低鐵菱鎂石，F(xiàn)e2O30.05-0.3％0-50份。
專利摘要
本發(fā)明涉及利用低品位菱鎂石電熔合成低硅高鈣優(yōu)質(zhì)鎂砂的方法，其該方法采用低硅鎂石、高鈣鎂石、高鎂低硅鎂石、低鐵鎂石的低品位菱鎂礦石進(jìn)行優(yōu)選，破碎，配料，混合均勻，然后在電弧爐中熔煉10－12小時(shí)，熔煉溫度2800－3300℃，在熔煉過(guò)程中加入稀土元素1－2％，輕燒鎂粉5－30％；要求電極在電爐的停留時(shí)間控制在2－8秒，充分排出SiO
文檔編號(hào)C04B35/04GK1994883SQ200610135193
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年12月29日
發(fā)明者李林儒, 張祥麟 申請(qǐng)人:遼寧鑫榮礦業(yè)集團(tuán)有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan