適用于冶煉金屬硅的透氣元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明冶煉領(lǐng)域,特別涉及一種適用于冶煉金屬硅的透氣元件。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前冶煉金屬硅吹氧脫鈣、鋁普遍采用老辦法,即,在包底預(yù)埋幾根銅管,再用澆 注料填充密實(shí),雖然吹通效果好,翻騰劇烈,但是存在較多缺陷:⑴銅管內(nèi)徑粗,液體硅容易 滲穿,產(chǎn)生安全事故及損失;⑵現(xiàn)場填充的澆注料未經(jīng)高溫處理,強(qiáng)度低,不耐沖刷,使用壽 命低,需頻繁更換;⑶制作麻煩,工人勞動強(qiáng)度大,人工成本高。
[0003] 為了提升產(chǎn)品的使用壽命,個別廠家采用了煉鋼用的狹縫式透氣磚,雖然抗蝕損 性能得到了提升,但是吹成效果差,隨著使用壽命的增加,狹縫逐漸變薄或堵塞,透氣量降 低,無法滿足冶煉要求,而且有時還會出現(xiàn)斷裂現(xiàn)象。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明的目的之一就在于提供一種適用于冶煉金屬硅的透氣元件,該透氣元件使 得冶煉金屬硅的金屬硅的純度提高1 %以上。
[0005] 技術(shù)方案是:一種適用于冶煉金屬娃的透氣元件,該透氣元件包括透氣座磚、透氣 芯、鋼座、氧氣吹氣管和氣腔體,透氣芯設(shè)置在透氣座磚內(nèi),鋼座設(shè)置在透氣芯下方,氣腔體 設(shè)置在鋼座與透氣芯之間,氧氣吹氣管一端伸入氣腔體內(nèi),另一端伸出到透氣座磚底部外。
[0006] 作為優(yōu)選,所述透氣芯縱向截面為梯形。
[0007] 作為優(yōu)選,所述透氣芯內(nèi)縱向均勻設(shè)置有透氣圓形通道。
[0008] 作為優(yōu)選,所述透氣圓形通道孔徑為l_3mm和/或所述透氣圓形通道錐度為0.03- 0.06〇
[0009] 作為優(yōu)選,所述相鄰兩根透氣圓形通道之間的距離為8-20mm。
[0010] 作為優(yōu)選,所述相鄰兩根透氣圓形通道之間的距離為10-15mm。
[0011] 作為優(yōu)選,所述透氣芯由60-70%A1203 2 97%的燒結(jié)剛玉和10-20%鋁鎂尖晶 石、4-10 %鋁微粉、3-10 %純鋁酸鈣水泥混合后燒結(jié)而成。
[0012] 本發(fā)明的目的之二在于提供一種冶煉金屬硅精煉包。
[0013] 技術(shù)方案是:一種冶煉金屬硅精煉包,包括高鋁磚體、透氣元件和直流澆注料體, 透氣元件和直流澆注料體設(shè)置在高鋁磚體底部,直流澆注料體設(shè)置在透氣元件四周,其特 征在于:所述透氣元件為上述的透氣元件。
[0014] 作為優(yōu)選,所述透氣元件制作好后,安裝在高鋁磚體底部底部,然后澆注直流澆注 料形成直流澆注料體。
[0015] 本發(fā)明的目的之二在于提供一種冶煉金屬硅的方法,該方法采用上述的透氣元 件。
[0016] 技術(shù)方案是:一種冶煉金屬硅的方法,。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果在于:
[0018] ⑴本發(fā)明通過設(shè)計合理的透氣通道,控制液體硅的下滲深度,因此避免了滲漏事 故;
[0019] ⑵透氣座磚由高純剛玉和多種微粉混合后燒結(jié)而成,經(jīng)過高溫處理,強(qiáng)度高,抗蝕 損性能好,因此解決低壽命問題;
[0020] ⑶透氣量大,吹成效果好;體積穩(wěn)定,透氣孔徑不容易變形,透氣量的保持效果好; 透氣孔徑的厚度在一定范圍以內(nèi),受液體硅靜壓力的作用,即使不吹氣,也不會發(fā)生穿透事 故,安全性能高;
[0021 ]⑷透氣孔徑分布科學(xué),吹氣時,產(chǎn)品內(nèi)部產(chǎn)生的拉應(yīng)力小,不容易斷裂;
[0022] (5)采用高純剛玉和多種微粉復(fù)合而成的產(chǎn)品,經(jīng)高溫處理后的抗蝕損性能強(qiáng),使 用壽命長;
[0023] (6)安裝、操作方便。
【附圖說明】
[0024] 圖1是本發(fā)明冶煉金屬硅精煉包結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025] 圖2是本發(fā)明透氣元件結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026] 下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0027] 如圖1所示,一種冶煉金屬硅精煉包,包括高鋁磚體1、透氣元件2和直流澆注料體 3,透氣元件2和直流澆注料體3設(shè)置在高鋁磚體1底部,直流澆注料體3設(shè)置在透氣元件2四 周。
[0028] 透氣元件2如圖2所示,包括透氣座磚21、透氣芯22、鋼座23、氧氣吹氣管24和氣腔 體25,透氣芯22設(shè)置在透氣座磚21內(nèi),鋼座23設(shè)置在透氣芯22下方,氣腔體25設(shè)置在鋼座23 與透氣芯22之間,氧氣吹氣管一端伸入氣腔體25內(nèi),另一端伸出到透氣座磚21底部外。
