一種氧化釹納米線的制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及稀有金屬材料制備技術領域，具體涉及一種氧化釹納米線的制備方法。
【背景技術】
[0002]自1991年發(fā)現碳納米管以來，納米結構材料(納米管、納米線、納米纖維、納米柱、納米帶、納米絲等)由于其獨特的物理化學性質以及在微電子器件、光學器件等方面的潛在應用而倍受關注。制備一維納米結構材料的方法有很多，如:電弧法、催化熱解法、激光燒蝕法、化學氣相沉積法、分子束外延法、模板合成法等。由于模板具有限域能力，可以調控所制備一維材料的尺寸及形狀，因此模板法已經迅速發(fā)展成為制備一維納米結構材料的一種重要方法。常用的模板有多孔陽極氧化鋁模板、多孔硅、多孔玻璃、生物分子模板、徑跡蝕刻聚合物模板、碳納米管模板等。其中多孔陽極氧化鋁模板由于具有孔隙率高、取向一致、孔密度高、耐高溫、絕緣性好，孔徑、孔深可通過制備條件調控，制備的納米管或納米線易從孔中分離出來等優(yōu)點，成為了模板法研究的重要方向。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明旨在提出一種一種氧化釹納米線的制備方法。
[0004]本發(fā)明的技術方案在于:
一種氧化釹納米線的制備方法，采用如下步驟:
步驟1:陽極氧化鋁模板的制備:
清洗去除鋁箔表面氧化層；在CUS04的三酸溶液中進行化學拋光，進行一次陽極氧化，在60°(:的H3POjP H2CrO4-合液中浸泡1h去除一次陽極氧化鋁膜；二次陽極氧化如上，時間為4ho
[0005]將經過二次陽極氧化之后的鋁片化學腐蝕去除剩余鋁基；然后在30°C、0.3mol /L的H3PO4中浸泡lh，洗滌干燥后，得到陽極氧化鋁模板。
[0006]步驟2:氧化釹納米線陣列的制備:
將氧化釹溶于硝酸中，制備出0.0lmol / L硝酸釹溶液，用氨水調節(jié)溶液pH值為7，加入尿素，攪拌后得到硝酸釹溶液；將陽極氧化鋁模板浸硝酸釹溶液中，浸泡時間為70h ;然后取出模板在空氣中自然干燥；干燥后的模板在電阻爐中以900°C的溫度下保溫2h ;表面研磨拋光，然后置于lmol / L NaOH溶液中腐蝕150 S，除去部分氧化鋁模板；洗滌干燥后置于I mol / L NaOH溶液中30 min，使氧化鋁模板全部溶解，分離洗滌處理后得到氧化釹納米線陣列。
[0007]優(yōu)選地，所述的鋁箔純度為99.99%，厚度為0.4mm。
[0008]優(yōu)選地，所述的清洗去除鋁箔表面氧化層采用0.24mol/L NaOH溶液。
[0009]優(yōu)選地，所述的陽極氧化其陰極采用碳電極，陽極為鋁箔，陽極氧化在0.3mol/L草酸電解液中進行，時間為lh。
[0010]優(yōu)選地，所述的CuS04的三酸溶液的體積比為HNO3 (65 % -68 % ):H2SO4(95% -98% ):H3P04{85% )=10:15:75。
[0011]或者優(yōu)選地，所述的加入的調節(jié)釹和尿素的摩爾比為1:20。
[0012]或者優(yōu)選地，所述的化學腐蝕去除剩余鋁基采用飽和氯化銅溶液。
[0013]本發(fā)明的技術效果在于:
本發(fā)明操作簡單，易于推廣。
【具體實施方式】
[0014]—種氧化釹納米線的制備方法，采用如下步驟:
步驟1:陽極氧化鋁模板的制備:
清洗去除鋁箔表面氧化層；在CuS04的三酸溶液中進行化學拋光，進行一次陽極氧化，在60°(:的H3POjP H2CrO4-合液中浸泡1h去除一次陽極氧化鋁膜；二次陽極氧化如上，時間為4ho
[0015]將經過二次陽極氧化之后的鋁片化學腐蝕去除剩余鋁基；然后在30°C、0.3mol /L的H3PO4中浸泡lh，洗滌干燥后，得到陽極氧化鋁模板。
[0016]步驟2:氧化釹納米線陣列的制備:
