石墨烯處理裝置以及處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及碳的制備設(shè)備，特別是涉及一種石墨烯處理裝置以及處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]石墨烯是一種由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的材料。石墨烯是已知的世上最薄、最堅(jiān)硬的納米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m*K，高于碳納米管和金剛石，常溫下其電子迀移率超過15000cm2/V*s，而電阻率只約10_8 Ω.πι，比銅或銀更低，為世上電阻率最小的材料。因其電阻率極低，電子迀移的速度極快，因此石墨烯被期待可用來發(fā)展更薄、導(dǎo)電速度更快的新一代電子元件或晶體管。由于石墨烯實(shí)質(zhì)上是一種透明、良好的導(dǎo)體，也適合用來制造透明觸控屏幕、光板、甚至是太陽能電池。
[0003]為了將應(yīng)用前景轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)成果，人們不斷探索石墨烯的制備與加工方法。已發(fā)展的方法主要可分為物理法和化學(xué)法兩大類，以微機(jī)械剝離法為代表的物理方法在制備完整晶格的石墨烯方面具有優(yōu)勢，卻因效率低下無法實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)?；瘜W(xué)方法制備石墨烯以氧化還原法為主，通過制備石墨烯氧化物可對其進(jìn)行溶液加工，便于制備薄膜材料，再經(jīng)還原得到石墨烯材料。而在器件的應(yīng)用中，將石墨烯材料進(jìn)行圖案化加工是重要的步驟，已有的石墨烯的圖案化方案成本較高，加工條件苛刻，難以實(shí)現(xiàn)圖案的精細(xì)化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種可以實(shí)現(xiàn)圖案的精細(xì)化的石墨烯處理裝置以及處理方法。
[0005]本發(fā)明的石墨烯處理方法，包括:
[0006]制備石墨烯膜；
[0007]將掩模覆蓋于石墨稀膜的表面；
[0008]將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模的圖案一致的石墨烯器件。
[0009]本發(fā)明的石墨烯處理方法，其中，所述將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除包括:利用激光對覆蓋有所述掩模的所述石墨烯膜的表面進(jìn)行掃描，以將石墨烯膜的表面暴露于外的部分燒掉。
[0010]本發(fā)明的石墨烯處理裝置，包括:
[0011]掩模，用于覆蓋于石墨烯膜的表面；
[0012]去除裝置，用于將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模的圖案一致的石墨烯器件。
[0013]本發(fā)明的石墨烯處理裝置，其中，所述去除裝置為激光器，用于發(fā)射激光并對覆蓋有所述掩模的所述石墨烯膜的表面進(jìn)行掃描，以將石墨烯膜的表面暴露于外的部分燒掉。
[0014]本發(fā)明的石墨烯處理裝置，其中，還包括用于承托所述石墨烯膜的基板。
[0015]本發(fā)明的技術(shù)方案采用普通激光器即可實(shí)現(xiàn)石墨烯表面圖案精細(xì)化的效果，同時(shí)可以避免普通刻蝕帶來的石墨烯性能變差的缺陷，工藝簡單、可操作性好。
【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的石墨烯處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本發(fā)明的石墨烯處理方法的步驟示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0019]石墨烯的應(yīng)用潛力巨大，但是其精細(xì)圖案化的相關(guān)工藝尚不成熟，本發(fā)明提供一種可以實(shí)現(xiàn)圖案的精細(xì)化的石墨烯處理裝置以及處理方法。
[0020]如圖1和圖2所示，本發(fā)明的石墨烯處理裝置，包括:
[0021]掩模1，用于覆蓋于石墨烯膜2的表面；
[0022]去除裝置3，用于將石墨烯膜2的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模I的圖案一致的石墨烯器件。
[0023]本發(fā)明的石墨烯處理裝置，其中，去除裝置3為激光器，用于發(fā)射激光并對覆蓋有掩模I的石墨烯膜2的表面進(jìn)行掃描，以將石墨烯膜2的表面暴露于外的部分燒掉。
[0024]本發(fā)明的石墨烯處理裝置工作時(shí)，去除裝置3沿F方向移動(dòng)，同時(shí)射出激光，激光對覆蓋有掩模I的石墨烯膜2的表面進(jìn)行掃描，以將石墨烯膜2的表面暴露于外的部分燒掉。
[0025]本發(fā)明的石墨烯處理裝置，其中，還包括用于承托石墨烯膜2的基板5。
[0026]本發(fā)明的石墨烯處理裝置采用普通激光器即實(shí)現(xiàn)石墨烯表面圖案精細(xì)化的效果，同時(shí)可以避免普通刻蝕帶來的石墨烯性能變差的缺陷，工藝簡單、可操作性好。
[0027]本發(fā)明的石墨烯處理方法，包括:
[0028]制備石墨烯膜；
[0029]將掩模覆蓋于石墨稀膜的表面；
[0030]將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模的圖案一致的石墨烯器件。
[0031]本發(fā)明的石墨烯處理方法，其中，將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除包括:利用激光對覆蓋有掩模的石墨烯膜的表面進(jìn)行掃描，以將石墨烯膜的表面暴露于外的部分燒掉。
[0032]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種石墨烯處理方法，其特征在于，包括: 制備石墨烯膜； 將掩模覆蓋于石墨烯膜的表面； 將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模的圖案一致的石墨烯器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯處理方法，其特征在于，所述將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除包括:利用激光對覆蓋有所述掩模的所述石墨烯膜的表面進(jìn)行掃描，以將石墨烯膜的表面暴露于外的部分燒掉。
3.一種石墨烯處理裝置，其特征在于，包括: 掩模，用于覆蓋于石墨烯膜的表面； 去除裝置，用于將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模的圖案一致的石墨烯器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨烯處理裝置，其特征在于，所述去除裝置為激光器，用于發(fā)射激光并對覆蓋有所述掩模的所述石墨烯膜的表面進(jìn)行掃描，以將石墨烯膜的表面暴露于外的部分燒掉。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的石墨烯處理裝置，其特征在于，還包括用于承托所述石墨烯膜的基板。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種石墨烯處理裝置以及處理方法，其中發(fā)明的石墨烯處理方法包括：制備石墨烯膜；將掩模覆蓋于石墨烯膜的表面；將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模的圖案一致的石墨烯器件。發(fā)明的石墨烯處理裝置包括：掩模，用于覆蓋于石墨烯膜的表面；去除裝置，用于將石墨烯膜的表面暴露于外的部分去除，形成表面圖案與掩模的圖案一致的石墨烯器件。發(fā)明的技術(shù)方案采用普通激光器即實(shí)現(xiàn)石墨烯表面圖案精細(xì)化的效果，同時(shí)可以避免普通刻蝕帶來的石墨烯性能變差的缺陷，工藝簡單、可操作性好。
【IPC分類】C01B31-04
【公開號】CN104556025
【申請?zhí)枴緾N201510072745
【發(fā)明人】秦廣奎, 邸云萍, 石岳
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2015年2月11日