專利名稱：氟化鈣晶體的制造方法及原料處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于氟化鈣單晶的制造原料的處理方法。
以往，光學(xué)系統(tǒng)中使用的氟化鈣單晶(CaF2)主要是采用Bridgeman法(也稱為Stockbarger法或坩堝降下法)制造。
在可見光至紅外光范圍內(nèi)使用的氟化鈣單晶的原料，主要是使用將天然熒石或用天然熒石制造的合成熒石的粉碎物與作為氟化劑的清除劑按一定比例混合得到的混合物。但是，制造在紫外到真空紫外范圍內(nèi)使用的氟化鈣單晶(單晶的生長(zhǎng))時(shí)，天然熒石或合成熒石的粉碎物在紫外至真空紫外范圍內(nèi)具有吸收作用，因此不能用它們作為原料。為此，一般是將用化學(xué)合成制造的氟化鈣高純度的粉末原料與清除劑混合使用。另外，在有些場(chǎng)合是使用粉末作為原料，但是由于松比重的緣故，直接熔化粉末時(shí)自然損耗嚴(yán)重，因此，有時(shí)是將上述高純度的原料粉末一次熔化，然后將所得到的塊體粉碎，使用所得到的碎片作為原料。
將所得到的原料填充在晶體生長(zhǎng)用的坩堝中，把坩堝放置在晶體生長(zhǎng)裝置中，保持在真空下。然后，使生長(zhǎng)裝置內(nèi)緩慢升溫，將原料熔化。隨后，使生長(zhǎng)用的坩堝下降，從坩堝的下部緩慢地結(jié)晶，得到氟化鈣單晶。
如上所述，采用Bridgeman法用氟化鈣粉末原料制造氟化鈣單晶時(shí)，粉末粒子表面上常常吸附有很多雜質(zhì)氣體，在升溫過(guò)程中吸附的氣體解吸脫離，導(dǎo)致真空度顯著降低，不能以一定的升溫速度連續(xù)加熱到保持溫度。因此，不得不斷續(xù)進(jìn)行低輸出功率的加熱和真空排氣，結(jié)果使得用單晶制造爐進(jìn)行的脫氣處理花費(fèi)很長(zhǎng)的時(shí)間，制造工藝的時(shí)間延長(zhǎng)，生產(chǎn)率降低。
另外，粉末原料熔化和結(jié)晶時(shí)，其體積減小，大致相當(dāng)于粉末狀態(tài)的1/3，因此，通常是采用以經(jīng)過(guò)半熔化處理或?qū)λ槠冗M(jìn)行了前處理狀態(tài)的前處理品作為原料，將其填充到生長(zhǎng)用坩堝中，然后生長(zhǎng)培育氟化鈣單晶，但是，從粉末原料脫離開的氣體混入前處理品中，形成雜質(zhì)，此外，在前處理爐中也與上述單晶制造爐同樣，導(dǎo)致前處理爐的生產(chǎn)效率低下。
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是，提供可以以高的效率得到高純度的氟化鈣單晶的、氟化鈣結(jié)晶用粉末原料的處理方法。
本發(fā)明人認(rèn)為，在制造氟化鈣粉末原料時(shí)粒子表面上的含有大量雜質(zhì)的吸附氣體，在氟化鈣單晶制造工藝或前處理品制造工藝的初期階段升溫加熱時(shí)大量地解析脫離，造成真空度顯著下降，不僅引起工藝過(guò)程延長(zhǎng)，而且這些脫離的氣體還污染了單晶制造爐或前處理爐的內(nèi)部，作為雜質(zhì)殘留下來(lái)，對(duì)最終得到的單晶的內(nèi)部品質(zhì)產(chǎn)生不利影響。
因此，本發(fā)明的特征是，作為進(jìn)行氟化鈣單晶制造工藝或前處理品制造工藝時(shí)的前處理工序，將用于制造氟化鈣單晶的氟化鈣原料粉末預(yù)先加熱，進(jìn)行脫氣處理，使吸附在粉末粒子表面上的雜質(zhì)氣體脫離，從而得到高品質(zhì)的原料粉末。采用這種方法，可以防止單晶制造爐或前處理爐內(nèi)的污染，同時(shí)減少殘留在原料內(nèi)的雜質(zhì)。另外，由于縮短了單晶制造工藝或前處理品制造工藝過(guò)程中達(dá)到高真空的時(shí)間，可以提高單晶制造爐或前處理爐的生產(chǎn)效率。
