一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法
【專利摘要】本申請公開了一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，包括：在鋪設(shè)完顆粒料的籽晶之后，在坩堝的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊，所述硅塊用于阻擋熔化后的液體對所述籽晶的侵蝕，其中，所述硅塊與所述坩堝的內(nèi)表面之間保持第一預(yù)設(shè)距離；再裝入硅料。本申請?zhí)峁┑纳鲜鲇糜诙嗑Ч梃T錠工藝的裝料方法，能夠避免角部和邊部籽晶熔化過多，避免晶粒降級，提高硅片的轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】
一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于光伏設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在多晶硅鑄錠工藝中，需要對籽晶進(jìn)行有效的保護(hù)?，F(xiàn)有技術(shù)中的保護(hù)籽晶的方法都是從熱場入手，在護(hù)板和坩禍中間加一層軟氈，或者在護(hù)板外部增加一根硬氈，用來隔熱，并配合隔熱籠的開啟來達(dá)到保護(hù)籽晶的目的。
[0003]然而，現(xiàn)有技術(shù)中的上述方法比較受軟氈，硬氈和熱場結(jié)構(gòu)以及工藝的影響，由于熱場結(jié)構(gòu)的問題，邊部的硅料熔化后會流到角部和邊部，造成角部和邊部籽晶熔化過多，導(dǎo)致晶粒降級，降低硅片轉(zhuǎn)換效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，能夠避免角部和邊部籽晶熔化過多，避免晶粒降級，提高硅片的轉(zhuǎn)換效率。
[0005]本發(fā)明提供的一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，包括:
[0006]在鋪設(shè)完顆粒料的籽晶之后，在坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊，所述硅塊用于阻擋熔化后的液體對所述籽晶的侵蝕，其中，所述硅塊與所述坩禍的內(nèi)表面之間保持第一預(yù)設(shè)距離；
[0007]裝入硅料。
[0008]優(yōu)選的，在上述用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法中，在所述坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)娃塊之后，還包括:
[0009]在所述坩禍的除了所述四個(gè)角之外的其他邊緣位置鋪設(shè)硅塊。
[0010]優(yōu)選的，在上述用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法中，
[0011]所述第一預(yù)設(shè)距離為3毫米至6毫米。
[0012]優(yōu)選的，在上述用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法中，
[0013]所述娃塊為方形娃塊，且其底面邊長范圍為156.2mm至156.5mm，高度為40mm。
[0014]優(yōu)選的，在上述用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法中，
[0015]所述硅塊為棒檢之后尾部截?cái)嗷厥盏那胰コ膊渴Ｓ嘧丫У墓鑹K。
[0016]優(yōu)選的，在上述用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法中，
[0017]所述硅塊以緊密貼合的方式進(jìn)行放置。
[0018]優(yōu)選的，在上述用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法中，
[0019]所述裝入娃料包括:
[0020]鋪設(shè)回收料頭料和尾料；
[0021]把破碎后的碎硅片均勻的鋪在上面；
[0022]用邊皮回收料鋪在所述坩禍的四周；
[0023]將晶磚狀硅料、棒狀硅料堆放在所述邊皮回收料的內(nèi)側(cè)；
[0024]裝填塊狀及其他小尺寸硅料。
[0025]通過上述描述可知，本發(fā)明提供的上述用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，由于先在鋪設(shè)完顆粒料的籽晶之后，在坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊，所述硅塊用于阻擋熔化后的液體對所述籽晶的侵蝕，其中，所述硅塊與所述坩禍的內(nèi)表面之間保持第一預(yù)設(shè)距離;再裝入硅料，因此能夠避免角部和邊部籽晶熔化過多，避免晶粒降級，提高硅片的轉(zhuǎn)換效率。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為本申請實(shí)施例提供的第一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法的示意圖；
[0028]圖2為利用本申請實(shí)施例提供的第二種方法鋪設(shè)硅塊的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]本發(fā)明的核心思想在于提供一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，能夠避免角部和邊部籽晶熔化過多，避免晶粒降級，提高硅片的轉(zhuǎn)換效率。
[0030]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031]本申請實(shí)施例提供的第一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法如圖1所示，圖1為本申請實(shí)施例提供的第一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法的示意圖。該方法包括如下步驟:
[0032]S1:在鋪設(shè)完顆粒料的籽晶之后，在坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊，所述硅塊用于阻擋熔化后的液體對所述籽晶的侵蝕，其中，所述硅塊與所述坩禍的內(nèi)表面之間保持第一預(yù)設(shè)距離；
[0033]在利用現(xiàn)有的方法操作時(shí)，如果軟氈和硬氈有所損壞、脫落，會導(dǎo)致籽晶保留不住，也會造成小方錠降級，另外隔熱籠的熱區(qū)不均勻以及工藝調(diào)整不合理也會導(dǎo)致邊角籽晶保護(hù)不好。而本實(shí)施例通過在坩禍四個(gè)角位置上鋪設(shè)硅塊，就阻隔了硅液對角部和邊部籽晶的侵蝕熔化，其中第一預(yù)設(shè)距離的設(shè)置要保證相互之間不會形成擠壓。
[0034]S2:裝入硅料。
[0035]這個(gè)步驟與現(xiàn)有技術(shù)中的步驟類似，此處不再贅述。
