新型多晶硅芯棒拉制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括檢查多晶硅料純度指標(biāo)和尺寸，摻雜劑純度，然后選擇晶向好且無機械損傷的籽晶裝入清理過的爐膛中；將爐體內(nèi)抽真空，通入氬氣；將原料多晶硅裝入爐體中形成硅填料，加熱熔化形成硅熔體；使籽晶與所述硅熔體接觸，進行兩次拉晶。本發(fā)明控制精確，大大提高成品率。
【專利說明】
新型多晶硅芯棒拉制方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種拉制方法，具體涉及一種多晶硅芯棒拉制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，多晶硅芯棒拉制成型比較簡單，要確保內(nèi)部沒有隱裂非常困難，正常拉晶方法是頭部拉速高-逐漸降低-尾部拉速低，這種方法拉制成品率不到30%。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種控制精確，大大提尚成品率的新型多晶娃芯棒拉制方法。
[0004]技術(shù)方案:為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步驟，
(1)檢查多晶硅料純度指標(biāo)和尺寸，摻雜劑純度，然后選擇晶向好且無機械損傷的籽晶裝入清理過的爐膛中；
(2)將爐體內(nèi)抽真空，通入氬氣；
(3)將原料多晶硅裝入爐體中形成硅填料，加熱熔化形成硅熔體；
(4)使籽晶與所述硅熔體接觸，在爐壓2200-2500Pa，爐溫300-320°C進行第一次拉晶，晶棒轉(zhuǎn)速10轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速0.8mm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部降低25_35%，然后勻速拉制至尾部；
(5)將晶棒冷卻到40-60°C后，進行第二次拉晶，爐壓2200-2500Pa，爐溫300-320°C，晶棒轉(zhuǎn)速12轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速Imm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部降低25-35%，然后勾速拉制至尾部。
[0005]根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步驟(4)中，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%。
[0006]根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步驟(5)中，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%。
[0007]有益效果:本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點是:本發(fā)明通過兩次拉晶，生產(chǎn)出的晶棒品質(zhì)更好，并且在兩次拉晶過程中的拉速，從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%，拉制成品率高達98以上，解決了以前隱裂的問題，拉制過程中，溫度壓力、拉速轉(zhuǎn)速控制精確，步驟嚴(yán)謹(jǐn)，符合實際生產(chǎn)要求。
【具體實施方式】
[0008]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
[0009]實施例1:
本發(fā)明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步驟，
(I)檢查多晶硅料純度指標(biāo)和尺寸，摻雜劑純度，然后選擇晶向好且無機械損傷的籽晶裝入清理過的爐膛中；
(2)將爐體內(nèi)抽真空，通入氬氣；
(3)將原料多晶硅裝入爐體中形成硅填料，加熱熔化形成硅熔體；
(4)使籽晶與所述硅熔體接觸，在爐壓2300Pa，爐溫310°C進行第一次拉晶，晶棒轉(zhuǎn)速10轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速0.8mm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%，然后勾速拉制至尾部；
(5)將晶棒冷卻到450C后，進行第二次拉晶，爐壓2300Pa，爐溫310°C，晶棒轉(zhuǎn)速12轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速Imm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%，然后勾速拉制至尾部。
[0010]實施例2:
本發(fā)明所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，它包括以下步驟，
(1)檢查多晶硅料純度指標(biāo)和尺寸，摻雜劑純度，然后選擇晶向好且無機械損傷的籽晶裝入清理過的爐膛中；
(2)將爐體內(nèi)抽真空，通入氬氣；
(3)將原料多晶硅裝入爐體中形成硅填料，加熱熔化形成硅熔體；
(4)使籽晶與所述硅熔體接觸，在爐壓2400Pa，爐溫315°C進行第一次拉晶，晶棒轉(zhuǎn)速10轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速0.8mm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低32%，然后勾速拉制至尾部；
(5)將晶棒冷卻到55°C后，進行第二次拉晶，爐壓2400Pa，爐溫315°C，晶棒轉(zhuǎn)速12轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速Imm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低32%，然后勾速拉制至尾部。
[0011]本發(fā)明通過兩次拉晶，生產(chǎn)出的晶棒品質(zhì)更好，并且在兩次拉晶過程中的拉速，從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%，拉制成品率高達98以上，解決了以前隱裂的問題，拉制過程中，溫度壓力、拉速轉(zhuǎn)速控制精確，步驟嚴(yán)謹(jǐn)，符合實際生產(chǎn)要求。
[0012]本發(fā)明提供了一種思路及方法，具體實現(xiàn)該技術(shù)方案的方法和途徑很多，以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍，本實施例中未明確的各組成部分均可用現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
【主權(quán)項】
1.新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:它包括以下步驟， (1)檢查多晶硅料純度指標(biāo)和尺寸，摻雜劑純度，然后選擇晶向好且無機械損傷的籽晶裝入清理過的爐膛中； (2)將爐體內(nèi)抽真空，通入氬氣； (3 )將原料多晶硅裝入爐體中形成硅填料，加熱熔化形成硅熔體； (4)使籽晶與所述硅熔體接觸，在爐壓2200-2500Pa，爐溫300_320°C進行第一次拉晶，晶棒轉(zhuǎn)速10轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速0.8mm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部降低25_35%，然后勻速拉制至尾部； (5)將晶棒冷卻到40-60°C后，進行第二次拉晶，爐壓2200-2500Pa，爐溫300_320°C，晶棒轉(zhuǎn)速12轉(zhuǎn)/分，晶棒頭部拉速Imm/分，拉速從晶棒頭部至晶棒中部降低25-35%，然后勾速拉制至尾部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步驟(4)中，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型多晶硅芯棒拉制方法，其特征在于:在步驟(5)中，拉速從晶棒頭部至晶棒中部600mm處降低30%。
【文檔編號】C30B28/10GK105970288SQ201610453071
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年6月22日
【發(fā)明人】袁玉平, 閆鵬, 袁佳斌
【申請人】江蘇拜爾特光電設(shè)備有限公司