[0029] 透氣芯22縱向截面為梯形,透氣芯22內(nèi)縱向均勻設(shè)置有錐度為0.03-0.06的透氣 圓形通道26,透氣圓形通道26孔徑為l-3mm,相鄰兩根透氣圓形通道26之間的距離為8-20mm,10_15mm最佳。在10_15mm時,當(dāng)通氧氣時,氧氣順著每個孔道均勾地注入罐內(nèi),形成氣 泡,分散到液體硅中,部分氧氣與鈣、鋁等雜質(zhì)反應(yīng)形成氧化鈣和氧化鋁,反應(yīng)物隨著氣包 上浮排除,從而提高了金屬硅的純度,因此排渣效果好,使金屬硅的純度提高1%以上。而且 由于孔徑在l-3mm之間,若停止吹氣,液體硅在毛細(xì)作用下下滲深度有限,不會穿透燒壞設(shè) 備。
[0030] 透氣芯22由60-70%A1203 2 97%的燒結(jié)剛玉和10-20%鋁鎂尖晶石、4-10%鋁微 粉、3-10%純鋁酸鈣水泥混合后燒結(jié)而成,經(jīng)高溫處理后高溫強(qiáng)度大,耐液體硅的沖刷能力 強(qiáng),蝕損慢,使用壽命長。
[0031] 本發(fā)明透氣元件2在工廠制作好后,運(yùn)輸?shù)揭睙捊饘俟枭a(chǎn)線,安裝在冶煉金屬硅 精煉包上就可以使用,降低了工人勞動強(qiáng)度和人工成本。
[0032]由于透氣圓形通道26是圓孔的,在多次使用燒結(jié)中,即使產(chǎn)品發(fā)生體積膨脹也不 會造成孔道大幅度地變小或者閉合,所以不會影響透氣效果
[0033]將本發(fā)明透氣元件2安裝在冶煉金屬硅精煉包上,與同樣的安裝有銅管或狹縫式 透氣磚的相比,結(jié)果見表一:
[0034]表一
【主權(quán)項】
1. 一種適用于冶煉金屬娃的透氣元件,其特征在于:該透氣元件包括透氣座磚、透氣 芯、鋼座、氧氣吹氣管和氣腔體,透氣芯設(shè)置在透氣座磚內(nèi),鋼座設(shè)置在透氣芯下方,氣腔體 設(shè)置在鋼座與透氣芯之間,氧氣吹氣管一端伸入氣腔體內(nèi),另一端伸出到透氣座磚底部外。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于冶煉金屬硅的透氣元件,其特征在于:所述透氣芯縱向 截面為梯形。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2任一權(quán)利要求所述的適用于冶煉金屬硅的透氣元件,其特征在 于:所述透氣芯內(nèi)縱向均勻設(shè)置有透氣圓形通道。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于冶煉金屬硅的透氣元件,其特征在于:所述透氣圓形通 道孔徑為1-3mm和/或所述透氣圓形通道錐度為0.03-0.06。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于冶煉金屬硅的透氣元件,其特征在于:所述相鄰兩根透 氣圓形通道之間的距離為8-20mm。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的適用于冶煉金屬硅的透氣元件,其特征在于:所述相鄰兩根透 氣圓形通道之間的距離為10-15mm。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6任一權(quán)利要求所述的適用于冶煉金屬硅的透氣元件,其特征在于: 所述透氣芯由60-70%A1203 2 97%的燒結(jié)剛玉和10-20%鋁鎂尖晶石、4-10%鋁微粉、3-10 %純鋁酸鈣水泥混合后燒結(jié)而成。8. -種冶煉金屬硅精煉包,包括高鋁磚體、透氣元件和直流澆注料體,透氣元件和直流 澆注料體設(shè)置在高鋁磚體底部,直流澆注料體設(shè)置在透氣元件四周,其特征在于:所述透氣 元件為權(quán)利要求1-7所述的任一權(quán)利要求所述的透氣元件。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的冶煉金屬硅精煉包,其特征在于:所述透氣元件制作好后,安 裝在高鋁磚體底部底部,然后澆注直流澆注料形成直流澆注料體。10. -種冶煉金屬硅的方法,其特征在于:該方法采用權(quán)利要求1-7任一權(quán)利要求所述 的透氣元件。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種適用于冶煉金屬硅的透氣元件,該透氣元件包括透氣座磚、透氣芯、鋼座、氧氣吹氣管和氣腔體,透氣芯設(shè)置在透氣座磚內(nèi),鋼座設(shè)置在透氣芯下方,氣腔體設(shè)置在鋼座與透氣芯之間,氧氣吹氣管一端伸入氣腔體內(nèi),另一端伸出到透氣座磚底部外。與現(xiàn)有的相比,本發(fā)明使得冶煉金屬硅的金屬硅的純度提高1%以上。
【IPC分類】C04B35/10, C01B33/021, C04B35/66
【公開號】CN105502406
【申請?zhí)枴緾N201610027902
【發(fā)明人】陳奇龍, 錢學(xué)義, 熊偉, 徐久林
【申請人】成都府天高溫材料科技有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2016年1月15日