low-E玻璃離線生產方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及玻璃的生產制造領域，具體地，涉及一種1w-E玻璃離線生產方法。
【背景技術】
[0002]玻璃是重要的建筑材料，隨著對建筑物裝飾性要求的不斷提高，玻璃在建筑行業(yè)中的使用量也在不斷的增大。然而當今人們在選擇建筑物的玻璃門窗時，除了考慮其美學和外觀特征外，更注重其熱量控制、制冷成本等問題，這樣就讓1w-E玻璃成為關注的焦點。
[0003]現(xiàn)如今，在該種玻璃生產過后的玻璃表面很容易氧化，常常手用力的接觸就會讓玻璃的膜層被氧化，那么在生產的過程中，怎么做可以加強防護成為一個待解決的問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種1w-E玻璃離線生產方法，該1w-E玻璃離線生產方法克服了現(xiàn)有技術中的玻璃表面很容易氧化的問題，實現(xiàn)了防氧化的處理。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種1w-E玻璃離線生產方法，該方法包括:
[0006]步驟I，將原玻璃豎直設置于壓強為0.1-0.6Pa區(qū)間的真空環(huán)境中；
[0007]步驟2，在所述真空環(huán)境中通入工藝氣體，并保持真空環(huán)境的壓強在0.1-0.6Pa區(qū)間之內；
[0008]步驟3，將磁控靶置于真空環(huán)境中，且電連接于高電壓的陰極，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面；
[0009]步驟4，多個磁控靶在與原玻璃的間隔距離不變的平面上做勻速運動。
[0010]優(yōu)選地，步驟I中，所述真空環(huán)境的壓強設置為02-0.5Pa。
[0011 ] 優(yōu)選地，在步驟2中，所述工藝氣體包括:02和N 2。
[0012]優(yōu)選地，在步驟2中，所述工藝氣體包括..Ar0
[0013]通過上述的實施方式，本發(fā)明的1w-E玻璃離線生產方法通過多個磁控靶在與原玻璃的間隔距離不變的平面上做勻速運動實現(xiàn)鍍氧化層的均勻，讓氧化層在鍍過膜的玻璃表面形成一層厚厚的保護，防止由于錯誤的接觸讓中間層被氧化。
[0014]本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的【具體實施方式】部分予以詳細說明。
【具體實施方式】
[0015]以下對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0016]本發(fā)明提供一種1w-E玻璃離線生產方法，該方法包括:
[0017]步驟I，將原玻璃豎直設置于壓強為0.1-0.6Pa區(qū)間的真空環(huán)境中；
[0018]步驟2，在所述真空環(huán)境中通入工藝氣體，并保持真空環(huán)境的壓強在0.1-0.6Pa區(qū)間之內；
[0019]步驟3，將磁控靶置于真空環(huán)境中，且電連接于高電壓的陰極，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面；
[0020]步驟4，多個磁控靶在與原玻璃的間隔距離不變的平面上做勻速運動。
[0021]通過上述的實施方式，本發(fā)明的1w-E玻璃離線生產方法通過多個磁控靶在與原玻璃的間隔距離不變的平面上做勻速運動實現(xiàn)鍍氧化層的均勻，讓氧化層在鍍過膜的玻璃表面形成一層厚厚的保護，防止由于錯誤的接觸讓中間層被氧化。上述中的真空環(huán)境壓強保持穩(wěn)定，對于本發(fā)明來說也可以讓鍍膜更加方便且穩(wěn)定，方便了鍍膜的操作。
[0022]在本發(fā)明的一種【具體實施方式】中，步驟I中，所述真空環(huán)境的壓強設置為
02-0.5Pa。在這個壓強下，本發(fā)明的鍍膜效果更好，更方便操作。
[0023]在本發(fā)明的一種【具體實施方式】中，在步驟2中，所述工藝氣體包括:02和N2。適量的02和N 2可以參與到本發(fā)明的反應過程中，且可以保證本發(fā)明的真空環(huán)境的真空度穩(wěn)定。
[0024]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，在步驟2中，所述工藝氣體包括..Ar0添加惰性氣體的目的在于保證真空環(huán)境的真空度穩(wěn)定。
[0025]以上詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術構思范圍內，可以對本發(fā)明的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0026]另外需要說明的是，在上述【具體實施方式】中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合，為了避免不必要的重復，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。
[0027]此外，本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本發(fā)明的思想，其同樣應當視為本發(fā)明所公開的內容。
【主權項】
1.一種1w-E玻璃離線生產方法，其特征在于，該方法包括: 步驟I，將原玻璃豎直設置于壓強為0.1-0.6Pa區(qū)間的真空環(huán)境中； 步驟2，在所述真空環(huán)境中通入工藝氣體，并保持真空環(huán)境的壓強在0.1-0.6Pa區(qū)間之內； 步驟3，將磁控靶置于真空環(huán)境中，且電連接于高電壓的陰極，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面； 步驟4，多個磁控靶在與原玻璃的間隔距離不變的平面上做勻速運動。2.根據(jù)權利要求1所述的1w-E玻璃離線生產方法，其特征在于，步驟I中，所述真空環(huán)境的壓強設置為02-0.5Pa。3.根據(jù)權利要求1所述的1w-E玻璃離線生產方法，其特征在于，在步驟2中，所述工藝氣體包括:o#pn2。4.根據(jù)權利要求1所述的1w-E玻璃離線生產方法，其特征在于，在步驟2中，所述工藝氣體包括:Ar。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種low-E玻璃離線生產方法，該方法包括：步驟1，將原玻璃豎直設置于壓強為0.1-0.6Pa區(qū)間的真空環(huán)境中；步驟2，在所述真空環(huán)境中通入工藝氣體，并保持真空環(huán)境的壓強在0.1-0.6Pa區(qū)間之內；步驟3，將磁控靶置于真空環(huán)境中，且電連接于高電壓的陰極，所述磁控靶朝向原玻璃的外表面；步驟4，多個磁控靶在與原玻璃的間隔距離不變的平面上做勻速運動。該low-E玻璃離線生產方法克服了現(xiàn)有技術中的玻璃表面很容易氧化的問題，實現(xiàn)了防氧化的處理。
【IPC分類】C03C17/245
【公開號】CN105084774
【申請?zhí)枴緾N201510467786
【發(fā)明人】薛輝, 昌江, 任俊春, 金海濤
【申請人】蕪湖真空科技有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年7月31日