發(fā)明累計(jì)生長(zhǎng)I OOOOum后的溫度場(chǎng)分布圖；
[0021]圖5為用原有標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備在設(shè)備預(yù)防性維護(hù)后和連續(xù)生長(zhǎng)1000um后的本征SRP對(duì)比圖；
[0022]圖6為本發(fā)明設(shè)備預(yù)防性維護(hù)后和連續(xù)生長(zhǎng)1000um后的本征SRP對(duì)比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
[0024]實(shí)施例1
[0025](I)將反應(yīng)腔體的溫度升到1190°C，經(jīng)主進(jìn)氣口通入高純HCl氣體(載氣流量為1slm)，副進(jìn)氣口通入H2和HCl混合氣體(流量為5slm，HCl =H2 = 1: 2)，對(duì)整個(gè)反應(yīng)腔室進(jìn)行凈化清洗，除去反應(yīng)腔室內(nèi)部吸附的雜質(zhì)。清洗完畢后，溫度降低到680°C。在降溫過程中，主進(jìn)氣口載氣流量為40s Im，副進(jìn)氣口的流量為20s lm(HCl: H2 = O:1)。
[0026](2)將一片離子注入片傳入到腔室，以lOTVsec的升溫速率，將溫度升到1180°C，并在該溫度保溫3min.然后溫度降低到680°C取出離子注入片，測(cè)試離子注入片的電阻率分布，同時(shí)把離子注入片的電阻率分布根據(jù)轉(zhuǎn)換關(guān)系公式轉(zhuǎn)換成溫度分布。此步驟中，主進(jìn)氣口的載氣流量為40slm，副進(jìn)氣口H2和HCl混合氣體流量為1slm JHCl=H2 = O:1)
[0027]重復(fù)一次步驟(I);
[0028](3)將一片摻Sb的襯底片傳入到腔室，以10°C/sec的升溫速率，將溫度升到1130°C，并通入反應(yīng)氣體SiHCl3,以3.5um/min的生長(zhǎng)速率生長(zhǎng)出厚度約40um的本征硅層。然后溫度降低到680°C取出硅片，并用SRP測(cè)試本征層的電阻率。此步驟中，主進(jìn)氣口的載氣流量為40slm，副進(jìn)氣口H2和HCl混合氣體流量為1slm JHCl=H2 = O:1)。
[0029]該反應(yīng)腔室累計(jì)生長(zhǎng)1000um后，重復(fù)步驟(1)-(3)。
[0030]對(duì)比設(shè)備預(yù)防性維護(hù)后和設(shè)備累計(jì)生長(zhǎng)1000um后的本征電阻率和溫度場(chǎng)分布可以看出，經(jīng)過連續(xù)生長(zhǎng)后，本征電阻率基本沒有變化(如圖6所示)，表明背景雜質(zhì)基本無增加;溫度場(chǎng)的溫度差也基本沒有變化(如圖4所示)。
[0031]對(duì)比例I
[0032](I)將反應(yīng)腔體的溫度升到1190°C，經(jīng)主進(jìn)氣口通入高純HCl氣體(載氣流量為1slm)，輔進(jìn)氣口通入H2(流量為5slm)，對(duì)整個(gè)反應(yīng)腔室進(jìn)行凈化清洗，除去反應(yīng)腔室內(nèi)部吸附的雜質(zhì)。清洗完畢后，溫度降低到680°C。在降溫過程中，主進(jìn)氣口載氣流量為40slm，副進(jìn)氣口的流量為lOslm。
[0033](2)將一片離子注入片傳入到腔室，以lOTVsec的升溫速率，將溫度升到1180°C，并在該溫度保溫3min.然后溫度降低到680°C取出離子注入片，測(cè)試離子注入片的電阻率分布，同時(shí)把離子注入片的電阻率分布根據(jù)轉(zhuǎn)換關(guān)系公式轉(zhuǎn)換成溫度分布。此步驟中，主進(jìn)氣口的載氣流量為40sIm，輔進(jìn)氣口H2流量為lOslm。
[0034]重復(fù)一次步驟(I);
[0035](3)將一片摻Sb的襯底片傳入到腔室，以10°C/sec的升溫速率，將溫度升到1130°C，并通入反應(yīng)氣體SiHCl3，以3.5um/min的生長(zhǎng)速率生長(zhǎng)出厚度約40um的本征硅層.然后溫度降低到680°C取出硅片，并用SRP測(cè)試本征層的電阻率.此步驟中，主進(jìn)氣口的載氣流量為40slm，輔進(jìn)氣口 H2流量為lOslm。
