專利名稱：具有低超導(dǎo)各向異性的摻鎂高溫超導(dǎo)體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高溫超導(dǎo)體以及制造該超導(dǎo)體的方法，該超導(dǎo)體具有非常低的超導(dǎo)各向異性、高超導(dǎo)臨界溫度(Tc)、高臨界電流密度(Jc)、高不可逆場(chǎng)(Hirr)、和在垂直于平面方向上的長(zhǎng)相干長(zhǎng)度ξ(其方向是c軸方向，內(nèi)表面平面是ab軸)。
高Tc被認(rèn)為與超導(dǎo)電特性的高超導(dǎo)各向異性(兩維)密切相關(guān)。已知的高溫超導(dǎo)體，即具有由電荷儲(chǔ)集層和超導(dǎo)電層組成的兩維層狀結(jié)構(gòu)，包括Y,Bi,Tl，和Hg基銅氧化物超導(dǎo)體。然而，由于這些超導(dǎo)體具有高的超導(dǎo)電各向異性，因此在77K下其不具有足夠高的超導(dǎo)電性，如此阻礙了其在液氮溫度下的實(shí)際應(yīng)用。
在現(xiàn)有層狀結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)體中，由于在超導(dǎo)電層CunCan-1O2n中Ca離子的半徑大，所以使CuO2層之間的超導(dǎo)電耦合較低。另外，由于在這些具有層狀結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)體中，電荷儲(chǔ)集層為絕緣層，或?yàn)樵赾軸方向上具有低超導(dǎo)電耦合的非超導(dǎo)電層，因此，超導(dǎo)電層之間的相互作用較小，除了由于超導(dǎo)電層薄以外，超導(dǎo)電各向異性γ較大，其達(dá)到5-300數(shù)量級(jí)(γ可定義為相干長(zhǎng)度的比，電子有效質(zhì)量比的均方根，或磁場(chǎng)穿透深度比，為γ=ξab/ξc=(mc/mab)=λc/λab)。
因此，Jc，尤其是在高磁場(chǎng)下的Jc，和Hirr，電阻為零時(shí)磁場(chǎng)的上限將會(huì)較小，如此會(huì)使實(shí)際用作導(dǎo)線或塊體超導(dǎo)材料出現(xiàn)許多問題。另外，大的超導(dǎo)各向異性意味著，在c軸方向上的(Jc)c會(huì)較小，而c軸方向上的相干長(zhǎng)度ξc也會(huì)較小，使得當(dāng)用作超導(dǎo)電器件材料時(shí)，層狀結(jié)構(gòu)超導(dǎo)器件的性能不能滿足要求，尤其是約瑟夫森電流密度。
本發(fā)明的目的是提供一種高溫超導(dǎo)體，其具有低的超導(dǎo)電各向異性，和一種制造該超導(dǎo)體的方法。
根據(jù)本發(fā)明，通過提供一種具有低超導(dǎo)電各向異性的Mg摻雜高溫超導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)上述目的，該超導(dǎo)體包括由電荷儲(chǔ)集層和超導(dǎo)電層所構(gòu)成的兩維層狀結(jié)構(gòu)，其中組成電荷儲(chǔ)集層的一些或所有原子為Cu、O原子，使電荷儲(chǔ)集層金屬化或變?yōu)槌瑢?dǎo)電性，構(gòu)成超導(dǎo)電層的CunCan-1O2n中的Ca的一部分可以由Mg來代替，由此增強(qiáng)了CuO2層之間的超導(dǎo)電耦合，使超導(dǎo)電層的厚度增加，因此根據(jù)測(cè)不準(zhǔn)原理可使厚度方向上的相干長(zhǎng)度增加，從而降低了超導(dǎo)電各向異性。
具有低超導(dǎo)電各向異性的Mg摻雜高溫超導(dǎo)體可以通過下列方法制成，其包括將超導(dǎo)體施加到單晶襯底或晶體取向襯底上，其中超導(dǎo)體包括Cu1-xMx(Ba1-ySry)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭系元素組成組中的一個(gè)或多個(gè)，0≤x＜1,0≤y＜1,0≤z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)，或Cu1-xMx(Ba1-y-mSryRm)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭系元素組成組中的一個(gè)或多個(gè)，R是選自由La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb或Lu組成組中的一個(gè)或多個(gè)，并且0≤m＜1,0≤y+m≤1,0≤x＜1,0≤y＜1,0＜z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)，或其原材料，在抗氧化容器中將襯底加以密封，并且施加至少一個(gè)大氣壓，以便合成沿至少a軸和c軸排列的塊體或單晶超導(dǎo)電材料，其具有高臨界電流密度Jc。
