一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法和裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法和裝置，所述方法在半導(dǎo)體材料外延生長初期，通過飛秒激光在線制備圖形化襯底；在半導(dǎo)體材料外延生長過程中，通過飛秒激光改變生長原子的動(dòng)力學(xué)特性，提高生長原子的表面遷移距離，并通過飛秒激光在局部產(chǎn)生等離子體，可實(shí)現(xiàn)局部量子點(diǎn)定位生長；在半導(dǎo)體材料外延生長摻雜工藝過程中，通過飛秒激光與摻雜原子直接作用，提高摻雜原子的活性，可實(shí)現(xiàn)更高效率的摻雜；此外，根據(jù)飛秒激光在生長表面的吸收和反射光強(qiáng)和光譜，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體材料外延生長過程在線和實(shí)時(shí)檢測(cè)。本發(fā)明將飛秒激光引入到半導(dǎo)體材料外延生長過程中，對(duì)于半導(dǎo)體材料外延生長質(zhì)量和摻雜效率的提高具有重大意義。
【專利說明】
一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法和裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說，是涉及一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近些年來，半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展十分迅速，半導(dǎo)體器件性能的發(fā)展越來越多的受到半導(dǎo)體材料質(zhì)量的約束，高質(zhì)量材料制備技術(shù)引起越來越多的重視。材料外延生長過程中，缺陷的產(chǎn)生主要來自如下幾個(gè)方面:(I)襯底本身的缺陷；(2)異質(zhì)外延過程中的晶格失配和熱膨脹失配引起材料內(nèi)部應(yīng)力過大；(3)生長原子較低的活性和表面迀移率。為了提高材料的晶體質(zhì)量，人們通常采用提高生長溫度的方法提高生長原子的表面迀移率，從而改善材料的表面平整度。過高的生長溫度對(duì)設(shè)備的電阻加熱系統(tǒng)提出了苛刻的要求，降低了設(shè)備的可靠性。人們也開發(fā)了等離子增強(qiáng)、射頻感應(yīng)加熱系統(tǒng)和光照輔助加熱系統(tǒng)，感應(yīng)加熱系統(tǒng)雖然能夠提高足夠的溫度，但對(duì)感應(yīng)線圈的設(shè)計(jì)和感應(yīng)體的形狀設(shè)計(jì)要求十分精確，也不利于生長材料大尺寸的擴(kuò)展。光照輔助加熱系統(tǒng)通常采用紅外加熱光源，將輻射光照射在襯底表面，可以快速直接加熱生長表面，但該方法對(duì)光源的輻照均勻性設(shè)計(jì)仍然要求十分高。此外，部分材料例如InGaN量子阱在高溫下易于分解，也限制了生長溫度不能過尚O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法和裝置，解決由于外延生長原子迀移率不足引起的生長缺陷問題，并提高摻雜原子的摻雜效率，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料高質(zhì)量制備。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0005]—種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法，包括以下步驟:
[0006]S1、在半導(dǎo)體外延生長初期，根據(jù)圖形尺寸和精度不同要求，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光在線制備圖形化襯底；
[0007]S2、在半導(dǎo)體材料外延生長過程中，根據(jù)生長材料種類以及工藝過程的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光改變外延生長原子的動(dòng)力學(xué)特性，提高生長原子表面迀移距離；
[0008]S3、根據(jù)量子點(diǎn)尺寸和材料種類的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光在外延材料局部產(chǎn)生等離子體，形成量子點(diǎn)定位生長；
[0009]S4、在半導(dǎo)體材料外延生長摻雜過程中，根據(jù)摻雜原子種類以及工藝過程的不同，將特定波長的飛秒激光直接作用在摻雜原子上，提高半摻雜原子活性，進(jìn)行高效率替位摻雜;
[0010]S5、在半導(dǎo)體材料外延生長或摻雜結(jié)束后，根據(jù)摻雜原子種類以及工藝過程的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光直接作用在材料上，進(jìn)行實(shí)時(shí)在線退火；