[0036]通過上述描述可知，本申請實(shí)施例提供的上述第一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，由于先在鋪設(shè)完顆粒料的籽晶之后，在坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊，所述硅塊用于阻擋熔化后的液體對所述籽晶的侵蝕，其中，所述硅塊與所述坩禍的內(nèi)表面之間保持第一預(yù)設(shè)距離;再裝入硅料，因此能夠避免角部和邊部籽晶熔化過多，避免晶粒降級，提高硅片的轉(zhuǎn)換效率。
[0037]本申請實(shí)施例提供的第二種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，是在上述第一種裝料方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征:
[0038]在所述坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊之后，還包括:
[0039]在所述坩禍的除了所述四個(gè)角之外的其他邊緣位置鋪設(shè)硅塊。
[0040]參考圖2，圖2為利用本申請實(shí)施例提供的第二種方法鋪設(shè)硅塊的示意圖。其中，在坩禍I的底部鋪設(shè)籽晶2之后，再在籽晶2的上部鋪設(shè)硅塊3。在這種情況下，就能夠使熔化后的硅液不會很直接的滲入底部籽晶層中，更全面的阻擋熔化后的液體對四角籽晶和坩禍面籽晶的侵蝕，使四角籽晶和坩禍面籽晶都不會熔化過快，達(dá)到保護(hù)籽晶的目的。
[0041]本申請實(shí)施例提供的第三種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，是在上述第一種裝料方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征:
[0042]所述第一預(yù)設(shè)距離為3毫米至6毫米。
[0043]需要說明的是，設(shè)置這個(gè)距離范圍是考慮到熱漲的問題，硅塊不能和坩禍緊貼在一起，以防止化料時(shí)硅塊吸熱膨脹，會擠壓到坩禍，造成溢流的危險(xiǎn)。
[0044]本申請實(shí)施例提供的第四種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，是在上述第一種裝料方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征:
[0045]所述娃塊為方形娃塊，且其底面邊長范圍為156.2mm至156.5mm，高度為40mm。
[0046]在這種情況下，這種方形的硅塊在鋪設(shè)的時(shí)候能最大面積的跟籽晶料接觸，因此能對籽晶形成更好的保護(hù)。
[0047]本申請實(shí)施例提供的第五種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，是在上述第一種裝料方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征:
[0048]所述硅塊為棒檢之后尾部截?cái)嗷厥盏那胰コ膊渴Ｓ嘧丫У墓鑹K，這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)硅料的循環(huán)利用，進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。
[0049]本申請實(shí)施例提供的第六種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，是在上述第二種裝料方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征:
[0050]所述硅塊以緊密貼合的方式進(jìn)行放置。
[0051 ]在這種情況下，每個(gè)小硅塊之間是緊密貼合的，防止液態(tài)硅液過多的滲入硅塊下方籽晶，用來阻擋化料后液體對底部籽晶的侵蝕。
[0052]本申請實(shí)施例提供的第七種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，是在上述第一種或第二種裝料方法的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征:
[0053]所述裝入硅料包括:
[0054]鋪設(shè)回收料頭料和尾料；
[0055]把破碎后的碎硅片均勻的鋪在上面；
[0056]用邊皮回收料鋪在所述坩禍的四周；
[0057]將晶磚狀硅料、棒狀硅料堆放在所述邊皮回收料的內(nèi)側(cè)；
[0058]裝填塊狀及其他小尺寸硅料。
[0059]具體的，在鋪設(shè)好一圈硅塊后，在其他未鋪硅塊的籽晶上面鋪設(shè)回收料頭料和尾料，再接著把破碎后的碎硅片均勻的鋪在上面，用邊皮回收料鋪在坩禍四周，將晶磚狀硅料、棒狀硅料等堆放在邊皮、回收料內(nèi)側(cè)，將塊狀及其他更小尺寸的硅料裝填，在所述晶磚回收料等形成的空間內(nèi)，依次往上，直至裝料結(jié)束。
[0060]綜上所述，本申請實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了半熔籽晶高度的保護(hù)，防止邊角和坩禍面籽晶熔化過多導(dǎo)致小方錠降級。
[0061]對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，其特征在于， 在鋪設(shè)完顆粒料的籽晶之后，在坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊，所述硅塊用于阻擋熔化后的液體對所述籽晶的侵蝕，其中，所述硅塊與所述坩禍的內(nèi)表面之間保持第一預(yù)設(shè)距離； 裝入硅料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，其特征在于，在所述坩禍的四個(gè)角的位置鋪設(shè)硅塊之后，還包括: 在所述坩禍的除了所述四個(gè)角之外的其他邊緣位置鋪設(shè)硅塊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，其特征在于， 所述第一預(yù)設(shè)距離為3毫米至6毫米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，其特征在于， 所述娃塊為方形娃塊，且其底面邊長范圍為156.2mm至156.5mm，高度為40mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，其特征在于， 所述硅塊為棒檢之后尾部截?cái)嗷厥盏那胰コ膊渴Ｓ嘧丫У墓鑹K。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，其特征在于， 所述硅塊以緊密貼合的方式進(jìn)行放置。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于多晶硅鑄錠工藝的裝料方法，其特征在于，所述裝入娃料包括: 鋪設(shè)回收料頭料和尾料； 把破碎后的碎硅片均勻的鋪在上面； 用邊皮回收料鋪在所述坩禍的四周； 將晶磚狀硅料、棒狀硅料堆放在所述邊皮回收料的內(nèi)側(cè)； 裝填塊狀及其他小尺寸硅料。
【文檔編號】C30B28/06GK106012008SQ201610594494
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月26日
【發(fā)明人】夏寧寧, 李林東, 陳偉, 金浩
【申請人】晶科能源有限公司, 浙江晶科能源有限公司