按照本發(fā)明具有低超導(dǎo)電各向異性的Mg摻雜高溫超導(dǎo)體還可通過下列方法制成，其包括在單晶襯底或晶體取向薄膜襯底上淀積或施加上述超導(dǎo)體或超導(dǎo)體原材料，在抗氧化容器中將其加以密封，以便獲得至少沿a軸和c軸排列的具有高臨界電流密度Jc的單晶或晶體取向薄膜。
因此，在本發(fā)明的超導(dǎo)體中，構(gòu)成超導(dǎo)電層的CunCan-1O2n的Ca的一部分可由Mg取代，其具有小的離子半徑，由此增加CuO2層之間的超導(dǎo)電耦合，使超導(dǎo)電層的厚度增大，并因此根據(jù)測(cè)不準(zhǔn)原理而減小超導(dǎo)電各向異性。
通過下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的描述，將使本發(fā)明的上述和其他特征更加清楚。


圖1是一示意圖，其表示按照本發(fā)明具有低各向異性的Mg摻雜高溫超導(dǎo)體晶體模型的一個(gè)實(shí)例；圖2(a)是Mg摻雜Cu-1234[CuBa2(Ca1-zMgz)3Cu4O12-w](z=0.05,0.1,0.2,0.33)非取向粉末試樣的X射線衍射圖；圖2(b)是已經(jīng)獲得c軸取向的Mg摻雜Cu-1234(z=0.05,0.1,0.2,0.33)粉末試樣的X射線衍射圖；圖3(a)是表示溫度與Cu-1234[CuBa2(Ca1-zMgz)3Cu4O12-w]的電阻率和磁化率之間關(guān)系的示意圖，其中Mg濃度為5％；圖3(b)是表示溫度與Cu-1234的電阻率和磁化率之間關(guān)系的示意圖，其中Mg濃度為10％；圖3(c)是表示溫度與Cu-1234的電阻率和磁化率之間關(guān)系的示意圖，其中Mg濃度為20％；圖3(d)是表示溫度與Cu-1234的電阻率和磁化率之間關(guān)系的示意圖，其中Mg濃度為33％；圖4(a)是表示在含5％Mg的非取向粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖4(b)是表示在含10％Mg的非取向粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖4(c)是表示在含20％Mg的非取向粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖4(d)是表示在含33％Mg的非取向粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖4(e)是表示在已經(jīng)獲得c軸取向的含5％Mg的粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖4(f)是表示在已經(jīng)獲得c軸取向的含10％Mg的粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖4(g)是表示在已經(jīng)獲得c軸取向的含20％Mg的粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖4(h)是表示在已經(jīng)獲得c軸取向的含33％Mg的粉末試樣中溫度與磁場(chǎng)(0.1-5T)之間關(guān)系的示意圖；圖5(a)是表示包含5％和10％Mg的粉末試樣的上臨界磁場(chǎng)Hc2與溫度之間關(guān)系的示意圖；和圖5(b)是表示包含20％和33％Mg的粉末試樣的上臨界磁場(chǎng)Hc2與溫度之間關(guān)系的示意圖。
圖1是表示本發(fā)明具有低各向異性的Mg摻雜高溫超導(dǎo)體晶體模型實(shí)例的示意圖。參見附圖，單位晶胞模型1包括沿c軸所提供的一對(duì)電荷儲(chǔ)集層3和插入層3之間的超導(dǎo)電層2。超導(dǎo)電層2具有許多CuO2平面4。根據(jù)本發(fā)明，構(gòu)成超導(dǎo)電層的CunCan-1O2n的Ca的一部分可由Mg取代，其具有小的離子半徑，由此增強(qiáng)了CuO2平面之間的超導(dǎo)電耦合。還有，通過增加組成超導(dǎo)電層的數(shù)量n而增大具有層狀結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)電層厚度，可在厚度方向上擴(kuò)大c軸上的超導(dǎo)電子的不確定區(qū)域，使其可增大c軸方向上的相干長(zhǎng)度ξc，從而使超導(dǎo)電各向異性γ減小到很低的程度。