[0011]S6、將飛秒激光進(jìn)行單點(diǎn)、多點(diǎn)或線面快速掃描，實(shí)現(xiàn)整個(gè)生長表面的延伸。
[0012]作為優(yōu)選的，所述步驟SI中，根據(jù)刻蝕三維圖形不同需求，可選取不同波長的飛秒激光，可采用波長為450nm或280nm的飛秒激光直接將襯底刻蝕為不同特征精度的三維圖形生長面。
[0013]作為優(yōu)選的，所述飛秒激光通過預(yù)設(shè)或者改制現(xiàn)有半導(dǎo)體材料外延設(shè)備中的光通道進(jìn)入反應(yīng)腔體;所述光通道根據(jù)設(shè)備結(jié)構(gòu)和工藝需求設(shè)為一個(gè)或多個(gè)。
[0014]作為優(yōu)選的，為了使半導(dǎo)體材料外延生長更加精準(zhǔn)、高質(zhì)量和，本實(shí)施例中所述飛秒激光還結(jié)合有微波或射頻等手段共同作用于半導(dǎo)體材料外延生長過程中。
[0015]作為優(yōu)選的，所述步驟SI中，還可通過計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制飛秒激光直接將襯底刻蝕為三維超材料結(jié)構(gòu)，以此基底實(shí)現(xiàn)三維微納超材料生長，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜超結(jié)構(gòu)的超材料的生長和制備。
[0016]作為優(yōu)選的，還包括:
[0017]S7、根據(jù)生長表面吸收和反射的光強(qiáng)、光譜，監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體材料外延生長過程中材料晶體質(zhì)量的變化情況，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體外延生長過程在線和實(shí)時(shí)檢測(cè)。
[0018]—種根據(jù)上述方法進(jìn)行半導(dǎo)體材料外延生長的裝置，包括用于半導(dǎo)體材料外延生長的反應(yīng)腔、若干飛秒激光源，所述若干飛秒激光源分別通過光通道安裝于反應(yīng)腔的側(cè)壁或頂端;還包括一計(jì)算機(jī)自控系統(tǒng)，用于控制在不同的生長階段或者按照預(yù)設(shè)的程序化步驟引入不同波長飛秒激光源輔助照射在生長表面。
[0019]作為優(yōu)選的，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)有裝載托盤。
[0020]作為優(yōu)選的，所述反應(yīng)腔為垂直式MOCVD反應(yīng)腔，或HVPE、MBE等設(shè)備的反應(yīng)腔中。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明可在線制備圖形化襯底，解決由于外延生長原子迀移率不足引起的生長缺陷問題，在半導(dǎo)體材料外延設(shè)備原有的生長加熱系統(tǒng)基礎(chǔ)上，通過特制的光通道將飛秒激光引入到襯底生長表面，通過與表面原子進(jìn)行作用，提高表面原子的動(dòng)力學(xué)特性，直接提高生長表面原子的活性和表面迀移率，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的材料生長。由于飛秒激光的局部高能量，能在生長的局部產(chǎn)生高密度等離子體，形成新的生長動(dòng)力學(xué)環(huán)境，可以通過局部等離子的作用，形成局部量子點(diǎn)材料的生長，結(jié)合MOCVD或者HVPE或者M(jìn)BE可以實(shí)現(xiàn)高密度的量子點(diǎn)生長，甚至可以高密度生長3D的量子點(diǎn)材料。此外，飛秒激光在生長表面存在一定的光吸收和光反射，根據(jù)吸收和反射光強(qiáng)和光譜，可以反映出半導(dǎo)體材料外延生長過程中材料晶體質(zhì)量的變化情況，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體材料外延生長過程在線和實(shí)時(shí)檢測(cè)。
【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明所述方法的流程圖；
[0023]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中裝置的結(jié)構(gòu)框圖；
[0024]圖3是本發(fā)明實(shí)施例1中飛秒激光源安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0025]圖4是本發(fā)明實(shí)施例2中裝置的結(jié)構(gòu)框圖。
[0026]附圖標(biāo)記:
[0027]反應(yīng)腔體蓋一 101飛秒激光源一 102滑槽一 103氣體入口一 104
[0028]反應(yīng)氣體混合腔一 105噴淋孔一 106反應(yīng)區(qū)一 107 光通道窗口一 108