[0036]該反應(yīng)腔室累計(jì)生長(zhǎng)1000um后，重復(fù)步驟(1)-(3)。
[0037]對(duì)比設(shè)備預(yù)防性維護(hù)后和設(shè)備累計(jì)生長(zhǎng)1000um后的本征電阻率和溫度場(chǎng)分布可以看出，經(jīng)過連續(xù)生長(zhǎng)后，本征電阻從800ohm.cm下降到450ohm.cm(如圖5所示)，表明背景雜質(zhì)大幅增加;溫度場(chǎng)的溫度差從5°C增加到16°C(如圖3所示)。
[0038]對(duì)比實(shí)施例1和對(duì)比例I的結(jié)果可以看出，使用改造后設(shè)備腔體和氣路設(shè)計(jì)，并采用新的工藝方法可有效的抑制背景雜質(zhì)的增加，提升溫度場(chǎng)的均勻性和穩(wěn)定性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種原位清洗200mm-300mm外延設(shè)備基座背面的方法，包括: 在副進(jìn)氣口設(shè)置HCVH2混合器，HCl和H2預(yù)先混合后通入反應(yīng)腔室，控制外延生長(zhǎng)時(shí)和反應(yīng)腔室清洗時(shí)通入的HCl和出的混合比例，具體控制過程如下:外延生長(zhǎng)時(shí)通入的HCl和H2的體積比為O:1，反應(yīng)腔室清洗時(shí)通入的HCMPH2的體積比為1:0.5-1:10。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位清洗200mm-300mm外延設(shè)備基座背面的方法，其特征在于:所述外延生長(zhǎng)時(shí)反應(yīng)腔室的溫度為1120-1130°C，主進(jìn)氣口的氣體流量為35slm-55slm，副進(jìn)氣口的氣體流量為5slm-20slm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原位清洗200mm-300mm外延設(shè)備基座背面的方法，其特征在于:所述清洗時(shí)反應(yīng)腔室的溫度為1150-1190°(:，主進(jìn)氣口的氣體流量為1081111-2581111，副進(jìn)氣口的氣體流量為5slm_10slm。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種原位清洗200mm-300mm外延設(shè)備基座背面的方法，其特征在于:清洗后反應(yīng)腔室的溫度降至680-850°C，副進(jìn)氣口的氣體流量增大至20slm-30slm。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種原位清洗200mm-300mm外延設(shè)備基座背面的方法，包括：在副進(jìn)氣口設(shè)置HCl/H2混合器，HCl和H2預(yù)先混合后通入反應(yīng)腔室，控制外延生長(zhǎng)時(shí)和反應(yīng)腔室清洗時(shí)通入的HCl和H2的混合比例。本發(fā)明使得沉積在預(yù)熱環(huán)和基座背面的硅和吸附的摻雜劑雜質(zhì)得到了有效的清洗，可有效地抑制背景雜質(zhì)的增加并提高基座上溫度場(chǎng)的均勻性和穩(wěn)定性，從而提升200mm-300mm硅外延片質(zhì)量及其穩(wěn)定性。
【IPC分類】C30B29/06, C30B25/02
【公開號(hào)】CN105671631
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610082473
【發(fā)明人】王震, 梁興勃, 陳華, 李慎重, 鄔幸福, 楊勝聰, 王振波, 田達(dá)淅
【申請(qǐng)人】浙江金瑞泓科技股份有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年2月5日