將氧化釹溶于硝酸中，制備出0.0lmol / L硝酸釹溶液，用氨水調節(jié)溶液pH值為7，加入尿素，攪拌后得到硝酸釹溶液；將陽極氧化鋁模板浸硝酸釹溶液中，浸泡時間為70h ;然后取出模板在空氣中自然干燥；干燥后的模板在電阻爐中以900°C的溫度下保溫2h ;表面研磨拋光，然后置于lmol / L NaOH溶液中腐蝕150 S，除去部分氧化鋁模板；洗滌干燥后置于I mol / L NaOH溶液中30 min，使氧化鋁模板全部溶解，分離洗滌處理后得到氧化釹納米線陣列。
[0017]其中，鋁箔純度為99.99 %，厚度為0.4mm。清洗去除鋁箔表面氧化層采用
0.24mol/L NaOH溶液。陽極氧化其陰極采用碳電極，陽極為鋁箔，陽極氧化在0.3mol/L草酸電解液中進行，時間為lh。CuS04的三酸溶液的體積比為HN03(65 % -68 % ):H2SO4(95% -98% ):H3P04{85% )=10:15:75。加入的調節(jié)釹和尿素的摩爾比為1:20?；瘜W腐蝕去除剩余鋁基采用飽和氯化銅溶液。
【主權項】
1.一種氧化釹納米線的制備方法，其特征在于:采用如下步驟: 步驟1:陽極氧化鋁模板的制備: 清洗去除鋁箔表面氧化層；在CUS04的三酸溶液中進行化學拋光，進行一次陽極氧化，在60°(:的H3POjP H2CrO4-合液中浸泡1h去除一次陽極氧化鋁膜；二次陽極氧化如上，時間為4h ； 將經過二次陽極氧化之后的鋁片化學腐蝕去除剩余鋁基；然后在30°C、0.3mol / L的H3PO4中浸泡lh，洗滌干燥后，得到陽極氧化鋁模板； 步驟2:氧化釹納米線陣列的制備: 將氧化釹溶于硝酸中，制備出0.0lmol / L硝酸釹溶液，用氨水調節(jié)溶液pH值為7，加入尿素，攪拌后得到硝酸釹溶液；將陽極氧化鋁模板浸硝酸釹溶液中，浸泡時間為70h ;然后取出模板在空氣中自然干燥；干燥后的模板在電阻爐中以900°C的溫度下保溫2h ;表面研磨拋光，然后置于lmol / L NaOH溶液中腐蝕150 S，除去部分氧化鋁模板；洗滌干燥后置于I mol / L NaOH溶液中30 min，使氧化鋁模板全部溶解，分離洗滌處理后得到氧化釹納米線陣列。2.如權利要求1一種氧化釹納米線的制備方法，其特征在于:所述的鋁箔純度為99.99 %，厚度為 0.4mm。3.如權利要求1一種氧化釹納米線的制備方法，其特征在于:所述的清洗去除鋁箔表面氧化層采用0.24mol/L NaOH溶液。4.如權利要求1一種氧化釹納米線的制備方法，其特征在于:所述的陽極氧化其陰極采用碳電極，陽極為鋁箔，陽極氧化在0.3mol/L草酸電解液中進行，時間為lh。5.如權利要求1一種氧化釹納米線的制備方法，其特征在于:所述的CuS04的三酸溶液的體積比為 HNO3(65% -68% ) -H2SO4(95% -98% ):H3P04{85% )=10:15:75。6.如權利要求1一種氧化釹納米線的制備方法，其特征在于:所述的加入的調節(jié)釹和尿素的摩爾比為1:20。7.如權利要求1一種氧化釹納米線的制備方法，其特征在于:所述的化學腐蝕去除剩余鋁基采用飽和氯化銅溶液。
【專利摘要】本發(fā)明涉及稀有金屬材料制備技術領域，具體涉及一種氧化釹納米線的制備方法。一種氧化釹納米線的制備方法，清洗去除鋁箔表面氧化層；進行化學拋光，進行二次陽極氧化；將經過二次陽極氧化之后的鋁片化學腐蝕去除剩余鋁基；然后在H3P04中浸泡1h，洗滌干燥后，得到陽極氧化鋁模板。將氧化釹溶于硝酸中，制備出硝酸釹溶液，調節(jié)溶液pH值為7，加入尿素，得到硝酸釹溶液；將陽極氧化鋁模板浸硝酸釹溶液中，在空氣中干燥；電阻爐中以保溫；表面研磨拋光，然后置于lmol／L？NaOH溶液中腐蝕150？s，除去部分氧化鋁模板；洗滌干燥后置于1？mol／L？NaOH溶液中30？min，使氧化鋁模板全部溶解，分離洗滌處理后得到氧化釹納米線陣列。本發(fā)明操作簡單，易于推廣。
【IPC分類】B82Y30/00, C01F17/00
【公開號】CN105523577
【申請?zhí)枴緾N201510763282
【發(fā)明人】王耀斌
【申請人】陜西盛邁石油有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2015年11月11日