首先說(shuō)明本發(fā)明的脫氣處理。
本發(fā)明的脫氣處理的目的，除了獲得高品質(zhì)的原料粉末之外，還在于防止單晶制造爐或前處理爐的污染以及提高生產(chǎn)效率。
將高純度的氟化鈣粉末原料(原料)(在清除劑也是微粉末的場(chǎng)合與原料混合)填充在脫氣處理用的坩堝中，放入脫氣處理用的電爐裝置(參見

圖1，圖中未示出排氣系統(tǒng))，為了使裝置內(nèi)形成脫氧氣氛，抽真空至10-3-10-5Pa。然后，為了維持高真空，一面繼續(xù)抽真空排氣，一面使裝置內(nèi)緩慢升溫。就保持溫度而言，在只有原料粉末的場(chǎng)合，以表面的碳化合物分解的700℃作為保持溫度的下限，以氟化鈣的熔點(diǎn)或以下的1350℃作為保持溫度的上限。另外，在原料與清除劑的混合粉末的場(chǎng)合，以兩者不發(fā)生反應(yīng)的最高溫度作為上限，例如在清除劑使用氟化鉛(PbF2)的場(chǎng)合以800℃為上限，使吸附的氣體脫離原料粉末粒子表面。脫氣結(jié)束后，使?fàn)t內(nèi)緩慢降溫，得到粒子表面上的吸附氣體已經(jīng)脫離的粉末。
如上所述，經(jīng)過(guò)脫氣工序后，可以得到高純度的粉末。另外，通過(guò)預(yù)先進(jìn)行原料粉末的脫氣處理，可以縮短氟化鈣單晶的制造或前處理品制造的初期階段的加熱時(shí)間。從而縮短前處理品制造的整個(gè)工藝過(guò)程的時(shí)間。此外，通過(guò)在專用的處理裝置中進(jìn)行原料粉末的脫氣處理，可以防止單晶制造爐或前處理爐內(nèi)的污染，并且由于與單晶制造爐或前處理爐分開操作，可以提高生產(chǎn)效率。
清除劑可以考慮特氟隆(聚四氟乙烯)、氟化鉛、氟化鈷、氟化錳等，脫氣處理工序中的保持溫度和保持時(shí)間可以根據(jù)原料粉末的粒度、容積以及清除劑的種類、真空度的變化情況等任意設(shè)定，為了增加化學(xué)反應(yīng)性，相對(duì)于原料氟化鈣來(lái)說(shuō)其加入量在0.1-5.0％(摩爾)為宜。
另外，安裝在脫氣處理坩堝上的蓋子使用氣孔率20-60％的多孔體，可以有效地將從填充在坩堝內(nèi)的原料粉末脫離的氣體排出到坩堝外，從而可以縮短脫氣處理工序的時(shí)間。
脫氣處理用的坩堝和蓋子的材質(zhì)，只要不與氟化鈣反應(yīng)并且潤(rùn)濕性低即可，在本實(shí)施例中使用的是石墨，作為其它的例子還可以舉出氮化硼。
另外，用于原料脫氣處理的裝置使用可以在裝置爐內(nèi)設(shè)置多個(gè)坩堝的擱板3。這樣可以增加每一批處理的坩堝數(shù)，降低脫氣處理工序在單晶制造或前處理品制造的整個(gè)工藝過(guò)程中所占的比例。擱板的數(shù)目可以根據(jù)單晶制造或前處理品制造所需原料的量、坩堝的大小、總重量等任意設(shè)定，擱板的材質(zhì)與坩堝一樣，可以舉出石墨或氮化硼。
下面說(shuō)明本發(fā)明的前處理工序。
本發(fā)明的前處理的目的，除了提高在生長(zhǎng)坩堝裝料時(shí)的填充率之外，還在于使原料高純度化，提高氟化鈣單晶的內(nèi)部品質(zhì)。
