玻璃加工方法、玻璃蝕刻液、及玻璃基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及玻璃加工方法、玻璃蝕刻液、及玻璃基板。
【背景技術(shù)】
[0002] 在智能手機等攜帶型電子設(shè)備中，作為觸摸面板的構(gòu)件、圖像顯示面板保護用的 外罩玻璃，使用了玻璃基板。
[0003] W往，作為此種玻璃基板的加工方法一般為物理方法，然而在加工時容易形成裂 紋，從而存在有強度降低、成品率惡化的問題。
[0004] 因而，近年將來，提出了通過在玻璃基板上形成所需形狀的抗蝕劑圖案、m亥抗蝕 劑圖案為掩模蝕刻玻璃基板，由此得到所需形狀的玻璃基板的方法（例如參照專利文獻 1)。根據(jù)此種化學(xué)方法，由于在加工時不會施加物理的負荷，因此不易形成裂紋。另外，與 物理方法不同，也可W對玻璃基板進行麥克或揚聲器用的開孔加工。
[O(K)日]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1 :日本特開2009 - 167086號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 發(fā)明所要解決的問題
[0009] 然而，W往的借助蝕刻的玻璃加工方法中，如圖2所示，為了從玻璃基板101的相 向的主表面111及112各向同性地進行蝕刻，端面113形成為具有朝向玻璃基板101的面方 向外側(cè)突出的頂部、并且上述頂部的頂端位于玻璃基板101的面方向的最外側(cè)的形狀。如 果上述頂部的頂端位于玻璃基板101的面方向的最外側(cè)，則難W提高玻璃基板101的尺寸 穩(wěn)定性，另外，上述頂部的機械強度容易降低。
[0010] 本發(fā)明是鑒于上述的狀況而完成的，其目的在于，提供可W按照在玻璃基板的端 部使朝向玻璃基板的面方向外側(cè)突出的頂部的頂端不位于玻璃基板的面方向的最外側(cè)的 方式加工玻璃基板的玻璃加工方法、玻璃蝕刻液、及玻璃基板。
[0011] 用于解決問題的方法
[0012] 本發(fā)明人等為了解決上述問題反復(fù)進行了深入研究。其結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)通過分為2 個工序來進行玻璃基板的蝕刻，并在各工序中使用特定的蝕刻液，由此可W解決上述問題， 從而完成了本發(fā)明。具體而言，本發(fā)明提供W下的內(nèi)容。
[0013] 本發(fā)明的第一方式為一種玻璃加工方法，包括：第一玻璃蝕刻工序，使用含有氨 氣酸0. 5~20質(zhì)量％、硝酸5. 0~25. 0質(zhì)量％、和氨氣酸及硝酸W外的無機酸0. 5~10 質(zhì)量％的第一玻璃蝕刻液，對在一對主平面上具有相同圖案的蝕刻掩模的玻璃基板進行蝕 亥IJ;和第二玻璃蝕刻工序，使用含有氨氣酸0. 5~20質(zhì)量％、和硫酸10. 0~50. 0質(zhì)量％的 第二玻璃蝕刻液，對在上述第一玻璃蝕刻工序中被蝕刻了的上述玻璃基板進行蝕刻。
[0014] 本發(fā)明的第二方式為一種玻璃蝕刻液，其為上述玻璃加工方法中的上述第一玻璃 蝕刻工序中所使用的玻璃蝕刻液，其含有氨氣酸0. 5~20質(zhì)量％、硝酸5. O~25. O質(zhì)量％、 和氨氣酸及硝酸W外的無機酸0. 5~10質(zhì)量％。
[0015] 本發(fā)明的第=方式為一種利用上述玻璃加工方法加工而成的玻璃基板。
[0016] 本發(fā)明的第四方式為一種玻璃基板，是具有一對主表面、和與所述一對主表面大 致垂直的端面的玻璃基板，
[0017] 上述端面具有從上述一對主表面朝向上述玻璃基板的面方向外側(cè)隆起的一對隆 起部、位于上述一對隆起部之間且朝向上述玻璃基板的面方向內(nèi)側(cè)凹陷的凹陷部、和位于 上述凹陷部的中央且朝向上述玻璃基板的面方向外側(cè)突出的頂部，上述一對隆起部的公共 切線與上述頂部的頂端的距離為Omm W下，其中，在上述頂部的頂端與上述公共切線相比 位于上述玻璃基板的面方向外側(cè)時，將上述距離的符號設(shè)為正，在上述頂部的頂端與上述 公共切線相比位于上述玻璃基板的面方向內(nèi)側(cè)時，將上述距離的符號設(shè)為負。
[0018] 發(fā)明的效果
[0019] 根據(jù)本發(fā)明，可W提供能夠按照在玻璃基板的端部使朝向玻璃基板的面方向外側(cè) 突出的頂部的頂端不位于玻璃基板的面方向的最外側(cè)的方式加工玻璃基板的玻璃加工方 法、玻璃蝕刻液、及玻璃基板。
【附圖說明】
[0020] 圖1是表示本發(fā)明的實施方式的玻璃基板的一部分的圖。
[0021] 圖2是表示利用W往的借助蝕刻的玻璃加工方法加工而成的玻璃基板的一部分 的圖。
【具體實施方式】
[0022] <玻璃基板>