另外，構(gòu)成電荷儲(chǔ)集層3的一些或所有原子可用銅和氧原子來取代，其具有超導(dǎo)電性，使電荷儲(chǔ)集層金屬化或變?yōu)槌瑢?dǎo)電。然而，根據(jù)由測(cè)不準(zhǔn)原理所派生出的另一結(jié)論，由于超導(dǎo)電相干長(zhǎng)度正比于費(fèi)米速度VF，所以使電荷儲(chǔ)集層金屬化或使其具有超導(dǎo)電性將會(huì)加大c軸方向上的VF成分，其中會(huì)增大相干長(zhǎng)度ξc，由此使超導(dǎo)電各向異性減小。
由公式Cu1-xMx(Ba1-ySry)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭系元素組成組中的一個(gè)或多個(gè)，0≤x＜1,0≤y＜1,0≤z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)表示的氧化銅可以作為用于本發(fā)明具有二維層狀結(jié)構(gòu)超導(dǎo)體優(yōu)選組成的一個(gè)實(shí)例。
用于超導(dǎo)體的優(yōu)選組成的另一實(shí)例為下列氧化銅，其中上述組成中的Ba的部分可由鑭系元素(R)來代替，其可由公式Cu1-xMx(Ba1-y-mSryRm)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭系元素組成組中的一個(gè)或多個(gè)，R是選自由La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb或Lu組成組中的一個(gè)或多個(gè)，并且0≤m＜1,0≤y+m≤1,0≤x＜1,0≤y＜1,0＜z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)來表示。
關(guān)于這些氧化銅超導(dǎo)體，超導(dǎo)體的電荷儲(chǔ)集層與超導(dǎo)電層之間的耦合可通過增加(Ca1-zMgz)n-1CunO2n層的數(shù)量n、使與超導(dǎo)電層鍵合的Cu1-xMx(Ba1-ySry)2O2n+4-w或Cu1-xMx(Ba1-y-mSryRm)2O2n+4-w電荷儲(chǔ)集層金屬化而得到加強(qiáng)，并且還可以通過電荷儲(chǔ)集層原有、固有的超導(dǎo)電性而得到加強(qiáng)。因此，在c軸方向上的超導(dǎo)電子不確定區(qū)域(厚度)增大，從而增大了相干長(zhǎng)度ξc，并且減小了超導(dǎo)各向異性。
關(guān)于一些氧化銅超導(dǎo)體，相干長(zhǎng)度ξc可以按經(jīng)驗(yàn)表示為ξc=0.32(n-1)nm,ξab=1.6nm，得到超導(dǎo)各向異性γ=ξab/ξc=5/(n-1)，因此對(duì)于這些超導(dǎo)體來說，其中n為三或以上時(shí)，如果載流子濃度足夠的話，可以實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)各向異性γ＜4。
另外，關(guān)于上述氧化銅超導(dǎo)體，銅的的平均價(jià)數(shù)可以表示為Z=2+(4-2W)/(n+1)＜2+4/(n+1)，并且由n=1-16，可知Z將不小于2.25，使得減少氧空位濃度w，可使足夠的載流子供給以實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)各向異性γ＜4。
上述低各向異性高溫超導(dǎo)體可通過公知的非平衡方法而制備，如高壓合成，熱壓，HIP(高溫等壓處理)，密封在防氧化材料中，濺射或激光燒蝕。濺射靶可以是一種燒結(jié)材料，其具有與所制成的超導(dǎo)體相同的組分，或所使用的靶可由以原子層層疊的每種元素制成。濺射或激光燒蝕可使用例如單晶襯底即SrTiO3,NdGaO3,LaAlO3,YSZ(Y穩(wěn)定的ZrO2)，或LaSrCaO4或類似物在300-800℃襯底溫度下和0.01-1乇氧壓力下進(jìn)行。