將高純度氟化鈣粉末原料與清除劑混合、填充在前處理用的坩堝中，放置在前處理用的電爐裝置內(nèi)，使裝置內(nèi)形成脫氧氣氛，然后熔化。此時(shí)為了除去氧化物和揮發(fā)性的雜質(zhì)物質(zhì)(反應(yīng)生成物)，保持10-3-10-5Pa的真空氣氛。緩慢升高裝置內(nèi)的溫度，從原料與清除劑反應(yīng)的溫度即清除劑的分解溫度升溫至該溫度+100℃，例如在使用氟化鉛(PbF2)的場(chǎng)合，在800℃-900℃保持一段時(shí)間，再升溫至原料熔點(diǎn)或以上的溫度1370-1450℃。這樣，使過(guò)剩的清除劑和反應(yīng)生成物揮發(fā)，同時(shí)將原料熔化，然后緩慢降溫，使熔融物凝固，得到前處理品。
按照這樣的熔化工藝過(guò)程，可以得到高純度的前處理品。另外，通過(guò)使用專用的前處理裝置進(jìn)行原料的前處理，可以防止伴隨前處理而產(chǎn)生的反應(yīng)生成物或過(guò)剩的清除劑污染晶體生長(zhǎng)裝置內(nèi)部，不會(huì)給生長(zhǎng)裝置的調(diào)溫機(jī)構(gòu)造成障礙，可以制造高純度的氟化鈣單晶。并且由于與生長(zhǎng)裝置分開操作，可以高效率地利用生長(zhǎng)裝置。
另外，將前處理用坩堝設(shè)置成多級(jí)坩堝，可以高效率地得到前處理品。不過(guò)，如果氣密性高并采用多級(jí)坩堝，不能有效地除去各級(jí)產(chǎn)生的反應(yīng)生成物，致使前處理品的內(nèi)部品質(zhì)降低。此外，由于熱傳導(dǎo)的原故，前處理用的坩堝越是靠上部，溫度越高，缺少氟，越是靠下部，殘留的未反應(yīng)清除劑越多，因而不能得到高品質(zhì)的前處理品。
為此，本發(fā)明人對(duì)不妨礙原料與清除劑反應(yīng)、可以除去各級(jí)生成的反應(yīng)生成物和過(guò)剩的清除劑的氣密性的多級(jí)坩堝進(jìn)行了研究，經(jīng)過(guò)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，用螺紋旋合將各級(jí)固定住是有效的。另外，在各級(jí)固定的氣密性高的場(chǎng)合，在每個(gè)坩堝上設(shè)置縫隙，調(diào)整氣密性。
本發(fā)明的采用多級(jí)坩堝的熔化按上述熔化工藝過(guò)程進(jìn)行，為了均等地促進(jìn)反應(yīng)，一面監(jiān)測(cè)熱平衡，使上段和下段的溫差在80℃或以下，一面進(jìn)行反應(yīng)。這樣，各段的前處理品可以大致同樣地獲得高品質(zhì)、高均質(zhì)。
為了提高生長(zhǎng)坩堝內(nèi)的填充率，前處理用坩堝的形狀、特別是底部采用特定的形狀。在多級(jí)坩堝中，使最下面一級(jí)與生長(zhǎng)坩堝的底部形狀一致。
例如，其結(jié)構(gòu)為，由多個(gè)坩堝構(gòu)成，這些坩堝是共軸的，上下方向上疊置，開口向上，疊置在下一級(jí)坩堝上的上一級(jí)坩堝，其底部旋入下一級(jí)坩堝的上端開口部。最上一級(jí)坩堝的開口的上端部安裝有帶螺紋的蓋，最下一級(jí)坩堝具有與生長(zhǎng)用坩堝同樣的帶有角度的錐體形狀。
但是，在升溫至熔化的過(guò)程中，生長(zhǎng)坩堝內(nèi)的前處理品發(fā)生熱膨脹，有可能造成生長(zhǎng)坩堝破損，考慮到這一點(diǎn)，前處理用的坩堝的內(nèi)容積比應(yīng)比生長(zhǎng)坩堝小，最好是90％左右。
前處理用坩堝的材質(zhì)與生長(zhǎng)坩堝同樣，只要不與氟化鈣反應(yīng)并且潤(rùn)濕性低即可，不限于石墨，也可以由氮化硼制成，坩堝的疊置數(shù)目可以根據(jù)需要選擇。