[0023] 參照圖1，對本發(fā)明的玻璃基板進行說明。
[0024] 圖1是表示本發(fā)明的實施方式的玻璃基板的一部分的圖。圖1所示的玻璃基板1 具有一對主表面11及12、和與一對主表面11及12大致垂直的端面13。端面13具有從一 對主表面11及12朝向玻璃基板1的面方向外側(cè)隆起的一對隆起部14及15、位于一對隆起 部14及15之間且朝向玻璃基板1的面方向內(nèi)側(cè)凹陷的凹陷部16、和位于凹陷部16的中央 且朝向玻璃基板1的面方向外側(cè)突出的頂部17。一對隆起部14及15的公共切線18與頂 部17的頂端的距離d為Omm W下。其中，在頂部17的頂端與公共切線18相比位于玻璃基 板1的面方向外側(cè)時，將距離d的符號設(shè)為正，在頂部17的頂端與公共切線18相比位于玻 璃基板1的面方向內(nèi)側(cè)時，將距離d的符號設(shè)為負。圖1中，由于頂部17的頂端與公共切 線18相比位于玻璃基板1的面方向內(nèi)側(cè)，因此距離d的符號為負。 陽0巧]玻璃基板1中，一對隆起部14及15位于玻璃基板1的面方向的最外側(cè)，頂部17 的頂端沒有位于玻璃基板1的面方向的最外側(cè)。因此，玻璃基板1的尺寸穩(wěn)定性容易提高， 另外，頂部17的機械強度不易降低。
[0026] 在隆起部14與隆起部15之間，玻璃基板1在面方向上的高度既可W相同也可W 不同。需要說明的是，上述高度在圖1中相同。
[0027] 所謂"端面13與一對主表面11及12大致垂直"是指公共切線18與主表面11或 12所成的角為70~110°。公共切線18與主表面11或12所成的角優(yōu)選為80~100°， 更優(yōu)選為85~95。。
[0028] 一對隆起部14及15的公共切線18與頂部17的頂端的距離d為Omm W下。只要 距離d為Omm W下，則距離d的下限沒有特別限定，然而距離d的絕對值優(yōu)選為玻璃基板1 的厚度W下。例如，在玻璃基板1的厚度為0. 7mm的情況下，距離d優(yōu)選為一0. 7mm~0mm， 更優(yōu)選為一0. 3mm~0mm。如果距離d的絕對值為玻璃基板1的厚度W下，則端面13的機 械強度不易降低。
[0029] 優(yōu)選為：玻璃基板1是通過對板狀的玻璃基材從其兩個主表面進行蝕刻從而裁切 為所需的形狀而成的，該玻璃基板1具有一對主表面11及12、和通過蝕刻裁切上述玻璃基 材而形成且與一對主表面11及12大致垂直的端面13。
[0030] 依照JIS B 0601測定的玻璃基板1的端面的表面粗糖度W算術(shù)平均粗糖度Ra計 優(yōu)選為3.8 ym W下，更優(yōu)選為3. Sym W下，進一步優(yōu)選為2. Oym W下。如果W算術(shù)平均 粗糖度Ra表示的上述表面粗糖度為3. 5 y m W下，則容易使得玻璃基板1的端面的平滑性 優(yōu)異。需要說明的是，上述表面粗糖度的下限沒有特別限定，然而在實用上W算術(shù)平均粗糖 度Ra計為0. 1皿W上。
[0031] 玻璃基板1只要是可W得到圖1中所示的形狀，則無論用何種玻璃加工方法制造 均可，例如可W利用本發(fā)明的玻璃加工方法制造。玻璃基板1既包含利用本發(fā)明的玻璃加 工方法加工而成的玻璃基板，也包含利用其他的玻璃加工方法加工而成的玻璃基板。對于 本發(fā)明的玻璃加工方法將在后面敘述。
[0032] <玻璃加工方法>
[0033] 本發(fā)明的玻璃加工方法包括：第一玻璃蝕刻工序，使用含有氨氣酸0. 5~20質(zhì) 量％、硝酸5. 0~25. 0質(zhì)量％、和氨氣酸及硝酸W外的無機酸0. 5~10質(zhì)量％的第一玻璃 蝕刻液，對在一對主平面上具有相同圖案的蝕刻掩模的玻璃基板進行蝕刻；和第二玻璃蝕 刻工序，使用含有氨氣酸0. 5~20質(zhì)量％、和硫酸10. 0~50. 0質(zhì)量％的第二玻璃蝕刻液， 對在上述第一玻璃蝕刻工序中被蝕刻的上述玻璃基板進行蝕刻。
[0034] 利用本發(fā)明的玻璃加工方法，可W得到本發(fā)明的玻璃基板。第一玻璃蝕刻工序中， 考慮與圖2同樣地形成如下的端面，即，在具有朝向玻璃基板的面方向外側(cè)突出的頂部、并 且具有上述頂部的頂端位于玻璃基板的面方向的最外側(cè)的形狀的同時，將上述頂部的在玻 璃基板的面方向上的高度進一步抑制在較低水平的端面。第二玻璃蝕刻工序中，考慮尤其 是進行上述頂部周邊的蝕刻，最終形成具有圖1中所示的形狀的端面。
[0035] 需要說明的是，在第一及第二玻璃蝕刻工序中，作為蝕刻速度，沒有特別限定，可 W適當(dāng)?shù)卣{(diào)整，然而例如可W舉出1~20 y m/分鐘。另外，在第一及第二玻璃蝕刻工序中， 作為蝕刻溫度，沒有特別限定，可W適當(dāng)?shù)卣{(diào)整，然而例如可W舉出10~60°C。