[0029]載片盤一 109襯底一110 載片盤支撐一111加熱器一112
[0030]旋轉(zhuǎn)軸一 113反應(yīng)腔體一 301 尾氣出口一 314 靶源一 315
[0031]觀察窗口一316
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述的一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法和裝置作進(jìn)一步說明。
[0033]以下是本發(fā)明所述的的最佳實(shí)例，并不因此限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0034]實(shí)施例1
[0035]圖1使出了一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法的流程圖，在半導(dǎo)體材料外延生長過程中，根據(jù)涉及工藝的過程，在不同階段或按照預(yù)設(shè)的程序化步驟引入飛秒激光源輔助照射在生長表面，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料的高質(zhì)量外延生長，本方法可用于氫化物氣相外延(HVPE)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等設(shè)備或方法中，其包括以下步驟:
[0036]S1、在半導(dǎo)體外延生長初期，根據(jù)圖形尺寸和精度不同要求，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光在線制備圖形化襯底，飛秒激光的中心波長在200nm?1600nm之間；
[0037]S2、根據(jù)生長材料種類以及工藝過程的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光改變外延生長原子的動(dòng)力學(xué)特性，提高生長原子表面迀移距離，飛秒激光的中心波長可以在200nm?800nm之間；通過飛秒激光改變外延生長原子的動(dòng)力學(xué)特性，直接提高生長表面原子的活性和表面迀移率，從而增加生長原子表面迀移距離;從而提高半導(dǎo)體外延薄膜表面的平整度，也可改變外延薄膜中位錯(cuò)缺陷擴(kuò)展放向；有效的解決由于外延生長原子迀移率不足引起的生長缺陷問題；
[0038]S3、根據(jù)量子點(diǎn)尺寸和材料種類的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光在外延材料局部產(chǎn)生等離子體，形成量子點(diǎn)定位生長，飛秒激光的波長在200nm?800nm范圍內(nèi)；由于飛秒激光的局部高能量，能在生長的局部產(chǎn)生高密度等離子體，形成新的生長動(dòng)力學(xué)環(huán)境，可以通過局部等離子的作用，形成局部量子點(diǎn)材料的生長，結(jié)合MOCVD或者HVPE或者M(jìn)BE可以實(shí)現(xiàn)高密度的量子點(diǎn)生長，甚至可以高密度生長3D的量子點(diǎn)材料；
[0039]S4、在半導(dǎo)體材料外延生長摻雜過程中，根據(jù)摻雜原子種類以及工藝過程的不同，將特定波長的飛秒激光直接作用在摻雜原子上，提高半摻雜原子活性，進(jìn)行高效率替位摻雜；飛秒激光的波長在200nm?800nm范圍內(nèi)由于飛秒激光的局部高能量，摻雜原子吸收能量之后活性大幅提尚，可實(shí)現(xiàn)更尚效率的替位慘雜。
[0040]S5、在半導(dǎo)體材料外延生長或摻雜結(jié)束后，將特定波長的飛秒激光直接作用在材料上，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)在線退火;消除部分已成型的缺陷，改善晶體質(zhì)量，打斷摻雜原子的飽和氫鍵，提高摻雜的載流子濃度；
[0041]S6、將飛秒激光進(jìn)行單點(diǎn)、多點(diǎn)或線面快速掃描，實(shí)現(xiàn)整個(gè)生長表面的延伸。
[0042]在本實(shí)施例中，所述步驟SI中，通過飛秒激光直接將襯底刻蝕為三維圖形生長面，刻蝕的尺寸取決于激光的波長，本實(shí)施例中采用波長為450nm藍(lán)光或280nm深紫外光。
[0043]作為優(yōu)選的，所述飛秒激光通過預(yù)設(shè)或者改制現(xiàn)有半導(dǎo)體材料外延設(shè)備中的光通道進(jìn)入反應(yīng)腔體;所述反應(yīng)腔體可為MOCVD反應(yīng)腔，或HVPE、MBE等設(shè)備的反應(yīng)腔，所述光通道根據(jù)設(shè)備結(jié)構(gòu)和工藝需求設(shè)為一個(gè)或多個(gè)。
[0044]作為優(yōu)選的，所述飛秒激光還結(jié)合有微波或射頻等手段共同作用于半導(dǎo)體材料外延生長過程中。