按照本發(fā)明的低各向異性高溫超導(dǎo)體的特征在于，其結(jié)構(gòu)包括在單晶襯底或晶體取向薄膜襯底上淀積或提供上述超導(dǎo)體，其超導(dǎo)體包括Cu1-xMx(Ba1-ySry)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，0≤x＜1,0≤y＜1,0≤z＜1,0≤w≤4,和3≤n≤16)，或Cu1-xMx(Ba1-y-mSryRm)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，R選自La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb，或Lu，并且0≤m＜1,0≤y+m≤1,0≤x＜1,0≤y＜1,0＜z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)，或超導(dǎo)體的原始材料，然后將其密封在防氧化材料中，以便獲得具有高臨界電流密度Jc至少沿a軸和c軸取向的單晶或晶體取向薄膜。
低各向異性高溫超導(dǎo)體或其起始材料還可通過施加在單晶襯底或晶體取向薄膜襯底上，然后密封在金，銀，鉻鎳鐵耐蝕耐熱合金，耐蝕耐高溫鎳合金，氧化鋁，ALN,BN，或其他這類耐氧化金屬或陶瓷容器中，并提供至少一個(gè)大氣壓，用以合成具有高臨界電流密度Jc沿至少a軸和c軸排列的塊體或單晶超導(dǎo)電材料。
下列實(shí)例描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，可以理解，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，其還可以以其他形式構(gòu)成，但是其均不會(huì)脫離本發(fā)明所限定的范圍。
實(shí)施例圖2(a)和2(b)是組成為CuBa2(Ca1-zMgz)3Cu4O12-w(z=0.05,0.1,0.2,0.33)的非取向和c軸取向粉末試樣的x射線衍射圖。
根據(jù)燒結(jié)試樣的電阻率和磁化率比基于溫度的變化，其中z=0.05,0.1,0.2,0.33，試樣顯示出116-117K的超導(dǎo)電臨界溫度Tc(圖3)。圖4(a)至(h)表示在0.1-5T磁場(chǎng)下c軸取向粉末試樣的溫度與磁化之間的關(guān)系。通過這些曲線圖可以獲得上臨界磁場(chǎng)Hc2的溫度關(guān)系。
圖5表示每種粉末試樣的上臨界磁場(chǎng)Hc2的溫度關(guān)系。根據(jù)曲線的斜率，可以估計(jì)各向異性γ為1.4。表1列出了CuBa2(Ca1-zMgz)3Cu4O12-w(z=0.05,0.1,0.2,0.33)試樣的超導(dǎo)電和其他特性。
表1
<p>表1示出了試樣具有116-117K的Tc，晶格常數(shù)為a=3.855-3.847，c=17.954-17.90，每CuO2平面空穴濃度為h=0.34-0.53，上臨界磁場(chǎng)(Hc2)ab=103-127T,(Hc2)c=74-86T，相干長(zhǎng)度ξc=13-14,ξab=19-20，并且超導(dǎo)各向異性γ=1.38-1.46。
Cu-1234試樣可使用起始材料來制備，即Ba2Ca3Cu4O8、CuO和MgO的前體混合物，并將AgO作為氧化劑。試樣可通過將混合物在900-1100℃下在3GPa壓力下加熱1-3小時(shí)來制備。由Mg所取代的Ca的比例可通過調(diào)節(jié)MgO的成分或通過調(diào)整反應(yīng)溫度來進(jìn)行調(diào)節(jié)。超導(dǎo)電層的增厚可通過增加Cu或Ca的濃度、增大合成溫度或增加合成時(shí)間而獲得。
根據(jù)本發(fā)明，所獲得的高溫超導(dǎo)體具有低的各向異性γ=1.4，其接近于各向同性，并且迄今其還不可能獲得。這使其可以開發(fā)出具有更高Jc的材料，具有更高不可逆場(chǎng)(Hirr)的材料，和具有長(zhǎng)相干長(zhǎng)度ξc=1.4nm的超導(dǎo)電材料，以及適用于具有層狀結(jié)構(gòu)的杰弗森結(jié)器件的材料，和可適用于用作導(dǎo)線，塊體及器件材料的高溫超導(dǎo)電材料。
另外，雖然在先前所具有的知識(shí)表明高Tc很可能會(huì)具有高超導(dǎo)電各向異性，但通過本發(fā)明可將該知識(shí)打破，根據(jù)本發(fā)明可獲得高溫超導(dǎo)體，其具有的超導(dǎo)電各向異性如此之低以致于接近于各向同性。因此，本發(fā)明的科學(xué)沖擊是主要的，其還提供了一種重要的指示，就是在闡明高溫超導(dǎo)電性的機(jī)理的方面。
權(quán)利要求