如上所述，采用本發(fā)明的多級(jí)坩堝制造前處理品時(shí)，可以不是一次性大量地將氟化鈣粉末與清除劑混合，而是一點(diǎn)一點(diǎn)地充分進(jìn)行混合，因此在每一級(jí)中不會(huì)發(fā)生反應(yīng)的局部化，可以得到高品質(zhì)、高均勻性的前處理品。另外，所得到的一片一片的前處理品輕、便于操作，將其填充到生長(zhǎng)用坩堝中，可以大大提高原料的填充率，能制造口徑和高度較大的氟化鈣單晶。
下面說(shuō)明晶體生長(zhǎng)工序。
將經(jīng)過(guò)脫氣處理工序和前處理工序的原料裝填到生長(zhǎng)用坩堝中。將坩堝放入生長(zhǎng)裝置內(nèi)，使生長(zhǎng)裝置保持10-3-10-5Pa的真空。然后使生長(zhǎng)裝置溫度緩慢升溫，使原料與清除劑反應(yīng)，接著緩慢升溫至氟化鈣的熔點(diǎn)或以上(1370-1450℃)，使過(guò)剩的清除劑和反應(yīng)生成物揮發(fā)，同時(shí)將原料熔化。在晶體生長(zhǎng)階段，使生長(zhǎng)用坩堝以0.1-5mm/小時(shí)的速度下降，從坩堝的下部慢慢結(jié)晶，得到氟化鈣單晶。
下面通過(guò)實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例的限制。
脫氣處理工序-實(shí)施例用多孔質(zhì)石墨制的蓋2從上面蓋住石墨制的坩堝1。考慮到原料填充操作時(shí)的操作性和前處理品的制造，坩堝1的內(nèi)徑設(shè)定為φ300mm。將高純度氟化鈣粉末和清除劑(PbF2)粉末1.0％(摩爾)的混合原料填充到脫氣處理用的坩堝中，每個(gè)坩堝內(nèi)填充8-10kg，蓋上蓋子2，將其裝入脫氣爐內(nèi)?？紤]到坩堝的大小和前處理品制造所需要的量以及擱板承受的重量，爐內(nèi)的擱板數(shù)量最多為3個(gè)。
首先，為了使?fàn)t內(nèi)形成脫氧氣氛，抽真空至10-3-10-5Pa。然后一面保持10-3Pa或以上的真空，一面緩慢降低裝置內(nèi)的溫度，在800℃的保持溫度下保持10小時(shí)，脫除原料粉末粒子表面的吸附氣體。脫氣結(jié)束后，緩慢降低爐內(nèi)溫度，得到粒子表面的吸附氣體已被脫除的粉末。整個(gè)過(guò)程所需要的天數(shù)，在每一批處理1個(gè)裝料量10kg的坩堝的場(chǎng)合是1.5日，在每一批處理3個(gè)坩堝的場(chǎng)合是3日。
使用TG-MS(熱重量質(zhì)量分析儀)、將所得到的原料粉末在高達(dá)1500℃的惰性氣體氣氛中加熱，分析檢測(cè)氣體，未檢測(cè)到以碳化物為主的含雜質(zhì)的氣體。
脫氣處理工序-比較例與實(shí)施例1同樣使用TG-MS分析從制造條件(合成工藝、干燥溫度等)不同的2種高純度氟化鈣粉末粒子脫離的氣體，檢測(cè)到表1所示的雜質(zhì)氣體。
表1從原料粉末中檢測(cè)到的雜質(zhì)氣體
<p>前處理工序-實(shí)施例圖2示出前處理工序中使用的石墨制的多級(jí)坩堝的實(shí)施例。如圖所示，本發(fā)明中的前處理用坩堝21是多級(jí)坩堝，由多個(gè)上部開口的石墨制坩堝22沿著軸向疊放而構(gòu)成。各坩堝22的底部設(shè)有凸部22a，將該凸部旋入各坩堝22的上部開口端部22b，使它門重疊起來(lái)，多級(jí)坩堝由總共6個(gè)坩堝構(gòu)成。然后，在最上一級(jí)的坩堝上旋入下側(cè)設(shè)有凸部23a的蓋23。另外，在最下一級(jí)坩堝24的內(nèi)底部預(yù)先加工成與生長(zhǎng)用坩堝底部的錐形相同的角度?？紤]到向生長(zhǎng)用坩堝中填充時(shí)的操作性和前處理品的熱膨脹，各坩堝22的內(nèi)徑比生長(zhǎng)用坩堝的內(nèi)徑小20mm，口徑為φ280mm。