[0045]作為優(yōu)選的，所述步驟SI中，還可通過計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制飛秒激光直接將襯底刻蝕為三維超材料結(jié)構(gòu)，以此基底實(shí)現(xiàn)三維微納超材料生長，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜超結(jié)構(gòu)的超材料的生長和制備。
[0046]作為優(yōu)選的，還包括:
[0047]S7、根據(jù)生長表面吸收和反射的光強(qiáng)、光譜，監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體材料外延生長過程中材料晶體質(zhì)量的變化情況，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體外延生長過程在線和實(shí)時(shí)檢測(cè)；由于飛秒激光在生長表面存在一定的光吸收和光反射，根據(jù)吸收和反射光強(qiáng)和光譜，可以反映出半導(dǎo)體材料外延生長過程中材料晶體質(zhì)量的變化情況，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體材料外延生長過程在線和實(shí)時(shí)檢測(cè)。
[0048]如圖2所示，本發(fā)明還提供了一種根據(jù)上述方法進(jìn)行半導(dǎo)體材料外延生長的裝置，包括用于半導(dǎo)體材料外延生長的反應(yīng)腔，反應(yīng)腔體蓋101與反應(yīng)腔內(nèi)部的下方為反應(yīng)氣體混合腔105，所述反應(yīng)氣體混合腔105下方為噴淋孔106，反應(yīng)腔側(cè)壁設(shè)有與反應(yīng)氣體混合腔相連通的氣體入口 104，所述反應(yīng)腔體蓋101上設(shè)有滑槽103，在本實(shí)施例中，所述飛秒激光源102裝配在滑槽103上，并通過光通道窗口 108、安裝在反應(yīng)腔體蓋101上。所述半導(dǎo)體外延材料外延襯底110放于載片盤109上，所述載片盤109通過載片盤支撐111安裝于反應(yīng)腔內(nèi)部，載片盤109下方還設(shè)有加熱器112，和旋轉(zhuǎn)軸113，在半導(dǎo)體材料外延生長過程中，飛秒激光照射在載片盤109上的襯底表面110，通過在滑槽103上移動(dòng)，進(jìn)行快速掃描，實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)圓片表面上的生長原子直接作用。
[0049]所述飛秒激光源102安裝于反應(yīng)腔的頂端;還包括一計(jì)算機(jī)自控系統(tǒng)，用于控制在不同的生長階段或者按照預(yù)設(shè)的程序化步驟引入不同波長飛秒激光源輔助照射在生長表面。
[0050]實(shí)施例3
[0051]如圖2和圖3所示，在本實(shí)施例中沿用實(shí)施例1中的方法，所述裝置的反應(yīng)腔為垂直式MOCVD反應(yīng)腔，也可以選用HVPE、MBE等設(shè)備的反應(yīng)腔，本實(shí)施例中包括飛秒激光源102，，飛秒激光源102安裝在MBE設(shè)備反應(yīng)腔體301下方，在MBE設(shè)備中靶源315施加一定功率，氣體入口 104通入源氣體，進(jìn)行AlN外延工藝時(shí)，將飛秒激光引入生長表面，直接對(duì)襯底表面的Al原子進(jìn)行作用，提高Al原子的動(dòng)力學(xué)能量，從而獲得較高的表面迀移率，實(shí)現(xiàn)常規(guī)生長溫度下進(jìn)行高質(zhì)量AlN外延生長，所述反應(yīng)區(qū)下方還設(shè)有尾氣出口 314、靶源315，反應(yīng)腔體301側(cè)壁上設(shè)有觀察窗口 316。
[0052]綜上所述，本發(fā)明提出的基于飛秒激光的高質(zhì)量半導(dǎo)體材料生長方法，在半導(dǎo)體材料外延設(shè)備原有的生長加熱系統(tǒng)基礎(chǔ)上，通過特制的光通道將飛秒激光引入到襯底生長表面，通過與表面原子進(jìn)行作用，提高表面原子的動(dòng)力學(xué)特性，直接提高生長表面原子的活性和表面迀移率，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的材料生長。由于飛秒激光的局部高能量，能在生長的局部產(chǎn)生高密度等離子體，形成新的生長動(dòng)力學(xué)環(huán)境，可以通過局部等離子的作用，形成局部量子點(diǎn)材料的生長，結(jié)合MOCVD或者HVPE或者M(jìn)BE可以實(shí)現(xiàn)高密度的量子點(diǎn)生長，甚至可以高密度生長3D的量子點(diǎn)材料。此外，飛秒激光在生長表面存在一定的光吸收和光反射，根據(jù)吸收和反射光強(qiáng)和光譜，可以反映出半導(dǎo)體材料外延生長過程中材料晶體質(zhì)量的變化情況，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體材料外延生長過程在線和實(shí)時(shí)檢測(cè)。