1.一種摻Mg的高溫超導(dǎo)體，其具有低的超導(dǎo)電各向異性，其包括由電荷儲(chǔ)集層和超導(dǎo)電層所構(gòu)成的兩維層狀結(jié)構(gòu)，其中組成電荷儲(chǔ)集層的一些或所有原子為Cu、O原子，使電荷儲(chǔ)集層金屬化或變?yōu)槌瑢?dǎo)電層，構(gòu)成超導(dǎo)電層的CunCan-1O2n的Ca的一部分可由Mg來取代，其增加了CuO2層之間的超導(dǎo)電耦合，增加了超導(dǎo)電層的厚度，因此使厚度方向上的相干長(zhǎng)度根據(jù)測(cè)不準(zhǔn)原理而增加，使超導(dǎo)電各向異性降低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的超導(dǎo)體，其包括具有一定組成的氧化銅超導(dǎo)體，該組成可由下式表示Cu1-xMx(Ba1-ySry)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，0≤x＜1,0≤y＜1,0＜z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的超導(dǎo)體，其包括具有一定組成的氧化銅超導(dǎo)體，該組成可由下式表示Cu1-xMx(Ba1-y-mSryRm)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，R是選自由La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb，或Lu組成的組中的至少一個(gè)，并且0≤m＜1,0≤y+m≤1,0≤x＜1,0≤y＜1,0＜z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)。
4.一種制造具有低超導(dǎo)各向異性的摻Mg高溫超導(dǎo)體的方法，其包括將Cu1-xMx(Ba1-ySry)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，0≤x＜1,0≤y＜1,0≤z＜1,0≤w≤4,和3≤n≤16)，或Cu1-xMx(Ba1-y-mSryRm)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，R是選自由La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb，或Lu組成的組中的至少一個(gè)，并且0≤m＜1,0≤y+m≤1,0≤x＜1,0≤y＜1,0＜z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)，或其原始材料施加到單晶襯底或晶體取向襯底上，將該襯底密封在耐氧化容器中并提供至少一個(gè)大氣壓，以便合成具有高臨界電流密度Jc并至少沿a軸和c軸排列的塊體的或單晶超導(dǎo)電材料。
5.一種制造具有低超導(dǎo)各向異性的摻Mg高溫超導(dǎo)體的方法，其包括將包含Cu1-xMx(Ba1-ySry)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，0≤x＜1,0≤y＜1,0≤z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)，或Cu1-xMx(Ba1-y-mSryRm)2(Ca1-zMgz)n-1CunO2n+4-w(其中M是選自由Tl,Hg,Bi,Pb,Au,In,Sn,Mg,Ag,Mo,Re,Os,Cr,V,Fe，和鑭族元素組成的組中的一個(gè)或多個(gè)，R是選自由La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb，或Lu組成的組中的至少一個(gè)，并且0≤m＜1,0≤y+m≤1,0≤x＜1,0≤y＜1,0＜z＜1,0≤w≤4，和3≤n≤16)的超導(dǎo)體，或該超導(dǎo)體的原始材料淀積或施加到單晶襯底或晶體取向薄膜襯底上，將該襯底密封在耐氧化容器中，以便獲得具有高臨界電流密度Jc并至少沿a軸和c軸排列的單晶或晶體取向薄膜。
全文摘要
一種摻Mg的高溫超導(dǎo)體，其具有低的超導(dǎo)電各向異性，其包括由電荷儲(chǔ)集層和超導(dǎo)電層所構(gòu)成的兩維層狀結(jié)構(gòu)，其中組成電荷儲(chǔ)集層的一些或所有原子為Cu、O原子，使電荷儲(chǔ)集層金屬化或變?yōu)槌瑢?dǎo)電層，構(gòu)成超導(dǎo)電層的Cu
文檔編號(hào)C01G3/00GK1237771SQ99106249
公開日1999年12月8日 申請(qǐng)日期1999年3月25日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月27日
發(fā)明者伊原英雄, S·K·阿加瓦爾 申請(qǐng)人:日本國(guó)通商產(chǎn)業(yè)省工業(yè)技術(shù)院