隨后，將實(shí)施例1得到的經(jīng)過(guò)脫氣處理的原料裝入多級(jí)坩堝中，制造前處理品。
將高純度氟化鈣粉末和清除劑(PbF2)、1.0％(摩爾)的混合原料裝入各坩堝內(nèi)，每個(gè)坩堝裝8-10kg，順序疊放，在最上一級(jí)坩堝上蓋上蓋子。將上述多級(jí)坩堝放置在坩堝支持臺(tái)上，送入電爐裝置內(nèi)。為了使各坩堝達(dá)到相同的溫度，該電爐裝置內(nèi)設(shè)置石墨制的發(fā)熱體。在軸向上分多級(jí)設(shè)置若干個(gè)石墨制的發(fā)熱體，使裝置內(nèi)部能均勻加熱。
前處理按以下所述進(jìn)行，即將電爐裝置內(nèi)抽真空至10-3-10-5Pa，然后使裝置緩慢升溫，在原料與清除劑的反應(yīng)溫度800-900℃保持8小時(shí)，再緩慢升溫至原料的熔點(diǎn)或以上，1370-1450℃，使過(guò)剩的清除劑和反應(yīng)生成物揮發(fā)掉，同時(shí)將原料熔化8小時(shí)。但是，如果熔化溫度過(guò)高，不僅原料的揮發(fā)十分激烈，而者氟選擇性地?fù)]發(fā)，因此必須十分小心，一面用熱電偶監(jiān)測(cè)、一面控制石墨制的發(fā)熱體，使最上一級(jí)與最下一級(jí)的溫差在80℃或以下，將其熔化。然后緩慢降溫，使熔融物凝固，得到氟化鈣單晶生長(zhǎng)用的前處理品。
所得到的前處理品是無(wú)色透明的，沒(méi)有氣泡等異物，也未發(fā)現(xiàn)偏析，是高度均質(zhì)的，用ICP-AES分析殘留鉛濃度，結(jié)果全都在檢測(cè)極限20ppm或以下，品質(zhì)很高。此外，也不存在因坩堝位置不同而產(chǎn)生的品質(zhì)差異。
由以上所述可知，通過(guò)使用經(jīng)過(guò)脫氣處理的粉末原料來(lái)制造前處理品，可以防止前處理爐內(nèi)的污染。
前處理工序-比較例將未進(jìn)行脫氣處理的高純度氟化鈣粉末和清除劑(PbF2)粉末1.0％(摩爾)的混合原料填充到前處理坩堝中，在前處理品制造爐內(nèi)進(jìn)行前處理品制造，僅僅制造初期階段的加熱工序，在10kg的場(chǎng)合就花費(fèi)了3日，在30kg的場(chǎng)合則花費(fèi)了6日，與經(jīng)過(guò)脫氣處理工序的場(chǎng)合相比，生產(chǎn)率明顯惡化。
晶體生長(zhǎng)工序-實(shí)施例使用在上述前處理工序的實(shí)施例中得到的前處理品，進(jìn)行氟化鈣晶體生長(zhǎng)。
將所得到的6片前處理品直接填充在生長(zhǎng)用坩堝中，將其放入生長(zhǎng)裝置內(nèi)，使生長(zhǎng)裝置內(nèi)部保持10-3-10-5Pa的真空氛圍。緩慢升溫至氟化鈣多晶體的熔點(diǎn)或以上，1370-1450℃，使前處理品熔化。隨后，使生長(zhǎng)用坩堝以0.1-5mm/小時(shí)的速度下降，從坩堝的下部緩慢結(jié)晶，得到氟化鈣晶體。
所得到的氟化鈣單晶體，雜質(zhì)少而且體積變化小，因此可以制成其大小相當(dāng)于填充的前處理品的高純度氟化鈣單晶。
另外，由于熔化時(shí)不產(chǎn)生反應(yīng)生成物，防止了生長(zhǎng)裝置內(nèi)的污染，調(diào)溫機(jī)構(gòu)也能正常工作，延長(zhǎng)了消耗品的壽命。