[0053]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法，其特征在于，包括以下步驟: 51、在半導(dǎo)體外延生長初期，根據(jù)圖形尺寸和精度不同要求，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光在線制備圖形化襯底； 52、在半導(dǎo)體材料外延生長過程中，根據(jù)生長材料種類以及工藝過程的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光改變外延生長原子的動(dòng)力學(xué)特性，提高生長原子表面迀移距離； 53、根據(jù)量子點(diǎn)尺寸和材料種類的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光在外延材料局部產(chǎn)生等離子體，形成量子點(diǎn)定位生長； 54、在半導(dǎo)體材料外延生長摻雜過程中，根據(jù)摻雜原子種類以及工藝過程的不同，將特定波長的飛秒激光直接作用在摻雜原子上，提高半摻雜原子活性，進(jìn)行高效率替位摻雜； 55、在半導(dǎo)體材料外延生長或摻雜結(jié)束后，根據(jù)摻雜原子種類以及工藝過程的不同，對(duì)應(yīng)選擇不同波長的飛秒激光直接作用在材料上，進(jìn)行實(shí)時(shí)在線退火； 56、將飛秒激光進(jìn)行單點(diǎn)、多點(diǎn)或線面快速掃描，實(shí)現(xiàn)整個(gè)生長表面的延伸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法，其特征在于，所述步驟SI中，根據(jù)刻蝕三維圖形不同需求，可選取不同波長的飛秒激光，可采用波長為450nm或280nm的飛秒激光直接將襯底刻蝕為三維圖形生長面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法，其特征在于，所述飛秒激光通過預(yù)設(shè)或者改制現(xiàn)有半導(dǎo)體材料外延設(shè)備中的光通道進(jìn)入反應(yīng)腔體;所述光通道根據(jù)設(shè)備結(jié)構(gòu)和工藝需求設(shè)為一個(gè)或多個(gè)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法，其特征在于，所述飛秒激光還結(jié)合有微波或射頻等手段共同作用于半導(dǎo)體材料外延生長過程中。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法，其特征在于，所述步驟SI中，還可通過計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制飛秒激光直接將襯底刻蝕為三維超材料結(jié)構(gòu)，以此基底實(shí)現(xiàn)三維微納超材料生長，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜超結(jié)構(gòu)的超材料的生長和制備。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于飛秒激光輔助的半導(dǎo)體材料外延生長方法，其特征在于，還包括: 57、根據(jù)生長表面吸收和反射的光強(qiáng)、光譜，監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體材料外延生長過程中材料晶體質(zhì)量的變化情況，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體外延生長過程在線和實(shí)時(shí)檢測(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述方法進(jìn)行半導(dǎo)體材料外延生長的裝置，其特征在于，包括用于半導(dǎo)體材料外延生長的反應(yīng)腔、若干飛秒激光源，所述若干飛秒激光源分別通過光通道安裝于反應(yīng)腔的側(cè)壁或頂端;還包括計(jì)算機(jī)自控系統(tǒng)，用于控制在不同的生長階段或者按照預(yù)設(shè)的程序化步驟引入不同波長的飛秒激光源輔助照射在生長表面。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)有裝載托盤。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔為垂直式MOCVD反應(yīng)腔，或HVPE、MBE等設(shè)備的反應(yīng)腔中。
【文檔編號(hào)】C30B25/18GK105821472SQ201610260299
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年4月25日
【發(fā)明人】劉勝, 嚴(yán)晗, 甘志銀, 陳斌, 彭慶, 鄭懷
【申請(qǐng)人】武漢大學(xué), 廣東昭信半導(dǎo)體裝備制造有限公司