按照本發(fā)明，作為單晶制造或前處理品制造的前處理工序，進(jìn)行原料粉末表面吸附氣體的脫離處理，可以得到高純度的粉末。另外，脫氣處理時(shí)，使用多孔質(zhì)體的蓋子，提高了排氣效率，從而縮短處理時(shí)間。再有，采用專用的處理裝置進(jìn)行原料粉末的脫氣處理，可以防止單晶制造爐或前處理爐內(nèi)的污染，另外，由于與單晶制造爐或前處理爐分開操作，可以提高生產(chǎn)效率。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1是脫氣處理爐的示意圖。
圖2是前處理工序中使用的多級(jí)坩堝的示意圖。
符號(hào)說(shuō)明1脫氣處理用的坩堝2蓋子3擱板4加熱器5坩堝支持臺(tái)6絕熱材料21前處理用多級(jí)坩堝22各坩堝23蓋子
權(quán)利要求
1．氟化鈣晶體的制造方法，其特征是，該方法包括下列工序使原料表面的吸附氣體脫離的脫氣處理工序；在坩堝內(nèi)熔化經(jīng)過(guò)上述經(jīng)脫氣處理的原料，得到前處理品的前處理工序；以及將經(jīng)過(guò)上述前處理的原料在坩堝內(nèi)再次熔化，生長(zhǎng)出晶體的晶體生長(zhǎng)工序。
2．氟化鈣晶體的制造方法，其特征是，該方法包括下列工序在真空加熱爐內(nèi)、以任意設(shè)定的保持時(shí)間將填充在坩堝內(nèi)的原料加熱，使原料表面的吸附氣體脫離的脫氣處理工序；在真空加熱爐內(nèi)使經(jīng)過(guò)上述脫氣處理的原料進(jìn)行脫氧反應(yīng)，得到反應(yīng)物，在氟化鈣熔點(diǎn)或以上的溫度熔化上述反應(yīng)物，然后緩慢結(jié)晶得到前處理品的前處理工序；將上述前處理品填充在坩堝內(nèi)，在氟化鈣熔點(diǎn)或以上溫度熔化，然后使坩堝下降，使上述前處理品從坩堝的下部緩慢結(jié)晶得到氟化鈣晶體的晶體生長(zhǎng)工序。
3．權(quán)利要求1或2所述的氟化鈣晶體的制造方法，其特征是，所述的原料是氟化鈣粉末原料或者氟化鈣粉末原料與清除劑的混合物。
4．權(quán)利要求1或2所述的氟化鈣晶體的制造方法，其特征是，在脫氣處理工序中使用的坩堝的蓋子是多孔質(zhì)體。
5．權(quán)利要求1或2所述的氟化鈣晶體的制造方法，其特征是，在脫氣處理工序中使用擱板安放多個(gè)坩堝進(jìn)行處理。
6．權(quán)利要求1或2所述的氟化鈣晶體的制造方法，其特征是，在前處理工序中使用的坩堝是將多個(gè)坩堝上下組合而成的多級(jí)坩堝。
7．氟化鈣原料的處理方法，其特征是，在真空加熱爐內(nèi)、以任意設(shè)定的保持時(shí)間和保持溫度將填充在坩堝內(nèi)的含有氟化鈣粉末的原料加熱，使原料表面的吸附氣體脫離。
8．權(quán)利要求7所述的氟化鈣原料的處理方法，其特征是，所述的保持溫度是700℃或以上、1350℃或以下。
9．權(quán)利要求7所述的氟化鈣原料的處理方法，其特征是，所述的保持時(shí)間是24小時(shí)或以上、96小時(shí)或以下。
全文摘要
本發(fā)明提供了以高效率獲得高純度氟化鈣單晶的、氟化鈣粉末原料處理方法。通過(guò)預(yù)先加熱處理使粉末粒子表面吸附的雜質(zhì)氣體脫離,可以得到高純度的粉末,另外,還可以防止單晶制造裝置或前處理裝置的污染,同時(shí)提高生產(chǎn)率。
文檔編號(hào)C01F11/22GK1224695SQ98123370
公開日1999年8月4日 申請(qǐng)日期1998年12月1日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月1日
發(fā)明者水垣勉, 木村和生, 高野修一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康